英特尔宣布全新工艺制程命名规则：12代酷睿10nm变4

7 月 27 日消息 英特尔今日凌晨进行了 " 工艺与封装路线 " 在线直播，宣布了全新的工艺制程命名规则。原定用于12代酷睿的10nm增强型SuperFin工艺改为Intel 7，原定的7nm改为Intel 4，未来还有Intel 3、Intel 20A等。

英特尔透露，“Intel 7”节点现已量产，与10nm SuperFin相比，每瓦性能将提高10%至15%，该节点将用于12代酷睿Alder Lake消费级处理器和Sapphire Rapids数据中心处理器。

而在Intel 3之后，英特尔将转为用“ 埃米 ”作为单位命名（1埃米=0.1纳米），届时将放弃FinFET晶体管技术，采用全新的RibbonFET晶体管架构（GAA），以及PowerVia供电技术。

所谓的Intel 7虽然没有7nm字样，但可以理解为就是英特尔的7nm。毕竟根据晶体管密度的指标来看，11代酷睿移动版采用的10nmSuperFin就已经超过台积电的7nm了，未来的4nm预计也将领先于台积电的4nm。因此继续使用旧的命名，会让英特尔在与竞争对手的宣传比拼上吃亏。

此外，英特尔确认 Meteor Lake 将使用 Foveros 封装技术，它将支持 5 至 125W 的 TDP 范围。英特尔 Meteor Lake 应作为继 Raptor Lake 之后的第 14 代酷睿系列首次亮相，预计将于 2022 年末推出。2023 年下半年，英特尔将推出英特尔 3。该节点将提供 18% 的 perf/watt 提升。

英特尔还承诺增加 EUV 的使用。英特尔 20A 节点将在 2024 年上半年推出。A 代表埃，为 0.1nm，20A 也就是 2nm。该节点将引入一种新的晶体管架构，称为 RibbonFET 和 PowerVia 互连创新。英特尔未确认哪款产品将使用英特尔 20A 节点。