首款使用台积电4nm工艺制造的移动芯片

首款台积电4nm移动芯片

作为首款使用台积电4nm工艺制造的移动芯片，更加先进的制造工艺能为天玑9000带来更好的能耗表现。4nm由于减少光罩层，以及与N5几近相容的设计法则，进一步提升了效能、功耗效率、以及电晶体密度。早前台积电透露4nm的开发进度相当顺利，预计于2021年第3季开始试产，可见联发科将吃透台积电2022年上半年台积电4nm订单，下半年至少将与苹果一起利用台积电4nm工艺。

首款使用ARM V9架构芯片

天玑9000是第一个使用ARM全新新核心设计的CPU，据悉有一个3.05GHz的Cortex-X2性能核心，2.85GHz的三个Cortex-A710内核，1.8GHz的四个Cortex-A510效率核心。与此同时，GPU是10核ARM Mali-G710，与MediaTek的第五代APU一起，总共有六个用于人工智能处理的核心。联发科表示该公司表示，与上一代相比，天玑9000的性能和能效是上一代的四倍。

ARM V9最值得注意的更新就是SVE2指令集，SVE最早是ARM与富士通合作的浮点性能扩展，TOP500超算富岳就使用SVE指令集，SVE2就是第二代SVE浮点指令。与SVE的128位矢量相比，SVE2可以支持128为倍数、最多2048位运算。SVE2可以增强ML机器学习、DSP信号处理能力，提升未来5G、虚拟现实、增强现实以及CPU本地运行ML的性能，同时ARM未来还会继续提升AI人工智能性能。