三星又双叒叕挑衅台积电,全球首秀3nm芯片,预计明年量产

在半导体行业,老大就那么几个,而台积电和三星无疑就抢了全球半导体产业的大部分市场,这也就造成了,全球缺芯,居然是因为这两家产不过来的错。


虽然无奈,但是却很现实。


作为排名第二的三星,一直不忍落后台积电,全力追赶。


三星又双叒叕挑衅台积电,全球首秀3nm芯片,预计明年量产


台积电目前的实力的确很强,占了全球一半的芯片份额。

尤其是在高端芯片上,台积电有着不可撼动的地位。


目前苹果基于Arm架构的M1处理器,就是台积电5nm芯片的产能大户,市场对于搭载苹果A14 Bionic芯片的iPad AiR需求也很旺盛,所以在5nm芯片方面的订单也很稳。


并且据爆料称,苹果很可能会在今年下半年让台积电开始3nm工艺芯片的风险试产。

预计明年台积电就会把3nm的产能提高到一月5.5万块。


三星又双叒叕挑衅台积电,全球首秀3nm芯片,预计明年量产


这个速度或许会让三星汗颜,所以三星毫不示弱。


在IEEE ISSCC国际固态电路大会上,三星首秀3nm工艺储存芯片,一颗SRAM芯片,把电压做到了0.23V,是全球首次。


我们常说的芯片一直是处理器,可是这一次三星在储存芯片上大发力,把SRAM芯片做到这个份上也是很强。


三星又双叒叕挑衅台积电,全球首秀3nm芯片,预计明年量产


三星在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术,实现了晶体管技术的一大突破,这一颗3nm SRAM芯片用的是MBCFET(多桥通道场效应晶体管),容量256Gb,面积56平方毫米,写入电流只需要区区0.23V。


这意味着这一块芯片只需要超低的功耗,就足够完成大部分的任务。


三星又双叒叕挑衅台积电,全球首秀3nm芯片,预计明年量产


这相当于台积电受到了来自三星的一次挑衅,仿佛在说,3nm工艺上,我也不差。


根据爆料称,三星3nm工艺的芯片也即将在2022年进行大规模量产。


这个速度可以说是直追台积电,而且这一次的GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术,甚至比台积电继续使用FinFET技术的3nm,表现要更好。


三星又双叒叕挑衅台积电,全球首秀3nm芯片,预计明年量产



虽说台积电目前的客户已经占到了大多数全球高端科技企业,可是如果这一次三星不翻车的话,很可能台积电芯片大佬的地位将会被撼动。



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页面更新:2024-05-06

标签:三星   大佬   栅极   芯片   全球   晶体管   量产   产能   爆料   处理器   效应   地位   明年   速度   苹果   工艺   数码   技术

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