一、半导体功率器件国产力量

无锡新洁能成立于 2013 年，采用“自主研发+委外加工”的商业模式， 主营 MOSFET 等半导体功率器件的研发和销售。公司销售的产品按是 否封装可分为晶圆片和封装成品，目前拥有约 500 种型号的细分产品， 产品广泛应用于消费电子、汽车电子、变频家电、新能源汽车及充电 桩、LED 等领域。

实际控制人明确，决策效率高。朱袁正直接持有新洁能股权比例为23.3%，同时朱袁正分别与叶鹏、王成宏等多名股东签订一致行动协 议，约定在公司股东大会或董事会表决时，应主动与朱袁正保持一致， 因此朱袁正持股比例占相对多数，同时朱袁正为公司董事长、总经理， 并参与公司实际的经营管理，能够对公司的经营决策、利润分配、对 外投资、人事、财务进行控制，为公司的控股股东、实际控制人。

董事长朱袁正 先生 ，1964 年 3 月生，中国国籍，无境外永久居留权， 硕士学历，本科和硕士分别毕业于吉林大学半导体化学专业和新加坡 国 立 大 学 ( National University of Singapore ) Computer and Power Engineering 专业。曾任中国华晶电子集团公司助理工程师、刻蚀工艺 主管，新加坡微电子研究院(Institute of Microelectronics,IME)工程师， 德国西门子松下有限公司(Siemens Matsushita Components GmbH)产 品工程技术经理，无锡华润上华半导体有限公司研发副处长，苏州硅能半导体科技有限公司董事、总经理，新洁能半导体董事、董事长兼 总经理，电芯联智控董事长兼总经理。现任公司董事长兼总经理，新 洁能香港董事，电基集成执行董事兼总经理。其担任公司董事长的任 期为 2019 年 3 月 15 日至 2022 年 3 月 14 日。

公司的董事会成员共 9 名，分别为朱袁正、叶鹏、王文荣、王成宏、 窦晓波、宋延延、黄益建、顾朋朋、康捷。监事会成员共 5 名，分别 为刘松涛、李宗清、陈伟、纪文勇、吴国强。

新洁能股份有限公司总部位于江苏无锡，同时也设有深圳分公司和宁 波分公司。另外，新洁能股份有限公司还拥有新洁能功率半导体(香 港)有限公司和电基集成等子公司。

二、产品与客户优势保障，盈利能力持续上升

1 产品应用多样，营收稳步增长

公司从事半导体功率器件的研发与销售。目前主要产品包括: 12V~200V 沟槽型功率 MOSFET(N 沟道和 P 沟道)、30V~300V 屏蔽栅 功率 MOSFET(N 沟道和 P 沟道)、500V~900V 超结功率 MOSFET、 600V~1350V 沟槽栅场截止型 IGBT，相关核心技术已获得多项专利授 权。2016-2018 年，公司营业收入和利润一直保持高速增长，2018 年 营业收入达到 7.16 亿元，营业利润达到 1.61 亿元。2019 年公司营业 收入增长至 7.73 亿元，营业利润略有下降，但仍超过 1 亿元。目前来看，公司在 2020 年的营业收入与利润只受到疫情因素的轻微影响， 随着公司产能与技术水平的不断提高，未来的营收与利润将得到更进 一步的提升。

2 品质客源稳定，利润率总体上升

近几年来公司销售毛利率、净利率总体上升。公司利润率在 2018 年 达到最高值，毛利润为 31.63%，净利润为 19.76%。虽然在 2019 年和 2020 年公司受到中美贸易战、芯代工供应紧张以及疫情等多因素影 响，利润率有所波动，但是公司利用自身技术优势和完善的质量管理 体系，确保产品的持续优质和稳定供货，公司有望在接下来几年进一 步提高利润率。

3 管理结构优化，可持续性发展

公司多年不断提升内部管理系统，费用大大降低。在销售方面，公司 与国际知名的晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作。2017 年以后， 公司销售费用金额有所减少，主要是其中职工薪酬、样品费、差旅费 等发生额均明显降低所致;管理费用金额有所减少，主要是其中业务 招待费、差旅费等发生额均明显降低所致。公司财务费用均为负值， 主要是公司利息收入增加所致。

公司研发投入力度持续上升。公司 2015-2020 年上半年用于技术研发 的费用占当年营业收入比例分别达到 3.9%、5.0%、4.4%、4.6%、4.4% 和 5.2%。公司拥有江苏省功率器件工程研究中心、江苏省研究生工作 站，注重先进半导体功率器件的研发与产业化，多项研发成果在 IEEE、 ISPSD 等国际期刊/国际会议上发表，并被 SCI、EI 索引。公司将持续 加大研发投入，提升产品竞争力，目标成为具有国际竞争力的半导体 功率器件产品与服务供应商。

三、功率器件产品齐全，下游应用广泛

1 主营半导体功率器件，产品价值延申

公司的主营业务为 MOSFET、IGBT 等半导体芯片和功率器件的研发设 计及销售。公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件， 公司产品器件结构不同、功能有所差异，主要分类包括沟槽型功率 MOSFET、超结功率 MOSFET、屏蔽栅功率 MOSFET、绝缘栅双极型晶 体管(IGBT)以及功率模块等多品类产品系列，是国内领先的半导体 功率器件设计企业之一。

凭借低损耗、高可靠性品质，打入众多市场领域。公司各类产品使用 先进的设计技术和制造工艺来实现半导体功率器件低导通损耗、低开 关损耗和高可靠性，从而提升能源转换效率，能满足不同的客户应用 需求。公司的产品用途广泛，主要运用于消费电子、汽车电子、工业 电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等 新兴领域。

公司不断对产品系列更新升级，积极延伸所处产业链，逐步进入半导 体功率器件的封装测试领域。目前，公司已初步建成先进封装测试生 产线，实现少部分功率器件的自主生产。从产业链的角度来看，公司 掌握了芯片设计、封装测试等重要环节，能依据行业技术发展和市场 需求变动开展研发设计、并依据终端客户的需求直接生产所需产品， 有利保证产品质量、提升产品性能、促进新产品开发、保障产品供应 及获取更多的产业链价值。

2 下游龙头企业认可，客户资源积累

公司高度重视产品质量管理和客户关系的维护，为下游行业多家龙头客户供货。公司建立了快速的客户服务和客户反馈响应机制，既保证 快速满足客户需求又能够紧跟市场的变化，支持公司产品线的持续更 新。公司通过较强的产品技术、丰富的产品种类、优良的产品质量以 及优质的销售服务已进入多个下游细分领域，且已为下游行业内多家 龙头客户供货。

依托龙头客户产生的市场效应不断向行业内其他企业拓展。公司凭借可靠的产品质量和优质的服务与客户保持了良好的商业合作关系，培 育了一大批忠实客户并取得了较好的市场口碑，为公司不断积累客户 资源、取得长远发展提供了有力的保障。

四、行业前景广阔，国产替代推动需求增长

1 行业规模快速发展，市场需求持续增长

我国半导体分立器件市场销售规模不断攀升。在半导体行业投资规模 和半导体下游行业需求均不断扩大的势头的带动下，2011 年至 2018 年，我国半导体分立器件的销售规模年均复合增长率达到 9.72%。2011 年，我国半导体分立器件行业的整体销售规模为 1388.6 亿元，2016 年以来，随着国内经济结构转型升级，物联网、新能源、新材料、节 能环保和新一代通信网络等新兴行业强力发展，推动了我国电子制造 产业快速回升，大大拉升了对上游半导体分立器件产品的需求。2018 年，我国半导体分立器件全年销售规模已达 2658.4 亿元。

下游市场需求直接拉动了半导体分立器件的生产规模。改革开放以 来，特别是进入 21 世纪后，我国半导体分立器件行业内企业不断增 加，分立器件的产量随之攀升;2011 年，我国半导体分立器件的整体 生产规模为 4134.1 亿只，至 2018 年增长至 7471.1 亿只，年均复合增 长率达到 8.82%。

良好的市场机遇促进我国半导体分立器件产业需求持续增长。2018 年，在市场需求拉动以及产业政策、资本市场等多重有利因素支持下， 国内半导体分立器件保持高速增长。根据中国半导体行业协会预测， 2019 年中国半导体分立器件市场需求达到 2662 亿元，市场需求预期 略有下滑;到 2021 年分立器件的市场需求将达到 3010.6 亿元。从中 长期来看，国内半导体市场需求仍将呈现较快的增长势头。

2 进口依赖减弱，国产替代逐步形成

我国半导体分立器件行业逐步形成对国外产品的替代。据中国半导体 行业协会统计，2011 年至 2014 年中国半导体分立器件产品进口额基 本保持增长趋势。2017 年中国半导体分立器件进口金额为 281.8 亿美 元，相较于 2014 年进口额下降了 10.2%，2018 年中国半导体分立器 件进口金额为 285.0 亿美元，与 2017 年基本持平。

我国对半导体分立器件的进口金额整体下降或持平。近年来，我国半导体分立器件行业的产销规模不断扩大，对国外产品的进口替代效应不断凸显。在中美贸易摩擦等背景下，国内越来越多的电子产品企业为保证供应链安全以及降低产品成本，开始向国内优秀的半导体分立器件企业采购技术水平和性价比较高的 MOSFET 等半导体分立器件产品。未来，随着国内半导体分立器件行业逐步突破高端产品的技术瓶颈，我国半导体分立器件对进口的依赖将会进一步减弱，进口替代效应将显著增加。

五、市场集中度高，研发积累竞争优势

MOSFET 市场由英飞凌和安森美半导体等制造商主导，国产替代空间巨大。英飞凌占据中国大陆 MOSFET 市场的 28.5%，位列第一。安森美半导体，瑞萨电子，东芝半导体，万国半导体分别拥有 17.1%，7.6%，6.9%和 4.9%的市场份额，前五名供应商占据 62.8%的市场份额，前十名供应商占据 65%的市场份额。

全球 IGBT 行业市场集中度高。英飞凌占全球市场份额的 29%;日本三菱集团市场占有率为 19%;日本富士电机市场占有率为 12 %;安森美市场占有率为 9%;瑞士 ABB 市场占有率为 5%。全球前五大生产商占据市场总量的 74%。

近年来，MOSFET、IGBT 等先进半导体功率器件国产替代化趋势十分 明显。新洁能作为国内领先的半导体功率器件设计企业之一，通过多 年的研发积累和技术引进，在技术水平、生产工艺和产品质量等方面 已接近国际先进水平。公司研发的产品紧跟国外一线品牌，如英飞凌、 安森美、意法半导体等，并凭借成本、区域优势逐步实现对 MOSFET、 IGBT 等中高端产品的进口替代，部分产品的参数性能及送样表现与国 外一线品牌同类产品基本相当，公司产品具有较强的进口替代优势。

六、盈利预测

核心假设一:公司功率器件细分型号逐渐丰富，产品平台四大系列逐 渐完善，销售渠道逐步完善，市场知名度不断提高，从而为公司提高 功率器件销售规模提供必备支持。未来公司与已有的行业知名客户合 作日益稳定，积极拓展下游应用行业和客户，相关新应用行业和客户 对公司 MOSFET 功率器件需求有所增加，功率器件销售额持续增长。

核心假设二:由于功率器件毛利率高于芯片，公司主动调整芯片产品 和功率器件的比例结构，芯片产品增长率较低。同时，公司积极开拓 功率 MOSFET 芯片代工供应渠道，产品芯片代工产充足。在下游需 求驱动下，芯片产品销售额仍有增长。

根据新洁能所在行业为半导体分立器件行业，选取国内同行业可比上 市公司为扬杰科技、华润微、捷捷微电、闻泰科技和立昂微。

预计公司 2020-2022 年收入分别为 9.3/12.1/16.2 亿元，归 属母公司净利润分别为 1.5/2.0/3.0 亿元，2021-2022 年市盈率分别为 83/55 倍。