台积电和三星的先进产能计划已公布，最先进的是台积电2nmGAA

这是三星和台积电已经公布的先进产能计划（图一）。根据台媒报道（Digitimes、联合报）三星和台积电可能会因为疫情的原因推迟原定计划。大家主要考虑的是物流运输和人员的问题。

由于官方并未回应，所以下面就来说说原计划。

先来说一下新的GAA（环绕式栅极技术gate-all-around，简称GAA）技术，你也可以叫它GAAFET，由于Fin FET技术即将在7nm之后的某个节点变得不可用。所以业界一直在探索新的技术。而GAA就是业界要找的出路。

三星表示，3nmGAA工艺与5nmFinFET工艺相比，在相同功耗下性能提升33%。

从图一中可知，三星和台积电都计划在今年量产5nm。三星计划率先在2021年量产3nm，并率先切入GAA技术。而台积电将在2nm结点切入GAA技术。2020年台积电的3nm会继续使用FinFET。

在7nm时代落后于台积电的三星计划在5nm上追赶台积电，并在2030年超越台积电，成为全球最大的晶圆代工厂。但是现在全球的5nm订单大多数已被台积电收入囊中。

三星早于台积电推出了3nmGAA技术，但值得一提的是，台湾媒体Digitimes认为，受疫情影响，三星不太可能在2020年之前实现3nmGAA量产计划；中国台湾联合报报道，同样受疫情影响，台积电3nm试产线装设被迫由原定今年6月装机时程，延至10月。南科十八厂试产线恐怕也被迫延后至少一季。

三星和台积电有可能都在2022量产3nm，台积电是3nmFinFET，而三星是3nmGAAFET。

为什么台积电在3nm这一节点上没有切入GAA技术？在今年4月台积电表示，3nm节点仍会采用FinFET是因为用户在导入5nm制程后，采用同样的设计即可导入3nm制程。台积电这么做可以为客户省点钱。

客户可能会因为成本的原因选择台积电？

值得一提的是，三星的GAA技术叫做MBCFET。它可以兼容现在的FinFET设计方案。设计师完全能够使用MBCFET取代FinFET。

所有的GAA方案基本的结构都是相似的，只是在垂直于栅极的鳍片形状上做一些改变，以适应自家工艺并尽可能在生产制造中简化流程。

三星的MBCFET使用纳米片器件代替纳米线来增强栅极控制。

那么问题产生了，你觉得三星能够取代台积电坐上芯片代工老大的位置吗？