为了实现完全自动驾驶，特斯拉与三星共同开发5纳米芯片

特斯拉已与三星达成合作，双方将共同开发一款全新的5纳米芯片，用于完全自动驾驶。

特斯拉与三星之间的合作开发芯片将采用5纳米工艺，比之前由三星为Tesla生产的HW3.0芯片使用的14纳米技术更先进。

5纳米芯片是一种新技术，仅在去年才开始大规模应用于最新的智能手机产品（例如iPhone12）。

特斯拉宣布，与上一代英伟达硬件驱动的自动驾驶“ Autopilot”相比，新芯片每秒处理帧数增加了21倍，功耗仅增加一点点。

因此，三星仍然是FSD芯片的制造商，并将芯片工艺制程提高到5纳米。早在埃隆·马斯克（Elon Musk）宣布，特斯拉已经开始开发下一代芯片。他们预计下一代芯片的性能将是2019年芯片的三倍。当时，马斯克表示，下一代芯片距离生产大约两年了。

特斯拉计划其下一代自动驾驶芯片将采用台积电的7纳米工艺。

该芯片将会交由中国台湾芯片代工厂台积电进行生产，采用7nm制程工艺以及系统级单晶元封装技术（SoW），预计今年第四季度开始投产，初期投产规模约2000片，2021年四季度才会大规模量产。

目前，英特尔在芯片制造技术方面落后于台积电和三星。毕竟，英特尔无法量产7nm制程的芯片，而台积电和三星将在2022年生产3nm制程的芯片。

它还使用三星的5nm制程芯片。

如今，韩国媒体报道特斯拉正在与三星合作开发5纳米自动驾驶芯片：据报道，三星电子代工部门正在对5纳米系统半导体进行研发。

一些最新型号的智能手机使用了这种芯片（例如苹果iPhone12），据报道，特斯拉的新芯片有望于明年第四季度进入量产生产，这意味着我们将不欢迎配备这些芯片的Tesla量产车。

也有说法是，该芯片可能充当特斯拉车型的下一代MCU，为用户的车机系统使用带来更好体验。据了解，特斯拉完全自动驾驶芯片目前采用的是14nm制程工艺，代工方为韩国三星，它单颗芯片的算力可以达到72TOPS（每秒万亿次运算）。如果引入新制程工艺以及封装技术的话，自动驾驶计算机的性能以及功耗将会有更好表现。