芯片技术真的能实现“换道超车”吗？

自从川普先生领导的美国现政府发起贸易战，并延伸到科技领域以来，我国的芯片短板暴露无遗。典型事例是，华为从信心满满，到无奈宣布高端手机绝版，仅一年时间。此时此刻，弯道超车概念应运而生：既然硅片不行，我们是不是可以做其它什么片子，实现弯道超车。芯片闻人、片子大咖（花钱做不出芯片）张汝京先生更是提出：为什么要提弯道超车，直道上也可以超车的。于是，这些日子“换道超车”的说法开始不绝于耳。

片子大咖张汝京

“换道超车”的说法理论基础是，芯片技术从材料方面看总共三代，第一代是硅片技术，第二代是砷化镓技术，第三代是碳纳米晶体管技术，硅片技术赶不上了，我们布阵下一代，企求在下一代技术不落后。

显而易见，编造三代芯片技术的人们不是对于半导体技术历史比较无知，就是有意愚弄公众。在硅片技术之前，锗晶体管，锗集成电路也是有的。大名鼎鼎的基布尔拿诺贝尔奖的工作就是锗基集成电路。所以，按照上述分类概念，芯片材料工艺至少有四代。当然，从商业层面上来说，锗基集成电路并不流行。类似地，砷化镓材料虽然在发光器件上有应用，但就运算功能通用集成电路而言，砷化镓不值一提。所以，如果提到砷化镓，就应当提到锗。如果不提锗，集成电路也应提不到砷化镓。所以这种三代器件分类的说法是靠不住的。

接着我们说说寄予换道超车厚望的“碳基芯片”。碳与硅同属第四主族元素，基本晶体结构均为大名鼎鼎的金刚石结构。硅的半导体特性主要就存在这金刚石结构中。而碳的“金刚石结构”晶体就是金刚石。由于金刚石禁带宽度大，属于绝缘体，而不是半导体，所以，通常的半导体概念并不能延伸到碳基材料金刚石之中。大门关上后，好像开了一扇窗：近年来，对于无定行碳材料研究比较热门，人们在以往称之为“无定型碳”的碳材料中发现了巴基球，石墨烯与碳纳米管。并且组合这些结构，发现在特定条件下可以实现PN结，进而制作类似于三极管的器件，这确实是基础研究方面的重要进展。

然而，且慢谈论芯片行业的“换道超车”。

这里的要点在于：做出碳晶体管并不是做出碳集成电路！道理很简单：我们的硅基芯片技术落后，并不是因为我们没有做出硅晶体管！所以，即使碳基晶体管技术成熟（是不是能成熟，目前还另当别论），做碳集成电路仍然面临硅基电路的加工技术问题。而且可以预期，问题只会更多，一点不会少！

这就是说：碳基芯片虽然绕路，但是关键问题并没有绕过去！研究碳基晶体管其实与芯片技术超车几乎没有一毛钱的关系！自媒体中的各位网红人物不要自欺欺人。

知名碳晶体管人士彭练矛，与张汝京先生很像

所以，且慢谈论“换道超车"，网红们不要乘机捞取本不属于自己的资源。