抗衡竞争对手，SK海力士提前布局 M16 晶圆厂的量产计划

据南韩媒体 《ETNews》 的报道，南韩存储器大厂 SK 海力士将针对 2 月份才落成的 M16 新晶圆厂，投资 8,000 亿韩元 (约人民币 45亿元) 的金额，用以设置生产设备，其中包括极紫外线 (EUV) 光刻机，以预计在 2021 年底前达到每月量产 1.8 万片 12 寸晶圆的目标。

报导指出，根据南韩供应链人士的说法，SK 海力士 M16 晶圆厂预计投资 8,000 亿韩元采购包含 EUV 在内的生产设备，以期望在 2021 年底 3 季达到每月量产 8,000 片晶圆，第 4 季再增加 10,000 片晶圆的产能，而目前正在与供应商进行设备采购的时程计划。根据 SK 海力士之前在财务会议上所公布的消息指出，针对 M16 晶圆厂的量产计划，是将部分 2022 年的规划提前到 2021 年来进行，原因是在于要因应当前全球记忆体供应吃紧的情况。

SK 海力士的 M16 晶圆厂位在南韩京畿道利川市，在 2018 年 11 月动工，2021 年的 2 月份落成，是 SK 海力士旗下最新的晶圆厂，总投资金额达到 3.5 兆韩元 (约人民币200亿元)。其中，将设立 SK 海力士产线中的第一条 EUV 技术产线。因为 EUV 的光源 ArF 更短，更适合进行半导体生产过程中电路的微缩设计，如此以提高生产的芯片性能，并进一步提高生产效能。

报导进一步指出，根据市场研究及调查单位 TrendForce 的资料显示，在当前内存条供应吃紧的情况下，整体上半年 DRAM 的涨幅已经达到 20%。而且，第 3 季的合约价格还将再上涨 3%~8% 幅度的情况下，整体下半年的市况看好。因此，为因应这样的市场发展，SK 海力士积极针对 M16 晶圆厂进行产能的规划，预计 2021 年底能达到每月 1.8 万片的产能之外，还准备在 M16 厂进行第 4 代10 nm级 (1a) 制程的 DRAM 生产。目前 SK 海力士虽然已经宣称开发出第 4 代 10 奈米级制程的 DRAM，不过当前仍需要时间来提升产品生产的良率。

而 SK 海力士提造布局 M16 晶圆厂的量产计划，除因应市场的需求之外，另一原因就是抗衡对手的竞争。虽然，南韩目前市占率领先的两家内存条大厂-三星与SK海力士都准备在 2021 年底前量产第 4 代 10 nm级制程的 DRAM。不过，排名第三的美商美光科技 (Micron) 却已经在先前的 6 月初宣布，正式出货第 4 代 10 nm制程的 LPDDR4x 记忆体。这是美光在没有采用 EUV 技术下所量产的产品，不论在推出时程及技术层次都明显领先三星与 SK 海力士的情况之下，为避免领先的竞争优势被超车，所以SK海力士将藉此来展现实力。