作为企业，最能体现价值的就是库存量、订单、销售记录等数据。这些作为企业非常核心的数据，一旦被对手掌握将处于非常被动的地位。

台积电和三星被要求提供晶圆代工相关商业数据。显示意见，只会加速芯片危机发酵，帮助英特尔快速成长，让曾经的芯片巨头再次成为芯片制造头部企业，并超越自己的竞争对手台积电和三星。目前所处环境因素来说，还是非常容易实现的。

三星3nm将反超台积电，英特尔将在2nm上领先

相比于三星在制程技术的激进，台积电则稳扎稳打，其3nm工艺将会继续采用成熟FinFET技术，并计划于2022年年中左右量产。虽然此前有传闻称台积电的3nm工艺可能也将会延迟。不过，台积电表示，“一切依时程进行”。

另外，据此前外媒的爆料显示，台积电对于更为先进的2nm工艺在2023年年底的风险试产良品率达到90%非常乐观。据此推测，台积电的2nm工艺有望将在2024年量产。

目前在晶圆代工市场，特别是在先进制程的竞赛当中，所需要的研发资金投入以及产线建设成本是越来越高。为此，在该领域目前也只剩下了台积电、三星和英特尔这三家厂商在竞争。

根据资料显示，三星计划在2030年之前投资133万亿韩元（约合1160亿美元），以期成为全球最大的半导体代工企业。台积电也计划在未来三年内投入1000亿美元。英特尔在重启晶圆代工业务之后，也宣布了超过1000亿美元的投资计划，比如在美国投资200亿美元建设两座晶圆厂，未来10年在欧洲投资800亿欧元建设至少两座晶圆厂等。

从资金的投入规模来看，作为目前全球晶圆代工市场的龙头老大，台积电在晶圆代工领域的资金投入无疑是最大的。而重启晶圆代工业务的英特尔也是来势汹汹。在此背景之下，三星的晶圆代工业务自然也将面临着更大的压力。

不过，从前面3nm工艺量产时间节点来看，三星有望在3nm上实现对于台积电的反超，并且继续领先于英特尔。而在之后的2nm制程工艺节点，英特尔有望实现对台积电和三星的反超，重新引领全球半导体制程工艺技术。但是，鉴于英特尔此前曾多次跳票的历史，外界对其在2024年量产2nm超越台积电持怀疑态度。

EUV光刻机路线图：ASML的下一代光刻设备

在科技行业，在硬件方面最受关注的公司是英伟达、苹果、高通和AMD等芯片公司，或英特尔、三星和台积电这些芯片制造公司。虽然半导体制造设备的供应商鲜为人知，但其中还有一家颇有名气的公司，那就是来自荷兰的ASML。

ASML生产用于制造从逻辑到NAND（用于 SSD、闪存等）和DRAM等几乎所有芯片的光刻设备。这些工具使用光在晶圆上“打印”特征、制造晶体管等。多年来，该行业一直使用193纳米波长的“深紫外光 (“DUV”) 光刻技术”。大约在2000年代中期，这项技术扩展到“浸没式光刻”：这项技术在透镜和晶片之间使用水。这将NA（breaking index）从大约1.0提高到大约1.35，从而将工具的分辨率提高了类似的数量。

业界预估，在32nm节点及以下节点（早在十多年前），光刻机光源步长将从193nm跃升至13.5nm，后者称为极紫外或EUV，这将大大提高分辨率，以继续摩尔定律的惊天缩放。NA从1.35下降到0.35可以部分抵消波长的这种改善。

然而，与商用DUV工具的约300WPH相比，早期的EUV工具的吞吐量极低，仅为每小时10-40个晶圆的订单（“WPH”）。这种低吞吐量意味着该工具在商业上不可行。这导致了多年的延误，因此ASML投资解决这些问题。

与此同时，为了继续微缩，业界发明了“多重图案化”方案：这些技术多次曝光晶圆以创建一个特征，需要多个“掩模”。顺便说一句，这也是英特尔在14纳米和10纳米中遇到大量良率问题的原因之一。

最终，在过去几年中，这些EUV工具已经实现了商业化，台积电5nm是第一个旨在在多层上广泛使用EUV的节点。该节点自2020年开始量产。

总之，从DUV（193nm光）到EUV（13.5nm光）的过渡对延续摩尔定律起着重要作用。而ASML是世界上唯一一家可以提供EUV工具的公司。