长江存储杨士宁：新形势下中国芯片制造突围的新路径

2020年11月18日至19日北京微电子国际探讨会暨ICWORLD学术会议在北京举行，长江存储首席执行官杨士宁做了“新形势下中国芯片制造突围的新路径”的演讲。

杨士宁表示芯片架构由2D向3D发展是必然的趋势，在芯片集成度和密度最近代表性的是存储芯片NAND。三至四年前3D架构的NAND市占率不到1%，但是现在市占率已经超过50%了。

从芯片性能的增长路线图来看，一旦进入三维结构的NAND，芯片的密度增长，又回到了原来摩尔定律的快速增长。三维结构芯片使得如果我们拿不到EUV紫外光光刻机，同样也有机会做出和7nm性能差不多的芯片。在中芯北京和武汉新芯的合作下长江存储做了一颗异构集成神经网络芯片，原本要46000平方毫米的芯片才能达到的效能在成熟工艺40nm加上一颗成熟的DRAM，用异构集成缩小为800平方毫米左右。如果看性能，从运算能力、存储单元容量、能耗的有效性、成本等，这颗40nm的芯片和16/12nm、7nm相比差距不大。

在架构上长江存储自主研发的Xtacking技术存储器具有比较明显的优势：一是速度快；第二是工艺更结实，芯片结构简单化，主要是突围中间的键合；第三是存储器密度比别的产品高，成本降低；第四是长江存储逻辑电路可以委托给别人代工，在灵活性和客户保密性具备优势，生产更灵活。

长江存储的64层产品和国际竞争对手差2代产品，为了和国外企业进行商业化竞争，长江存储已经跳过96层，直接进入128层领域，有望真正到市场上赚钱。2020年4月长存推出了128层3DNAND闪存，做到行业存储容量最大，接口速度最高，向国际进军。长存的技术推进在3年内完成别人6年走过的路，在128层产品后要争取做第一和第二。64层算是长江存储第一个处女作品，用自己的Xtacking架构设计和独特工艺，存储密度和9X层差不多，但量不大。虽然长存的64层3DNAND只是我们第一个产品，但是这颗产品已经做到了Mate40的旗舰机里面，在这里面我们看到了国内半导体产业链彼此协同合作和未来长远的发展机会。