1.应用领域
面向mini、micro-LED、垂直LED结构、自支撑GaN单晶衬底方面,利用紫外脉冲光加工的方式通过背面从衬底一面入射到GaN和蓝宝石界面处将一层GaN分解,产生Ga和N2,从而将GaN材料从衬底上面剥离的一种工艺。
2. 技术指标
衬底尺寸:小片、2寸、4寸及6寸;
薄膜厚度:1um~500um;
表面结构:平面blank图形、已经形成金属化结构的图形;
激光波长:248nm,266nm或者其他紫外波段激光器;
扫描方式:大面积扫面、局部扫描方式;
载体类型:电镀Cu、PVD Cu薄、Si 基键合片及其他衬底;
激光能量:从200~600mJ/cm2不等。
3. 测试评价
扫描电镜:观察激光剥离衬底与GaN界面,观察剥离效果;
XPS分析:分析剥离后的被剥离表面的化学价状态。
FIB分析: 定点纵切,获取异常点的剥离状况分析;
4. 服务价格
后续按照根据难度和加工要求,评估收费,一般从500/次起;
5. 参考文献
方圆,郭霞等,激光剥离技术实现GaN薄膜从蓝宝石衬底移至Cu衬底。激光与红外,2007,37(1):62-64
页面更新:2024-05-15
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