势要赶超台积电！三星宣布明年量产3nm芯片，2nm芯片 2025年推出

在代工市场上，唯一可以和台积电抗衡的，就是三星了，双方在先进工艺进展上也是互不相让，7nm、5nm、3nm、2nm你追我赶。在最新举办的三星代工论坛2021大会上，三星就披露了最新的工艺进展和路线图。

据媒体报道，三星在近日举办的晶圆代工论坛上表示，2025年将开始量产2纳米芯片，明年上半开始生产客户设计的3纳米芯片，第二代的3纳米芯片则预期在2023年生产。

“我们将全面提供制造产能，在最先进的技术方面维持领先，持续在应用层面精进技术。” 三星晶圆代工部门总裁Choi sSi-young称。他表示，新冠疫情加速数字化，三星的客户和伙伴将得以在适当时机提供适当技术，开发硅应用的无限潜力。

三星原本计划今年开始3纳米制程生产处理速度更快、能效更高的芯片，但近日三星在“Samsung Foundry Forum”表示，转移到全新制造技术的难度很高，3纳米制程将在2022上半年推出。代表三星客户将到2022年才能使用最先进技术。已知三星晶圆代工客户包括手机芯片厂商高通、服务器处理器设计厂商IBM、GPU大厂英伟达及三星自家芯片产品。

虽然3纳米制程延后，但三星强调，更先进的2纳米制程技术将如期在2025年推出，并2026年开始大量生产产品。三星表示，2纳米制程技术将使芯片性能、能效及电子产品小型化继续迈进，这也是三星第一次谈到2纳米制程的量产时程。

发展新一代制程技术方面，因进展到新一代芯片制造技术的过程非常复杂，单芯片由数十亿个比尘埃还小的电晶体组成，晶圆代工厂需在硅晶圆上蚀刻电路图，需要数十个甚至上百个步骤、耗时数月完成。

三星强调，芯片制造技术进步将使电晶体缩小，就能把更多晶体管压缩到一个芯片，提高处理速度并降低功耗，这也是三星3纳米制程用新一代全环绕栅极(GAA)制程的原因。与5纳米制程相较，三星首个3纳米GAA制程技术将允许芯片面积减少35%，性能提高30%或功耗降低50%。除了功耗、性能和谜案集（PPA）改进，随着制程技术成熟，3纳米良率正在接近4纳米制程。

三星计划量产第一代3纳米芯片的时间大约与台积电计划大批量生产这些芯片的时间相同。台积电总裁魏哲家今年6月时表示，3纳米工艺将于2022年下半年开始量产。

不过，值得注意的是，芯片代工市场的领导者台积电尚未公布其2纳米芯片的量产路线图。这也凸显出三星正努力缩小与台积电的市场份额差距，并势要在先进芯片制造领域赶超台积电的野心。若三星先于台积电引入更先进的工艺技术，无疑将吸引谷歌、高通和苹果等主要全球客户。