台积电与三星的 GAA 制程技术之争，由制程延伸到专利

日前晶圆代工厂三星电子宣布，3 纳米闸极全环晶体管（Gate-all-around，GAA）制程成功流片，晶圆代工龙头台积电也预计 2 纳米采用 GAA 制程技术，现在两家全球制程最先进的晶圆代工厂，不仅要比技术力，还将把竞争范围扩及专利。

南韩媒体《BusinessKorea》报道，台积电与三星陆续宣布导入 GAA 制程后，南韩知识产权局日前宣布，近期与 GAA 制程相关专利数量快速增加。半导体主流的鳍式场效晶体管 (Fin Field-Effect Transistor，FinFET) 制程专利申请 2017 年达巅峰 1,936 件，到 2020 年，申请数量下滑到 1,503 件。但 GAA 制程专利申请由 2017 年 173 件，到 2020 年增加一倍达 381 件。

厂商申请 GAA 制程专利数量，台积电占 31.4%，其次是三星 20.6%，第三为IBM 10.2%，格罗方德以 5.5% 排名第四。可看出台积电 GAA 制程专利数量较其他厂商多。

三星先前说法，相较 5 纳米制程，3 纳米 GAA 制程逻辑芯片面积微缩可达 35%，功耗也降低 50%，运算效能提高约 30%，可为更多应用提供更强大的运算效能。