硅:“除了芯片我还可以做高密度硅电池”

在研究锂离子电池 硅阳极 时,美国科学家成功模拟了导致阳极性能快速下降的关键机制。科学家表示,了解硅膨胀和随后分解的原因是防止这种情况的重要一步,也是生产长期高容量电池的重要一步。

硅:“除了芯片我还可以做高密度硅电池”

在目前研究的许多改进的储能技术中,以硅取代石墨是最突出的,近年来,由于硅的储能潜力是石墨的10倍,硅阳极的研究取得了很大进展,一些公司正在走向商业化和大规模生产。然而,要实现硅在储能方面的潜力,仍然存在挑战,在研究阶段还有很多工作要做。

主要的挑战是当锂离子进入材料时,材料会膨胀。最终,这将导致阳极开裂、剥离或以其他方式解体,其原始结构无法恢复。许多提议的解决方案,如阳极涂层和使用多孔硅,已经显示出积极的效果。

硅:“除了芯片我还可以做高密度硅电池”

但是,到目前为止,很少有研究人员深入研究电池循环期间阳极的工作机理,在原子水平上发生的情况也存在差异。太平洋西北国家实验室(PNNL)的科学家王崇民说:“很多人都想象过会发生什么,但以前没有人真正证明过。”

太平洋西北国家实验室的研究团队将改变这种情况。他们将使用两种复杂的成像技术,敏感元件层析成像和低温扫描透射电子显微镜,结合先进的算法,观察这一过程的运行情况。研究发现,锂阳极实际上向硅结构推进,然后回流,在结构中留下巨大的间隙。这些空隙随后被硅中固体电解质的发展填充,在阳极中形成一个“死区”,该死区迅速增加,从而导致显著的容量损失。

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页面更新:2024-03-31

标签:层析   死区   电池   电子显微镜   阳极   太平洋   石墨   高密度   科学家   芯片   潜力   实验室   容量   发生   结构   情况   材料

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