一直以来，全球半导体代工双雄——台积电和三星在先进工艺制程方面总是处于你追我赶的竞争之中。5月下旬，台积电方面透露，其3nm芯片研发进展超乎想象，预计今年下半年就可以试产，而到明年年终，则有望大规模量产3nm芯片。这对三星而言，就是“惊天大雷”，但该巨头已经有所准备，刚刚对外公布了一则重磅消息。

三星宣布3nm芯片成功流片

据外媒报道，三星宣布，3nm制程技术已经正式流片。据介绍，三星的3nm制程采用的是GAA架构，性能优于台积电的3nm FinFET架构。

报道称，三星在3nm制程的流片进度是与新思科技合作完成的，目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方法。因为三星的3nm制程采用不同于台积电或英特尔所采用的FinFET的架构，而是采用GAA的结构。因此，三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。

在技术性能上，GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性，可满足某些栅极宽度的需求。而这主要表现在同等尺寸结构下，GAA的沟道控制能力得以强化，借此给予尺寸进一步微缩提供了可能性。

此次流片是由Synopsys和三星代工厂合作完成的。此前，三星曾在2020年完成3nm工艺的开发，但开发成功并不意味着，不过那并不意味着三星的产品最终进入量产的时间可以确定。伴随着此次成功流片，三星3nm芯片大规模量产的时间节点已经正式临近。

3nm进展，台积电依然领先一步

三星3nm流片成功，这对芯片行业无疑是一个重磅消息。不仅给了全球半导体更大的市场空间，也让各大巨头们开始加速3nm的研发设计。

但综合来看，距离芯片代工霸主台积电还是落后一步。据悉，台积电在多年前就已开始研发并谋划3nm量产事宜。

据透露，他们3nm工艺的研发在按计划推进，同5nm工艺相比，3nm工艺将使晶体管的密度提升70％，性能提升15％，能耗最高可降低30％。同时，据悉3nm将在今年下半年风险试产，并将在2022年大规模量产的消息。结合外媒报道台积电从先后在美国投资建立5nm、3nm芯片工厂这一点也足以看出苗头，其3nm工艺成熟在望。

晶圆代工格局难变

在芯片荒席卷全球之际，整个制造业都受到了很大的影响，但对于半导体行业而言，却是另一股机遇。

本月初，台积电公布了上一个月的营收，今年5月份台积电的营收为1123.6亿新台币，折合约40.56亿美元。相比去年5月份938.19亿新台币的营收，同比增长19.8%。

目前，台积电已经开始为下一代苹果iPhone机型交付芯片，这些芯片收入将体现在6月份的营收中。台积电第二季度营收将保持平稳增长态势，并有望实现2021年销售额增长20%的目标。整个第一季度，全球十大晶圆代工厂总营收达到了227.5亿美元，其中台积电独揽129亿美元，相比排名第二的三星41亿美元，领先优势明显。

当2022年-2023年台积电与三星的3nm都量产时，虽然双方的竞争将更加激烈，但目前半导体晶圆代工格局短时间很难改变。