一、LED龙头突进半导体领域

三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、III-V族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售，产品性能指标居国际先进水平。公司凭借强大的企业实力，继2014年扩大LED外延芯片研发与制造产业化规模、同时投资集成电路产业，建设砷化镓高速半导体与氮化镓高功率半导体项目之后，2018年三安光电在福建泉州南安高新技术产业园区，斥资333亿元投资III-V族化合物半导体材料、LED外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频滤波器、电力电子、SIC材料及器件、特种封装等产业。

1 携手产业基金，从LED向半导体迈进

三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、化合物太阳能电池及III-V族化合物半导体等的研发、生产与销售，总部及产业基地布局在厦门、天津、安徽、福建等多地。

从LED到化合物半导体，产业链垂直化整合布局。公司从III-V族化合物半导体材料应用开始，以芯片为核心主业，分为可见光、不可见光、通讯以及功率转换等领域。一方面，公司传统的可见光业务迅速发展，LED产能不断扩张，并紧随行业发展趋势，积极布局新应用领域MiniLED、Micro-LED等；一方面，公司积极推进不可见光业务布局，稳步推进砷化镓PA和氮化镓电力电子集成芯片国内外客户验证，进一步推进光通讯和滤波器业务布局。传统业务与新型业务齐头并进，巩固公司行业龙头地位。

2 LED逐渐见底企稳，行业出清加速

2019年，公司实现营业收入74.60亿元，同比下降10.81%；归母净利润为12.98亿元，同比下降54.12%。2020Q1，公司实现营业收入16.82亿元，同比下降2.74%；归母净利润为3.92亿元，同比下降36.95%。2020Q1，LED主业受疫情影响较大，3月份销售收入才得到有效提升，化合物半导体进展顺利。

研发强度继续增强，针对化合物半导体及高端LED做重点投入。2019年，公司研发费用为1.97亿元，同比增长36.44%。公司聚集了一批国内外一流的半导体研发技术专家，2019年公司研发人员数量为2099人，占公司总人数的17.33%，同比增长347人。三安集成认可度和行业趋势已现，各产品线取得明显进展。三安集成在2019年全年实现收入2.41亿元，同比增长40.67%；2020Q1实现收入1.66亿元。2019年，砷化镓出货客户累计超过90家；氮化镓产品重要客户实现批量生产，产能爬坡；电力电子客户累计超过60家；光通讯向高附加值产品突破；滤波器产品有望在2020年实现销售。

三安光电作为化合物半导体龙头企业，LED主业逐渐趋稳，格局优化、产能出清，在砷化镓、氮化镓、碳化硅及滤波器等领域积极布局，预计公司的化合物半导体业务将逐步起量。

三安光电作为行业龙头，毛利率一直领先于同行。三安在技术、规模等方面具有优势，随着LED产能的出清，三安光电在LED行业有望进一步巩固其行业龙头地位。三安光电保持一定的扩产速度，在相对竞争优势下，份额还有望进一步提升。等LED行业触底回暖，利润弹性将进一步增加。

二、向外拓展，深度布局化合物半导体

1 化合物半导体优势无数，下游应用渗透不间断

第二代化合物半导体典型代表为GaAs，第三代化合物半导体典型代表为GaN、SiC。半导体材料可分为单质半导体及化合物半导体两类，前者如硅（Si）、锗(Ge）等所形成的半导体，后者为砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多。

化合物半导体主要应用于（1）光电子，如LED、激光器等；（2）射频通信，如PA、LNA。开关、滤波器等；（3）电力电子，如二极管、MOSFET、IGBT等。

三大化合物半导体材料中，GaAs占大头，主要用于通讯领域，全球市场容量接近百亿美元，主要受益通信射频芯片尤其是PA升级驱动；GaN大功率、高频性能更出色，主要应用于军事领域，目前市场容量不到10亿美元，随着成本下降有望迎来广泛应用；SiC主要作为高功率半导体材料应用于汽车以及工业电力电子，在大功率转换应用中具有巨大的优势。

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄，由于性能不同，二者的应用领域也不相同。由于氮化镓具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子速率大、热导率高、化学性质稳定和抗辐射能力强等优点，成为高温、高频、大功率微波器件的首选材料之一。

根据CASA，我国第三代半导体总产值约7423亿元（包含半导体照明）。2018年我国第三代化合物半导体电力电子产值近12.3亿元，同比增长13%；微波射频产值36.7亿元，同比增长20%；光电（主要为半导体照明）产值约7374亿元，同比增长13%。

根据CASA统计，2018年国内市场SiC和GaN电力电子器件的规模约为28亿元，同比增长56%，预计未来五年复合增速为38%。GaN微波射频应用市场规模约为24.49亿元，未来5年复合增速有望达60%根据CASA，我国功率半导体市场国产化程度低，其中IGBT约90%依靠进口。SiC、GaN在电力电子领域渗透率约1.5~1.9%，SiC、GaN电力电子同样90%依赖于进口，主要为Cree、英飞凌、Rohm，国产的功率器件目前仅在SiC二极管有量产销售突破。

第三代半导体材料器件在太阳能光伏、新能源汽车和工业及商业应用三个领域取得较大进展。我国第三代半导体电力电子器件领域主要应用于工业及商业电源、消费类电源（PFC）、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、新能源汽车和工业电机等。其中，电源领域是第三代半导体电力电子器件领域最大的市场，规模约为16.2亿元，占到整个第三代半导体电力电子器件市场规模的近58%。光伏逆变器中SiC渗透率也逐年提升，目前规模达到6.8亿元，渗透率有望到20%。新能源汽车领域第三代电力电子器件市场规模目前1.5亿元，同比增长87%，主要来自于充电桩贡献，新能源整车市场仍未起航，器件的渗透率有待进一步提升。据CASA测算，2018年新能源汽车上功率电子器件的市场规模高达6亿元，而第三代半导体电力电子器件的市场规模仅1700万元。直流充电桩为例，电动汽车充电桩中的SiC器件的平均渗透率达到10%。

2布局化合物半导体，进入收获期

由三安光电研发的III-V族化合物半导体材料的应用领域从原有的LED外延片、芯片，延伸到了光通讯器件、射频与滤波器、功率型半导体三个新领域，基本涵盖了今后III-V族化合物半导体材料应用的重要领域。这一布局，除了将为三安光电每年在营收上带来贡献，进一步扩大公司体量。

目前三安集成全工艺平台布局，在HBT、pHEMT、GaN以及碳化硅领域均进行工艺开发及工艺鉴定试验：

根据三安集成官网所示，三安公布商业版本的6英寸碳化硅晶圆制造流程，宣布完成全部工艺鉴定试验，并将其加入到代工服务组合中。公司目前生产的碳化硅晶圆，是用于电力电子中电路设计的最成熟的宽禁带（W BG）半导体，可以为650V、1200V和更高额定肖特基势垒二极管（SBD）提供器件结构，不久后会推出针对900V、1200V和更高额定肖特基势垒二极管的碳化硅MOS场效应晶体管工艺（SiC MOSFETs）。另外在近日三安集成宣布推出针对应用于数据中心AOC、光模块基于其GaAs技术平台的高速25G VCSEL芯片组及阵列系列，可以结合三安集成的25G 850nm PD芯片，为客户提供全套的低功耗、极具成本效益的25G收发组合芯片。以及同时宣布，应用于高速宽带接入网络的10G APD芯片系列完成开发并进入批量生产阶段，进一步丰富三安集成的光电产品系列。

三、氮化镓：高频率、高功率，面向射频及电力电子领域

1、GaN适用于高频、高功率、低压，硅基GaN快速兴起

GaN开关器件在理论上有至少10倍于SiMOSFET器件的开关速度。在一些高频领域具备很好的性能优势。GaN器件的开关延时很短，导通损耗和开关损耗低，工作频率高。因而在软开关状态下比SiMOSFET优势器件优势明显。

GaN主要在低压（0~400V）、高频应用，以及一些要求高效率或者小型化的领域具有竞争优势，比如ITC电源，笔记本电脑适配器，以及高频应用，如激光雷达驱动，高频无线充电，包络跟踪等。

GaN市场方兴未艾，众多厂商纷纷布局。IDM厂商包括Cree、Qorvo、住友电工等。代工厂商包括台湾稳懋、Cree。外延片厂商包括英国IQE。SiC衬底包括Cree、II-VI等。国内制造及ID M主要由三安集成（三安光电）、海威华芯、苏州通讯、中电科；国内设计包括远创达、Ampleon；国内SiC衬底有天科合达、天岳、中电科。GaN衬底及外延片均受海外厂商主导。GaN产业链包括衬底、外延、芯片设计、芯片制造、封测、应用等垂直分布环节。日本厂商在GaN衬底占据领先位臵，以2~3英寸为主，GaN衬底单价较高，主要面向科研、激光显示、射频、电力电子等高端市场。在外延片方面，4~6英寸Si基GaN外延片已经实现量产，目前市场份额最高的是住友电工、Cree、Qorvro等三家厂商。Cree收购整合wolfspeed，在基于SiC衬底的GaN具有较强技术优势，具有较高电子迁移率。住友电工也是RFGaN器件的市场领导者。Qorvo的GaN产品在国防和航天领域市占率第一名。富士通、东芝、三菱电机等也在积极布局。

2、射频领域：5G基站、军工是GaN重要成长驱动

氮化镓作为一种宽禁带半导体，具有高功率密度、低能耗、适合高频率、支持宽带宽等特点，是实现5G 的关键材料。GaN的禁带宽度是Si的3倍，击穿电厂是Si的10倍，因而在电力电子领域用于替代Si作为化合物半导体器件。同时，GaN拥有更高效率、更大带宽、更高功率，可以输出更高的频率，因而广泛应用于射频领域。RF GaN复合增速为22%，下游应用领域以军工、基站为主。根据Yole，RFGaN市场会从2018年的6.45亿美元增长至2024年的20.01亿美元，复合增速为21%。从应用结构上看，2018年分别为基站3.04亿美元、军工2.70亿美元、卫星通信0.37亿美元。

RFGaN器件应用广泛，渗透率为25%。RF GaN器件已成功应用于众多领域，广泛应用于基站、雷达和航空中，对LDMOS形成较强替代相应。据Yo le统计，2018年全球3W以上GaN射频器件（不含手机PA）市场规模达到4.57亿美元，在射频器件市场（包含SiLDMOS、GaAs和GaN）的渗透率超过25%，同比提升5个百分点。未来5~10年，GaN有望取代LDMOS，成为3W以上的RF功率应用主流技术。基站建设将是RFGaN市场成长的主要驱动力之一。根据Yole，2018年基站端氮化镓射频器件市场规模需求3.04亿美元，到2023年达到7.52亿美元。根据CASA预估，全球移动通信基站射频功率器件市场规模约10亿美元，国内中兴、华为、大唐总需求约3~4亿美元，GaN渗透率目前约8~12%。空间巨大且正在快速渗透。

预计未来我国GaN器件市场保持高双位增长。根据CASA预计，2018年我国第三代半导体微波射频电子市场规模约24.5亿元，同比增长103%。预计2018~2023年未来五年我国GaN射频器件市场年均增长率达到60%，2023年市场规模将有望达到250亿元。国防、航天领域GaN器件市场规模持续放大，民用市场悄然兴起，2017年达到2.35亿元。从细分领域，无线基础设施是最大也是未来发展最快的市场，我国2018年GaN射频市场需求达到9亿元，同比增长翻两番。除此在外，GaN在汽车、无人机、无线专网、无线通讯配套直放站等领域也开始渗透。

化合物半导体芯片性能与材料、结构设计和制造工艺之间的关联性较强，因此很多企业采用IDM模式。例如Rohm和Cree整合了SiC从衬底到模组的全产业链环节；Mitsubishi Electric和Fuji Electric整合了芯片到终端应用系统。国内士兰微、世纪金光、泰科天润都是IDM模式为主。GaN产业链也有许多Fabless企业，如EPC、Dialog、GaN system等，委托台积电等企业代工。

3、电力电子：快充应用快速增长，汽车潜在空间大

GaN材料的功率器件在更高的电压、频率和温度下运行。GaN具有禁带宽度大、击穿电场高、饱和电子速率大、热导率高、化学性质稳定和抗辐射能力强等优点，成为高温、高频、大功率微波器件的首选材料之一。GaN器件适用于高电压、高频率的开关，可以做到更轻薄、功率密度更高。根据IHS数据，GaN功率器件市场复合增速高达30%，到2027年预计超过10亿美元。通信、汽车、工业市场是GaN功率器件的主要驱动力。具体而言，GaN电力电子领域主要增长点在于快充、电源PFC、高频激光雷达和无线充电领域。GaN电力电子器件成本迅速下降，将逐渐在性价比上具有优势。据IHS Markit预测，到2020年GaN电力电子晶体管在同等性能的情况下，将会达到与SiMOSFET和IGBT持平的价格，到2024年GaN电力电子器件市场预计将达到6亿美元。GaN电力电子器件有可能凭借成本优势，取代价格较高的SiCMOSFET成为2020年代后期逆变器中的首选。

行业跟踪下来，目前氮化镓快充价格普遍在150~200元，BOM预计不低于40~60元，其中氮化镓功率芯片+驱动芯片占BOM比重预计不会低于10%，同时高端版本用量预计不少于两颗。短期情况、中期及远期空间测算（暂不考虑降价）：

• 目前：1-2亿只快充市场，30W以上基本采用氮化镓方案500-1000万，对应整体市场空间2.5-5亿，氮化镓器件市场空间2500万-5000万元；
• 中期：快充渗透率提升至50%，对应5亿只左右市场容量，30W以上成为标配，对应整体市场空间250亿元，氮化镓器件市场空间25亿元；
• 远期：快充渗透率提升至100%，对应12-15亿只市场容量，60W以上成为标配，氮化镓单机用量翻倍，整体市场空间对应600-750亿元，氮化镓期间市场空间60-75亿元；

目前，GaN功率器件主要由EPC、GaN Systems、Transphorm和Navitas等纯GaN初创公司主导的，并通过TSMC、Episil和X-FAB代工生产的。国内的新兴代工厂中，三安集成和海威华芯具有量产GaN功率器件的能力。安世半导体主要生产Si分立器件、逻辑芯片和PowerMos芯片等产品，此外也开始布局第三代半导体电力电子器件产品。2018年4月19日，Cree宣布与安世半导体签署非排他性、全球性的付费专利许可协议。通过这一协议，安世半导体将有权使用Cree的GaN电力电子器件专利组合，包括了超过300项已授权美国和国外专利，涵盖了HEMT（高电子迁移率场效晶体管和GaN氮化镓肖特基二极管的诸多创新。

四、砷化镓：扎根消费电子射频领域，Vcsel带动更大增长

相较于第一代硅半导体，作为第二代化合物半导体的砷化镓具有高频、抗辐射、耐高温、发光效率高等特性，因此广泛应用在主流的商用无线通信、射频、光电子光通信以及国防军工用途上。

从砷化镓的制作工序上来看，由于海外在该领域的提前布局，目前砷化镓无论是外延片又或是晶圆制造环节均以海外为主。根据StrategyAnalytics统计，在2018年外延片方面以IQE公司市场占有率最高，达54%；其次是VPEC市占率达25%；Su mitomo Chemicals排第三，市占率达13%。而在砷化镓的晶元制造环节也同样以欧美国家为主，目前稳懋在砷化镓晶圆制造领域占据了71%的市场规模，其次为宏捷与环宇。

砷化镓的制造过程中，代工厂壁垒高铸，新晋者较少。由于代工厂方面需要漫长且严谨复杂的客户验证环节，再加上对于砷化镓制作工艺的复杂，砷化镓行业长期以来市场较为集中。而同样已在该行业内的领先厂商由于长时间沉浸于中，更具备成本以及效率的生产模式，因此对于新晋者而言，想要进入该行业将会极具挑战。

五、碳化硅：高压、大功率器件核心材料，新能源汽车驱动成长

SiC衬底处于行业上游，1970年代SiC单晶生长方法取得突破，1990年代SiC衬底实现产业化。SiC衬底制备技术一直处于高速发展阶段，近年来以SiC 基MOSFET 为代表的双极性器件制备技术的快速发展。但是，SiC外延材料和SiC基电力电子器件电子器件性能及其可靠性仍然受到衬底结晶缺陷、表面加工质量的制约。此外，SiC衬底成本占比较高也是重要限制因素。

目前SiC半导体仍处于发展初期。晶圆生长过程中易出现材料的基面位错，以致SiC器件可靠性下降。另一方面，晶圆生长难度导致SiC材料价格昂贵，预计想要大规模得到应用仍需一段时期的技术改进。目前市场上SiC产品主要包括SiC二极管、SiCMOSFET、SiC二极管与SiCMOSFET构成的全SiC模块、以及SiC二极管与SiIGBT构成的混合模块这四大类产品。SiC裸片目前主要出售给大客户。SiC二极管在挖矿机、数据中心电源、充电桩中有批量的商业应用。SiCMOSFET应用于PV逆变器、充电桩、电动汽车充电与驱动、电力电子变压器等。SiC主要用于大功率高频功率器件。目前SiC基电力电子器件已经广泛应用于光伏、功率因子校正电源、汽车、风电及牵引机车行业。

未来5年内驱动SiC器件市场增长的主要因素将由SiC二极管转变为SiCMOSFET。目前，SiC电力电子器件市场的主要驱动因素是功率因数校正（PFC）和光伏应用中大规模采用的SiC二极管。然而，得益于SiCMOSFET性能和可靠性的提高，3~5年内，SiCMOSFET有望在电动汽车传动系统主逆变器中获得广泛应用，未来5年内驱动SiC器件市场增长的主要因素将由SiC二极管转变为SiCMOSFET。根据研究机构Rohm预测，2025年SiC功率半导体的市场规模有望达到30亿美元。在未来的10年内，SiC器件将开始大范围地应用于工业及电动汽车领域。纵观全球SiC主要市场，电力电子占据了2016-2017年最大的市场份额。该市场增长的主要驱动因素是由于电源供应和逆变器应用越来越多地使用SiC器件。

六、向下游布局SAW滤波器，直指终端应用

射频前端模块是移动终端通信系统的核心组件，对它的理解可以从两方面考虑：

• 必要性：它是连接通信收发器（transceiver）和天线的必经之路；
• 重要性：它的性能直接决定了移动终端可以支持的通信模式，以及接收信号强度、通话稳定性、发射功率等重要性能指标，直接影响终端用户体验。

而射频前端芯片内包括多种器件，其在多模／多频终端中发挥着核心作用：1.功率放大器-PA；2.滤波器-Filter；（公司积极向SAW延伸布局）3.低噪声放大器–LNA；（公司主营业务之一）4.天线开关-Switch；（公司主营业务之一）5.双工器-Duplexer 和Diplexer。

七、LED行业逐渐触底，Mini/Micro推动新成长

1 应用场景巨大，国内产能出清静待渗透率逐步提高

LED应用市场保持高速发展，细分应用领域发展呈现不同的特点。LED广泛应用于路灯照明、建筑景观照明、交通信号灯、显示屏、LCD背光源、汽车照明、室内普通白光照明、农业生产用人工光源、医疗用光源、航空照明用光源等具体领域。其中通用照明、景观照明、显示等传统替代应用市场稳步增长，汽车照明、植物照明、医疗照明等细分市场快速增长，智慧路灯、小间距显示、灯丝灯、UV LED、IR LED等成为等新兴应用逐步成为市场热点。

再看到LED在通用照明领域的渗透率情况，在2012年仅有25%的渗透率，但是至2018年已经达到了48%。2012年至2018年提高的23%的渗透率也一定程度帮助中国LED市场规模的提高，从2012年中国LED市场规模的1590亿元一路高速发展至2018年的5985亿元。作为最大的应用场景的通用照明我们认为后续由于LED的优势，其渗透率将会持续提高，帮助中国及全球市场的继续增长，一定程度上消化目前过剩产能的现状。

市场规模的不断增长，而三安光电同样也在不断扩大其市占率。根据前瞻和拓璞产业研究院的统计，在中国LED市场三安光电占据了第一的位臵，市占率达到了31%；而至全球LED芯片的市占率，三安光电则在2018年占据了28%，较2017年进一步的提高。虽然当下时点LED产能有所过剩，但是得益于LED渗透率的持续提高以及市场规模的扩大，同时中小产能逐步出清，我们认为三安在这个正在冬季的行业将会撑到最后，成功突围迎接曙光。

2 Mini/Micro LED新型显示技术打开长期成长空间

三安光电于2015年初开始布局Mini LED及Micro LED的研发产业化项目，目前在国内外LED芯片厂商中处于领先地位。Micro LED是小间距技术发展到一定阶段后的产品，代表LED的微缩化与矩阵化技术。为使LED显示屏在手机手表等小屏幕上仍能保持较高分辨率，其点间距为1-100微米，是目前最先进的P0.7小间距屏点间距的1/700-1/7。其摒弃了传统的芯片封装结构，通过转移技术将裸LED芯片直接连接于TFT驱动基板上，每个Micro LED为一个像素，实现对每个芯片放光亮度的精确控制，进而实现图像显示。

从Micro LED的应用角度来看，考虑其特点，室内显示屏与可穿戴设备或将是首先渗入的领域。室内显示屏方面，Sony率先发力，2012年推出Crystal LED Display产品作为Micro LED技术雏形，接着2016年开发出CLEDIS等显示屏产品，并已发力开拓商业化市场。可穿戴设备方面，苹果通过收购台商LuxVue Technology，取得多项Micro LED专利技术，与Sony相反，其点亮6英寸FHD Micro LED试点项目，计划首先将Micro LED运用于以Apple Watch为代表的智能手表，尝试通过可穿戴设备引领Micro LED需求热潮，同时，从Micro LED的技术特点及寿命优势出发，汽车显示可能是Micro LED下一个适合的应用领域，但由于其较长的认证周期，汽车领域的应用开展速度可能相对较慢。另外，考虑到技术进一步深化，VR/AR设备、室内外大屏显示等也是相当具可行性和开发潜力的市场。

3行业库存下降，LED行业逐渐筑底企稳

犹如前文所述，LED行业在过往的情况为产能过剩，进而带动了LED行业的价格战，因此我们也看到LED行业的公司盈利能力经历着一定的下滑。但是也因为随着LED价格跌至成本之后，中小厂商的产能也逐步的出清。但更为重要的是LED行业中较为纯粹的华灿光电以及聚灿光电在2019年来库存及库存水位明显下降，与之同样下降的还有公司的库存周转天数。华灿光电在19Q1存货达到了近年历史的最高点后，已经呈现两个季度的下降，存货水位也从19Q1的282.6%下降至19Q3的64.6%，对应存货周转天数也从19Q1的241天下降至19Q3的179天。

对于聚灿光电来看，公司在19Q2存货达到了近年历史的最高点后，也已经呈现两个季度的下降，而存货水位也从2018全年的37%下降至2019年的16%，同比下滑较大。对于存货周转天数而言，无论是环比又或是同比均下降明显。

4定增募资，加大砝码布局

公司于2019年11月公告将非公开发行A股股票预案预计将募集70亿元投资于半导体研发与产业化项目（一期），根据公司对项目的预测，项目达产后预计实现年销售收入82.44亿元，对应净利润19.92亿元，将显著增厚公司业绩。

八、盈利预测

从LED板块而言，三安光电作为全球龙头占据第一市占率的同时，行业产能过剩带来的寒冬将会出清一批中小产能，从而帮助改善行业过剩的现状，以及让行业集中度进一步提高；同时随着LED渗透率的不断提高，市场规模的持续增长也将一定程度上缓解LED行业的过剩。再到LED行业未来的新发展：MiniLED以及MicroLED，三安光电具备产品技术的优势，另外公司也投入约138亿元继续深耕LED全产业链，认为公司将会在LED板块多维度受益。

而至化合物半导体及其他半导体领域，随着全球半导体市场的不断复苏以及射频领域的巨大新需求，公司积极卡位氮化镓、砷化镓、碳化硅、以及其他半导体器件领域，同时得益于目前中国国产替代大时代的推动之下，我们认为公司的化合物半导体业务将会在2020年开始逐步放量，真正进入半导体市场贡献利润。基于上述对于公司及公司所在行业的分析，我们认为公司的传统LED业务、车灯、以及废料销售业务所在行业将会在2020年逐步进入上升通道，同时由于公司在行业的龙头地位，我们预计公司在2020年的市占率将会进一步扩大。与此同时公司在毛利率方面也将会随着各业务的回升逐步恢复。

对于公司化合物半导体业务而言，随着化合物半导体市场的逐步渗透以及战略卡位，也预计公司此项业务将快速增长。化合物半导体业务具备着高毛利率水准，但是由于公司作为新晋者，初期毛利率相对会较低，但随着规模化效应以及技术能力的逐步突破，我们预计毛利率将在后续进一步的稳定提升。

三安光电作为化合物半导体龙头企业，LED主业逐渐触底回暖，且格局优化、强者恒强；公司砷化镓、氮化镓、碳化硅及滤波器等器件积极布局，卡位下一世代半导体制造领域，率先迎来产品突破和放量。预计公司2020~2022年将实现归母净利润20.55/29.20/37.00亿元。

选取A股可比的半导体细分赛道龙头估值分析，三安光电在2020~2022年具有相对估值优势。当前位臵，认为应该积极关注三安光电的投资机会。