1. LPCVD简介
LPCVD--Low Pressure Chemical Vapor Deposition低压力化学气相沉积,是化学气相沉积中的一种,LPCVD拥有很均匀的阶梯覆盖性、很好的组成成分和结构的控制、高的output(通常一次可以生长50pcs甚至更多),另外LPCVD不需要载气,因此大大降低了颗粒的污染;
在半导体制程中,采用低压的目的是减小自掺杂(来自衬底本身的杂质),而这正是常压CVD面临的主要问题,LPCVD可以很好的解决这一问题。
2. LPCVD一般工艺流程
装片——进舟——反应腔室抽真空——充N2吹扫并升温——再抽真空——保持压力稳定后process——关闭气体并重新抽真空——充N2至常压——取片。
3.米格实验室LPCVD服务
表一:化学配比的氮化硅,通常用于硅腐蚀掩模
表二:低应力氮化硅,通常用于光学薄膜或振动薄膜
表三:低应力多晶硅,通常用于结构层
表四:非晶硅,通常用于光学薄膜
表五:TEOS SIO2,可用于牺牲层和光学膜
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页面更新:2024-05-30
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