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芯片突围

自从2019年5月份之后，华为遭遇到了美国一系列的不公平对待，导致华为在相关芯片的获取上受到限制，为了解决这个问题，从2020年开始，我国相关企业大举进入芯片自研阶段，意图短时间内构建出一套完备的半导体产业链，实现在2025年芯片自给率达到70%。

而为了实现这一目标，华为、中芯国际、上海微电子、中微半导体等国内半导体业公司都在各自的领域努力突破自家的芯片技术，其中高精度极紫外光刻机技术的突破更是被放在了重点突破技术之列，我国最高科研机构中科院更是公开宣布，将投入人力物力进行光刻机技术的重点突破。

而光刻机技术在2月25日也传来了一则好消息，根据清华大学公布的内容显示，清华大学工物系在新型加速器光源“稳态微聚束”研究中取得了重大进展，而这也就意味着我国在极紫外光刻机所需的光源问题上找到了新的出路，这也就是说我国在极紫外光刻机技术的发展上迈出了一大步，我国芯片技术的突围时间也将被缩短。

光刻机之后中企再次官宣

而在光刻机技术取得进展之后，根据3月17日消息显示，中企再次官宣了一个好消息，根据该消息的具体内容显示，中国电子科技集团攻克了芯片制造技术中的重要一环，在离子注入机全谱系产品上实现了国产化，工艺段覆盖至28nm。

这意味着什么呢？

现阶段大家主要把芯片技术的发展放在了光刻机领域，这是因为光刻机问题最为突出，如果不是ASML公司限制了极紫外光刻机的进口，那么我国的中芯国际就已经能够实现7nm芯片的生产制造了。

但是，其实整个半导体芯片的生产过程是极为复杂的，在这个过程中除了需要光刻机划线还需要蚀刻机雕琢，另外也需要离子注入机的参与，因为经过离子注入机参与制造的集成电路，在速度、功耗、稳定性、成品率方面都会有非常不错的表现。

不过在中国电子科技集团官宣之前，我国的离子注入机大部分都是从美国市场进口的，如今这次的突破，将很大程度地减少离子注入机的进口，对于国产芯片产业的发展具有非常重要的意义。

打破垄断

而这一次离子注入机的突破，意味着我国再一次在芯片技术上打破美国市场垄断，相信美国相关离子注入机供应企业也是万万没有想到，我国离子注入机技术的突破会来得这么快。

从过去数十年我国芯片技术领域的发展来看，我国正一步一步地完成整个芯片产业链核心技术的突破，首先是在蚀刻机领域，我国的中微半导体实现了5nm蚀刻机技术的突破，而后就是上海微电子公司在28nm制程光刻机领域的突破，之后就是极紫外光刻机光源技术的突破，离子注入机技术的突破。

一切都标志着，我国正向着芯片大国的方向前进。

总结

在芯片技术的发展上，我国展现出了超凡的实力，在如此短的时间里，无论是芯片设计还是芯片制造、芯片封装都取得了长足的进步，虽然当下相关制程的芯片制造对我国企业而言还是短板，但是相信这个短板会在未来几年里，逐渐成为我国芯片技术发展的优势。

你觉得我国在2025年之前能否打破ASML公司对于极紫外光刻机技术的垄断呢？

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