应用材料推出两款3D微缩新设，瞄准下一代AI芯片制造

当地时间6月15日，半导体设备龙头应用材料（AppliedMaterials）正式推出两款面向先进芯片制造的全新系统——Centris™Spectral™SiNALD（氮化硅原子层沉积系统）与Producer™Selectra™MoEtch（钼选择性刻蚀系统），旨在解决高深宽比三维结构中精密加工的核心难题，进一步推动逻辑芯片与存储芯片的制程延伸。

AI算力需求的爆发式增长，正加速半导体行业全面向三维器件架构转型。无论是面向高端逻辑芯片的GAA（全环绕栅极）晶体管，还是依靠堆叠层数提升容量的3DNAND闪存，器件结构都呈现出更深、更窄的特征。传统沉积与刻蚀工艺难以在垂直立体结构中实现材料自上而下的均匀处理，极易造成薄膜厚度不均、刻蚀轮廓畸变等问题，进而引发器件电气性能劣化、生产良率下滑。应用材料半导体产品集团总裁PrabuRaja博士表示：“从晶体管结构到存储堆叠，芯片制造商需要在极度复杂的三维架构中，找到精确沉积与选择性去除材料的新方法。”

两款设备分别瞄准沉积与刻蚀两大核心工艺环节。CentrisSpectralSiNALD采用创新高密度微波等离子体技术，能够在高深宽比的3D结构内部实现氮化硅薄膜的均匀沉积，且全程保持低温工艺条件，避免损伤周边精密器件结构。氮化硅是芯片制造中的基础功能材料，广泛用于表面钝化、介质隔离及光刻侧墙制备等工序。该设备在GAA晶体管中可形成高品质接触层衬底，有效降低关键界面的电阻与电容，提升芯片运行性能。

ProducerSelectraMoEtch则专注于钼材料的选择性去除，用于实现3DNAND的字线分离工艺。随着SK海力士375层、三星400层以上NAND相继推进量产，钼代钨已成为存储芯片突破层数瓶颈的关键材料路径，而SelectraMoEtch正是这一材料切换得以落地的重要工艺支撑。两款设备组合使用，可在先进节点上实现更均匀的材料工程，从而在逻辑和存储应用中实现持续3D微缩，提升器件性能、工艺控制精度与可制造性。

应用材料是全球唯一一家除光刻机外覆盖晶圆制造全前道工序的设备企业，被称为“半导体设备超市”。据公司介绍，上述系统已被头部逻辑与存储芯片厂商用于先进节点量产。资本市场也给出积极回应，应用材料周一收涨3.27%，股价续创历史新高。