华为招聘光刻工程师?解析其光刻机专利实质

最近除了纷纷网传华为招聘光刻机工程师以外,其光刻机机专利曝光也引起了很大的轰动,能理解各个传播的初心,但是我们都知道有种爱叫“捧杀”,一起看看申请公布号:CN 108139687 D的专利公告,看看华为的光刻机专利到底是怎么回事。

华为招聘光刻工程师?解析其光刻机专利实质
  1. 华为光刻机专利申请书中明确载明:主要是使用多个分束装置和聚焦透镜,实现不移动基材,不用再次对准,直接光刻,从而提高光刻效率。

这是什么意思呢,就是说一片基材(不一定是晶圆),要光刻多少个芯片,就搞多少个分束和聚焦透镜,使基材在静态下形成干涉图案,并且提高精确度。显然这种光刻机不是用来生产芯片的。

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华为光刻机专利摘要

2.从专利附图来看,该光刻机使用的是激光光源(非波长较短的紫外线或者深紫外线),然后通过光线传到DMD装置,最终通过分数装置和透镜系统,实现基材图案。

第一要说的是激光光源。其光谱波长都在650nm以上,与光刻机追求的DUV,EUV(19.3n纳米)光源系统不在一个等量级别上。

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第二要说DMD(Digital Micromirror Device),意思就是“数字显微镜装置无掩膜光刻技术”,具体见下图。

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DMD无掩膜光刻技术

而此次专利只是对运动平台进行静态化,对镜头和分光器使用多次模组化。可以说这个光刻机只是光刻机的一个分支。

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与ASML的EUV光刻机,或者是上海微电子28nm的光刻机知识同名而已,不是使用在高端芯片上面的。最大可能是使用在后段封装上面的

目前日本的NEOARK公司可以提供的所谓高性价比DMD无掩膜光刻机。该设备光源采用波长为365nm的紫外LED,相比于激光或者汞灯,LED光源具有更长的使用寿命稳定性。LED光源的使用寿命可达到10000小时。采用10倍物镜单次曝光面积达到1mm*0.6mm,并在1s 内完成曝光。若配备电动平移台,可完成套刻和光刻拼接,拼接面积可达25mm * 25mm,拼接误差优于0.5μm 并且拥有自动聚焦和对准功能。

对比可以知道,华为的这个光刻机使用激光光源还不算先进,还要实现LED光源化转变。

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激光光源的的一般波长

  1. 该光刻机有什么用?

DMD无掩膜光刻技术是从传统光学光刻技术衍生出的一种新技术,因为其曝光成像的方式与传统投影光刻基本相似,区别在于使用数字DMD代替传统的掩膜,其主要原理是通过计算机将所需的光刻图案通过软件输入到DMD芯片中,并根据图像中的黑白像素的分布来改变DMD芯片微镜的转角,并通过准直光源照射到DMD芯片上形成与所需图形一致的光图像投射到基片表面,并通过控制样品台的移动实现大面积的微结构制备。

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主要作用就是300纳米PCB基板制作,类似于制作基板印刷的工艺,也就是现在国内龙头长电的活。

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某品牌激光 直写光刻机

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DMD光刻机主要功能

  1. 类似产品已经成熟使用,专注于PCB领域及泛半导体领域的客户

合肥芯碁微电子装备股份的高端PCB激光直接成像(LDI)设备升级迭代项目、晶圆级封装(WLP)直写光刻设备产业化项目、平板显示(FPD)光刻设备研发项目和微纳制造技术都在此技术基础上的来。

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芯碁微装的激光直写设备

5.结合华为的工艺工程师招聘,华为的该项专利目的就是研发和封装的使用知识储备。

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无论是2.5D还是TSV都是芯片制造后段封测的工艺。

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有掩膜板光刻机原理

光刻机最大的技术就是光源系统,激光光源已经比较成熟,机器价格一般在一百万元以内,而深紫外光刻机都在上亿元。最大的核心就是光源系统,这也是我们要向做好光刻机必须跨越的道路。

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光刻机的投影物镜被誉为成像光学的最高境界,其波像差需要控制到亚纳米量级,接近零像差。这个“零像差”是大视场、高数值孔径、短波长条件下的“零像差”,是在曝光过程中投影物镜持续受热状态下的“零像差”。实现这个“零像差”对投影物镜的镜片级检测、加工、镀膜,系统级的检测、装校,以及投影物镜像差的在线检测与控制都提出了极为严苛的要求。

#半导体新星创业营#

我们爱华为的时候,更要客观,冷静。

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页面更新:2024-04-28

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