光电芯片技术突破，芯片堆叠技术可生产7nm，中国芯换道超车？

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芯片一直是中国科技企业的一个痛点，在2019年美国修改芯片规则，限制芯片自由出口中国之后，中国的芯片难题便逐渐凸显出来。在美国的芯片制裁之下，中国科技企业明白了核心技术是买不来也换不来的这个道理，于是便开始加大自主研发芯片的科研投入。

因为欧美各国在芯片领域的研究比中国早很多年，因此在芯片领域欧美各国具有不小的先发优势，积累了许多专利技术。传统芯片领域技术上的落后，再加上中国企业无法像欧美企业一样整合全球产业链，因此想要在传统芯片领域追赶甚至是超过欧美各国是十分困难的。

在这种情况之下，中国科技企业便在传统芯片领域奋起直追的同时，开始寻找芯片领域新的赛道，通过多管齐下的方式，来实现换道超车。

目前，中国芯片主要通过光电芯片以及芯片堆叠两个方式，来寻找芯片的新赛道。在华为宣布芯片堆叠技术实现突破之后，近日，南京大学也传出光电芯片领域的好消息，其科研团队利用“非互易飞秒激光极化铁电畴”的技术，实现了三维结构的直写和擦出，突破了传统技术的极限。

华为芯片堆叠技术突破，可生产7nm芯片

众所周知，华为不仅是中国国内在研发领域投入资金最多的一个企业，而且也是国内首屈一指的芯片设计厂商。因为缺少芯片的缘故，华为目前的科研也将主要的精力集中在芯片领域的研发和生产上面。

因为没有办法从ASML购买到先进的EUV光刻机的缘故，华为想要制造生产出14nm以下的高端芯片，就必须要寻找新的途径。于是，华为将芯片领域研发的目光集中在了3D芯片堆叠技术方面。

这种技术能够将两块芯片通过3D堆叠技术堆叠在一起，使得这两块堆叠起来的芯片发挥出更加强大的性能。虽然以这种方法制造出来的芯片在体积方面不如光刻机制造出来的先进芯片小，但是在性能和成本方面却并不逊色。

根据相关消息，目前华为的芯片3D堆叠技术取得了突破，已经可以将两块14nm的芯片通过堆叠在一起，使得这两块14nm的芯片在堆叠之后能够发挥出来7nm芯片的性能。虽然这种办法堆叠出来的7nm芯片在性能方面还逊色与光刻机制造出来的7nm芯片，但是却能够实现不使用光刻机制造高端芯片的成果。

除了华为在3D芯片堆叠技术方面实现了突破以外，近日南京大学的科研团队还在光电芯片领域实现了技术突破。

光电芯片技术突破，中国芯或将换道超车

近日，南京大学的科研团队传出消息，在光电芯片领域实现了技术突破，这一技术突破使得光电芯片的加工精度获得了极大提升。在此之前，传统的光电芯片的尺寸在1微米左右，与光刻机生产出来的芯片尺寸相差过大，两者完全不在通过级别，正是因为如此，欧美各国对于光电芯片完全不放在心上。但是，本次南京大学科研团队的技术突破使得光电芯片的加工尺寸缩小到了30nm左右，极大程度上提升了加工精度。

要知道30nm的加工精度已经和目前光刻机生产出来的芯片处于同一量级上面了。虽然30nm的加工精度与目前光刻机生产出来的3nm芯片相比还要落后许多，但是两者已经处于同一量级，之间的差距属于数值的差距，而非属于量级差距。

由此可见，本次南京大学科研团队实现的技术突破可谓是意义重大，从某种程度上来说，可以称得上是寻找到了一条芯片领域发展的新道路，也意味着中国芯片很有可能可以借助光电芯片实现弯道超车。

除了南京大学的科研团队在光电芯片领域实现了技术突破之外，国内还有不少的企业和科研团队在光电芯片领域进行研发，并且也取得了不小的成就。其中就有在芯片领域一直大力投入的华为。

华为在观点芯片领域的研究其实已经进行很多年了，也取得了许多成果，其中最重要的便是100G光模块技术。近期还有消息声称，华为将要投入10亿英镑，建设全球研发中心，招募更多的研发人员参与光电芯片的研发当中。除此之外，华为也在量子芯片领域有所发展，目前已经解决了量子芯片生产难度大和良品率低等问题，离量子芯片的大规模生产越来越近了。

写在最后：虽然在传统芯片领域，中国的企业起步较晚，在所掌握的技术方面也不如欧美企业，但是中国企业却并没有放弃。在大量的研发资金投入之下，中国芯片企业不仅在传统的芯片领域不断突破，缩小与欧美企业之间的差距，而且不断寻找新的芯片赛道，试图实现换道超，而目前在量子芯片、光电芯片以及芯片堆叠领域实现的技术突破和取得的成果也证明了中国企业有能力实现芯片的换道超车。

对此！你们是怎么看的呢？