导语

美国很注重人权吗？

在上世纪50年代，美国曾一次又一次地拦下归国的中国学者，他们的每一件行李都会被检查得非常仔细，确保不放过任何一个可疑物品，甚至恨不得将这些学者脑袋里的知识都刮下来。

这样的待遇通常只会发生在诸如钱学森这样知名的学者身上，但在1957年，这种情形却再次上演了。

这一年的1月份，美国旧金山海岸的海关人员，罕见地拦下了整船的货物便开始翻找东西，经过一番折腾后，他们从一堆行李里面，找到了两个箱子，这才松了一口气。

影视剧截图

随后，他们带着行李，强行扣押了一名单身女子，丝毫不顾女子的反抗和质问，开始将行李里面的物品一件一件地仔细检查，直到最后翻出几瓶密封的药瓶后才停下翻找行为。

面对女子的质问，美国海关丝毫不以为意，还面带严肃地抢走她身上所有的钱，并且威胁她，只要你留在美国，你就可以得到这些钱以及更多的财富和地位，如果你执意要走，那么这些美金就不能进入社会主义国家！

女子孤身一人，气得浑身发抖，却又无可奈何，只能带着怒气转身上了轮船，但是谁也没想到，正是这一次愤然转身，开启了中国芯片产业的元年。

影视剧截图

这些海关人员可是知道这位女子的重要性，她是美国宾州大学第一位固体物理学女博士，但是他们绝对不知道这位女子将会给中国带来什么，如果知道，他们一定会后悔没有采取更激烈的措施。

因为在他们没有拦下的这名女子，不仅是美国的女博士，更会是中国的女院士，就是拥有“中国半导体材料之母”与“中国太空材料之母”两大称号的林兰英院士！

林兰英院士

关键的半导体材料

说起林兰英，为什么要说她的回归，开启了中国芯片产业的元年？最主要的 原因是她研究的半导体材料，是芯片产业的基础。

当时中国的科技水平较为落后，作为国际科技先进领域的半导体材料，它的制备技术就更落后了。

芯片

落后到什么程度呢？被美苏两国联合看不起的地步！那时，美国的一位学者在评估中国的研究条件后，轻蔑地断言中国在60年代前，是没有基础和能力研究半导体材料的。

这么说确实是有一定依据的。因为世界上第一根锗单晶半导体材料是由美国贝尔实验室研制的，他们在1948年就依靠物理学和冶炼技术就成功制成了锗单晶，后来又很快研发出性能更好的硅单晶。

锗单晶和硅单晶都属于第一代半导体材料，但是硅单晶的各种性能远在锗单晶之上。而中国呢，在1956年连更落后的锗单晶都还没研制成功。也就是说，如果以锗单晶制备的年限来看。

中国的半导体制备技术落后将近十年！如果以硅单晶制备来看，中国落后的年限就超过了十年。

单晶硅锭

同样悲观的还有苏联。

上面我们说过的中长期科技规划（《1956－1967年科学技术发展远景规划》），其实就是苏联帮我们制定的，不过这个是根据当时中国的实际情况来制定。

在苏联老大哥眼里，中国第一根单晶硅半导体的制备需要在1968年才能完成，情况稍微比美国乐观！这还是在有苏联的帮助之下，才制定了这个目标。

总结就是，就像美苏看衰中国半导体发展的那样，那时的中国要技术没技术、要设备没设备，想要从零开始发展这种高精尖技术，确实需要一定的年限积累。谈中国研究半导体技术，就像现在我们看印度搞空间站一样，在当时就是属于不可思议的东西。

印度火箭

这种感觉无关对错，确实是因为各种基础差太多了。但是中国与印度唯一不同的地方就是，中国还有归心似箭的林兰英。

林兰英与中国半导体

1956年，中国刚刚制定了半导体发展战略。1957年，林兰英就归国了，两者的命运走向几乎是一致的。当年1月份，漂洋许久的林兰英刚刚踏上了中国的土地，在老家还没待多久，就被国家接到中国科学院半导体研究室，待遇几乎与钱学森一致。

半导体研究室是中国科学院专门设立的，目的就是为了发展半导体科学技术，是我国最早的半导体研究机构。这里有很多个同她一样学成归来的科学家们，他们已经在这里研究了数年！

但林兰英无疑是最有资质的那个，因为她不仅仅是固体物理学的女博士，更是有极高的半导体天赋，她美国导师称赞她一定能成为一名出色的半导体科学家。

工作时的林兰英

果不其然，在她回国第一年，就帮助半导体研究室成功研制了中国第一根锗单晶，锗单晶并非林兰英带头的研究，它是王守武等人率先开始展开的，但是林兰英的到来，无疑是推动了研制的速度。

凭借她的能力，她很快就接手了半导体材料的研制工作，11月份，她又接受了委托，为北京电子管厂提供1千克P型锗单晶和1千克N型锗单晶，提供给北京电子管厂研制锗晶体管。

由于北京电子管厂要求的数量极大，并且留给林兰英的时间并不多，只有一个月时间。如果换做其他科学家，这无疑是一项巨大的挑战。

因为一项技术，从实验室到实际的批量生产，需要用很长的一段时间来调整，但是对于林兰英来说，这并不是什么大问题，锗单晶对于她而言，早已经不是什么高技术难题。

由于工作量大，林兰英开始了夜以继日的工作，终于在规定的时间内完成了她的任务。此后锗单晶开始迎来了发展。1958年，我国成功采用锗单晶制出了锗晶体管，于是中国第一台半导体收音机就此诞生了，标志着中国正式进入半导体时代。

半导体收音机

锗单晶的研制成功推动了中国半导体产业的发展，诸如红外器件，γ辐射探测器等器件也开始走向国产化。中国科学家用实际行动，打脸美国学者，我们半导体材料不仅开始了研究，还走向了发展。

如果说锗单晶还是在前人的基础上进行攻克，那么性能更好的硅单晶，注定只有林兰英才具备这个能力。1958年，她详细的研读了苏联给中国制定的半导体计划，发现苏联专家将硅单晶制备年限推到了1968年后。

在研读完中长期计划后，当即否决了苏联专家的建议，决定提前攻关硅单晶。理由有两个：

1. 她深知半导体材料实在太重要了，中国不能落后太多，一步落后步步落后。
2. 她有实力来制备高性能的硅单晶！

于是她主动向领导请缨攻克硅单晶的难题！事实上，这并不是她在自夸！早在美国时，她在面对性能更好，制备难度更高的单晶硅时，就曾力挽狂澜过。

工作时的林兰英

留洋时期的宝贵经历

1954年，在她成为宾州大学第一位女博士毕业后，就因为成绩优异，天赋惊人，被导师推荐给从事半导体科学研究的索文尼亚（Sylvania）公司。一年后正式入职，就任高级工程师。

在公司内，她主要的工作是研究半导体的物理特性，属于基础研究。但是她的内心却不甘于只做研究性工作，更是想从事工艺的制备，因为单单只有研究对中国的好处实在不多，还必须要有实际的产出。

所以她开始尝试介入制备工艺的领域，结果机会很快就到来了，当时公司正在攻克硅单晶的技术，尝试了无数次，但是一直失败，而且还找不到失败的原因，一度让公司陷入绝境。

于是她主动去实验室参观，通过一整天的学习，摸透了硅单晶的制造过程，最后依靠自己的丰富的学识，发现了问题所在！由于硅晶体是单晶体，制备的方法是晶体生长。

简单讲就是在晶种的基础上，通过一系列物理化学方法，让它慢慢地“长大”，最后再拉制成我们需要的硅单晶。

林兰英

这个制备过程需要极其严格的环境，不能有杂质，虽然实验室的设备非常好，但是在高温制备中，溶液的氧化物也会影响晶体的纯度。所以她提出用杯子罩住晶种，避免生长过程中被杂质玷污！

根据林兰英的建议，索文尼亚公司很快就制备出了第一根硅单晶！自此，林兰英在半导体材料领域正式开始崭露头角。

在索文尼亚公司工作的一年多时间里，她不仅巩固了丰富的理论知识，还锻炼了制备工艺的能力。她撰写的半导体材料论文《硅的欧姆接触的制备》、《锗和硅的载流子抽出电极的制备》屡次发表在重要期刊上，而且还被用于专利技术申请，被美国政府保护了起来。

所以面对难度更高的硅单晶，她是毫无畏惧的。

林兰英

中国赶上了半导体潮流

1958年，她的想法得到了支持，并且开始了第一次尝试，随后很快就完成了第一根硅单晶的拉制。但是很可惜，它失败了！失败的原因不在于她的技术问题，而是当时中国各方面的条件实在太落后了。

比如在实验方面，上面说过，单晶需要在无尘环境条件下才能制备，不能沾染一点杂质，否则就会因为纯度不够，导致拉制出来的成品报废。在国外，通常是往单晶炉里面充满氩气，作为保护气体。

但是中国没有制备氩气的条件，而国外又对中国实行技术封锁。所以她的第一次尝试，只能利用同事制备锗单晶的单晶炉，所以这也是失败的主要原因，毕竟条件完全不符合，自然也就无法制备出品质良好的硅单晶了。

氩气瓶

有句俗话说得好，办法总是比困难多，中国科学家向来可以创造无数奇迹。没有氩气，她就根据别人的想法，决定用真空来替代；没有炉子，她就决定自己建造单晶炉。

于是，她带着国内一群刚刚毕业的愣头青，成立了设计研究小组，一头扎进研究室。经过无数次失败的尝试和拜访求教，终于解决了这个问题。

1958年年底，她利用自主建造的单晶炉，以及自己带回来的硅单晶作为种子，成功拉制出我国第一根硅单晶，这个时间比苏联预估的早了十年，同时也让看低中国的美国学者哑口无言。

1962年，她用自主建造的单晶炉，指导科研人员拉制出更高性能的硅单晶，赶上世界一线的水平，而她研制的单晶炉还罕见的出口到国外，为中国争取了宝贵的外汇。

此后，在硅单晶的基础上，诞生了中国高频的小功率晶体管、功率管等器件。自此中国开启了半导体硅器件产业的序幕。可以说在林兰英的带动下，中国半导体产业硬生生加速了十年以上。

同年，她又成功制备出砷化镓单晶，砷化镓单晶是化合物，是属于第二代半导体材料，它的电阻率比硅还要高3个数量级，制备出来的半导体器件在某些特性上，具有更优质的性能。

砷化镓的成功制备，将中国的半导体技术发展再次提升一个档次。除此之外，中国第一颗人造地球卫星东方红用的硅太阳能电池，也是在林兰英的参与下才取得成功。在此刻，中国难得地赶上了世界半导体材料发展的潮流！

砷化镓太阳能电池

林兰英的艰难求学之之路

可惜的事情发生了，在1966年后，中国经历了动荡的十年，在这个十年里，任何人都避免不了被干扰想 ，中国半导体技术的发展也是如此。

林兰英也直到1977年后，才重新被委以重任，但是摆在她面前的，是已经严重落后于国外同行的半导体科学事业。

面对这种情况，如果是一般心智不够坚定的科学家或许早就放弃了。但是对于老一辈科学家来说，他们对于国家的认可，是我们现在很多人都难以体会的。他们经历过战火，又经历过家园落后的窘境，对于国家强大的期盼，比任何人都要迫切。

民国时的黄包车夫

尤其是林兰英，她的坚持远比任何科学家都要来的宝贵。为什么这么说呢？

首先她是女子出身，在古代，女子无才便是德是普遍的社会风气，读书是属于抛头露面的行为，像祝英台男装读书的故事，几乎是很少存在的。

林兰英身为女子，还能读到博士实属不易，林兰英能读书，还要归功于她的出生地、父母的开明以及自身的争取有关！

1918年，林兰英出生于福建莆田，没错就是那个至今以经商闻名全国的城市。与很多人的印象不同，莆田自古就有文献名邦的美誉。这里虽然山多地少，不适合农业发展，但是民风上进，在历史上就诞生过2482名进士、21名状元，17名宰相，文化气息极其浓厚。

女子学堂

这里的小孩如果有能力读书，那父母就算再苦再累也会给他们最好的条件。林兰英的父亲林剑华自然也逃不过文化的熏陶，曾经在上海大学文学系就读，还曾于《国民日报》任职，是一名真正饱读诗书的人物。

林兰英在家乡文化风气以及父亲的耳濡目染下，也深受影响。主要体现在三个方面：

一是读书。

在封建社会，女子一般都极少读书，但是林兰英却以绝食作为要挟和不落下家务作为保证，争取到了读书的机会，被送入莆田一中。这所学校在中国历史上都是赫赫有名的存在。如果不是身在文献名邦，她很难这么轻易获得读书的机会，更不会得到如此优质的教育环境。

莆田一中校训石

二是奋斗！

福建穷山恶水，自古就民风彪悍，福建人凭借一股不服输的精神走南闯北。在林兰英身上也是如此，在长辈的严格要求以及自身的努力下，她读书从来都是抱着“谁说女子不如男”的心态，每年考试都是力争第一，最终以年年第一的成绩毕业

其三是爱国！

她父亲林剑华在上海大学文学系就读时便深受共产党的影响，打心里认同他们，对于他们的主张和行动极为认同，不仅私下会帮助党派人士，还屡屡在林兰英等子女面前称赞党员的良好作风。

正是在这些影响之下，林兰英以优异的成绩考入福建协和大学（福建师范大学的前身），她的成绩终于打动了家中长辈，母亲抱着女子也能光大门楣的心态，变卖首饰，支持她继续往大学深造。大学毕业后，林兰英选择了留校担任物理老师。

福建协和大学

为国家甘愿舍弃前程

父母的付出让林兰英深感温馨，也是她日后出国求学仍思念家乡的根源。在这样的身份背景下，加上中华大地一直饱受战争的伤害，她同很多伟人一样，对于中国的富强无比的渴望，甚至因此而数次牺牲自己。

第一次牺牲是在最好的年龄，却选择了国家最需要的事情。

1948年，当她获得出国留学机会时，已经30岁了，这种年龄本应该嫁人生子，但是为了不浪费机会，她还是选择了难得争取来的求学机会，一个人远赴美国求学，为的就是学成归来，能够报效祖国。

第二次牺牲是在专业的选择上，林兰英在福建协和大学学习的是物理专业，毕业后留在学校担任老师，教授的也是物理专业，而且展现出了不错的物理天赋，还编写了《普通物理》、《光学实验教程》等课程，有些课程还被当时的国民政府定为定型教材。

青年时期的林兰英

但是出国深造时，却是由于名额所限，只能往数学方向申请的。

结果在美国上大学时，她同样展现出了出色的数学天赋，成绩十分优异，导师对林兰英自然也就极为喜爱，不仅委任自己的《微积分》著作给她，毕业后，更是推荐她去芝加哥大学深造，攻读数学系博士。

可以说导师的安排几乎是最好的选择，不仅可以免去后顾之忧，还有大好前程等待着她，林兰英只需按部就班，就可以拥有普通人梦寐以求的事业。

但是她却毅然地拒绝了，而是选择了滨州大学的固体物理学专业，从头开始学起，理由只有一个：相比于数学，科学发展远远落后的中国最需要的自然是物理。

此后的事迹我们在上面也说过了，她不仅深受导师喜爱，而且还一举成为该校历史上第一个女博士。

第三次牺牲就是毕业后的选择了，博士毕业后，按照林兰英的设想，应该回国报效祖国，但是由于当时美苏处于冷战时期，中国作为社会主义国家，自然也被美国所以敌视，很多留学生是不被允许回国的。

这就导致林兰英被迫滞留美国，为了不荒废这段时光，林兰英决定继续在美国学习物理知识，在导师的推荐下，她开始进入上面说的从事半导体研究的索文尼亚公司。

在这里，她不仅丰富了理论知识，还主动学习实践技能，直到1956年，在中美两国的局势缓和之后，双方约定达成了平民可以回国的协议，但是这份协议针对的是普通人，林兰英算是普通人吗？

索文尼亚公司大楼

当然不算！但是林兰英却依旧选择了回国，很快她就与国家取得了 联系，争取到了回国的机会。这才有了开头的故事，在美国旧金山的港口，被海关人员故意威逼利诱！

从1948年林兰英出国留学到1957学成回国时，已经过去了十年，她带回来的不仅仅是近十年的海归经历，更是一身的半导体学识以及价值不可估量的材料。

就像当初美国人以为钱学森不足以改变中国差距一样，美国终归小瞧了林兰英的才华，也正是因为如此，才有了前面所说的辉煌。而国家也并没有亏待她，在她生病住院时，周总理甚至亲自祝福她身体早日康复，将她的一切所需都视作国家的任务来对待。

钱学森

结尾

现在我们回过头来看看林兰英的选择，或许正是母亲的无私、父亲的影响、国家的关怀，才让她对于国家强盛有了如此的渴望。

所以对于林兰英来说，动荡十年或许很遗憾，但是不足以让她放弃继续为国奋斗！也正是因为这次坚持，让她开启中国半导体材料与中国太空材料的步伐。

1981年，林兰英改良了砷化镓单晶制备的难题， 提高砷化镓单晶材料的质量，鉴于砷化镓的重要性，当年林兰英就获得国家科技进步二等奖。

为了持续改良砷化镓单晶的品质，林兰英于1986年决定利用卫星来制备砷化镓单晶，并于1987年通过与航天部门进行科研合作，经过在太空上的生长，获得性能更加优质的砷化镓单晶。

东方红一号

这一成果处于国际领先水平，也让她再次获得国家科技进步三等奖，也因此获得了“太空材料之母”的称号。

林兰英一生未嫁，于2003年辞世。

她在最好的年龄外出求学、在最坎坷的岁月，还投身于国家的半导体事业，即使是晚年，她也不忘为国家培育众多的学子，经过她培养的院士，就有数名。可以说她把自己一生的精力都贡献给了国家，只为中国强盛！

我相信，如果她在天上看到此时的中国，一定会倍感欣慰！她的强国梦已经实现了！