国产7nm进入客户导入阶段，年底小规模量产

经常有网友说，世界上只有两种制造：中国制造和外国制造。国外的技术比国内先进，同时他们获取先进技术时很少受政治因素影响。“科技无国界”这条定律，仿佛只在资本主义发达国家之间有效。

中芯国际是大陆最大的晶圆厂，但由于“总部位置不好”，它无法和非大陆的代工企业一样获取先进技术。

5nm EUV是已经量产的最先进制成工艺，打造一条5nm EUV生产线需要许多来自国外的先进设备，最重要的莫过于是EUV光刻机了。尽管中芯早已提交订单，但EUV光刻机却一直不到厂。原因同样是因为中芯“总部位置不好”。

没有EUV光刻机也能打造出7nm芯片，台积电第一代7nm就是用DUV光刻机经过多重曝光打造。

在这里说一下，7nm指栅长，简单来说指的是CPU的上形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度为7nm。而台积电等公司的7nm并不算“正经”的7nm，只是性能、功耗、面积等数值达到7nm要求。在制成标注上比较厚道的是英特尔，虽然大家经常吐槽英特尔的14nm工艺，但人家那个14nm是实实在在的14nm，产品的晶体管密度通常高于代工行业的老大台积电。

从某种意义上讲，7nm只是一种标注。

近日有多家媒体报道，中芯国际在规模量产14nm后，自家N+1代工艺进入客户导入阶段，将在2021年量产。

此前中芯国际高管表示，他们的N+1代工艺会在今年年底小规模量产。除此之外，中芯还有性能和成本更高的N+2代计划。

中芯国际采用和台积电相似的方法，通过DUV光刻机进行多重曝光，生产7nm芯片。但多重曝光会增加芯片的制造成本，还会让芯片的良品率难以控制。后来台积电推出了第二代7nm芯片，使用EUV光刻机。

不知道为什么大家都管“N+1”叫“7nm”，你可以叫它9nm、8nm……

我觉得想比于N+1代工艺，对于中芯来说可能突破14nm的难度更大。N+1是中芯国际第二代使用Fin FET技术的节点。N+1代具体参数：

相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、逻辑面积缩小63％、SoC面积缩小55％。

N+1代工艺主要是降低功耗，后续N+2代工艺会注重性能提升，显然成本也会增加。暂时来说，中芯的N+1代工艺并不算落后，它甚至可以适用于中高端芯片。

那么你觉得中芯的N+2代工艺可能会打败台积电的7nm DUV吗？

有点慌的是中芯的这张财报。

所谓先进的14nm节点只占了中芯财报非常小的一部分，而且其中的主要贡献者是华为。

（荣耀play4T使用麒麟710A处理器，中芯代工）

但随着美国打压的完善，中芯的14nm节点应该找谁？如果某国内芯片设计公司脑子一热，想帮助中芯，那么它有能力和华为一样“随意”的支付高昂的换线费用吗？和台积电相比中芯14nm节点显然不够成熟，这会不会让国产处理器原本就不强的性能雪上加霜？

中芯和股东们应该考虑，自己含美国技术的先进工艺做出来了，应该卖谁？这些技术究竟会让公司赚钱还是赔钱？