三星称3nm GAA技术已领先，可能会超过台积电？

近来，三星电子做了一个决策，决定要在超越台积电之前，把他们的新一代3nm GAA制程科技商业化。

三星的工作人员在近期举办的三星科技暨事业论坛会议上称，他们的GAA制程开拓进度目前已超越了台积电。

而台积电是他们的主要竞争对手，若技术能稳定下来，那么，三星的晶圆代工在领域上将会迈进很大一步。

三星在前年有了3nm GAA，也就是它的制程技术的PDK，而且在去年还通过了制程技术的认证。这个套件能让高性能计算、5G技术、AI等等方面运用在芯片生产。

熟悉这些人都知道，GAA是3nm十分之重要的环节，近期可能还会获得全球知名的晶圆代工商采用，它主要是把晶体管架构从3D换为4D，换句话说，也就是把FinFET换成GAA。

三星在2019年的时候，在测试了3nm GAA技术后觉得能把芯片面积减少45%，效能方面可以上升50%。

今年6月，3nmGAA流片已完成。

商场里的三星SAMSUNG手机专卖店

和5nm制程对照，3nm GAA的面积效率上升了35%左右，功能的损耗下降了50%，性能上升了大概30%。

负责人在近期表示，“三星虽然在2017年才组建了晶圆代工事业部，但依附企业在存储制作上面，替代台积电的日子为期不远，因为三星曾超越了台积电开拓出一款运用FinFET科技的14MHz产品。

不过就目前的资料来看，在2011-2020的时候，全世界有31.4%的GAA专利是台积电的，三星只占了20.6%。