芯片测试分析之拍照分析

IC Decap (去除封胶)

使用雷射化学蚀刻开盖 : 利用雷射去除IC封装胶体，使其表面形成一凹槽，再搭配化学蚀刻方式开盖 (如图) 结合雷射开盖及传统化学蚀刻的优点，可大幅增加局部开盖准确性，并可减少样品与化学蚀刻液的接触时间，从而提升良率。适用于任何封装形式及任何金属线材 (Au、Cu 、Al 、Ag) 此服务为IC 失效分析之第一步骤，后续实验可接续：外观异常检视 / 层次去除 / FIB / EMMI / 封装打线等等。

IC层次去除(Delayer)

无锡“芯火”平台提供IC层次去除(Delayer)服务，对逆向工程IC层次去除 (Delayer) 技术已经可以成功处理40nm 铜制程IC，全部金属及poly层次，IC完整呈现面积可达90％。

IC层次去除(Delayer) 方法

使用多种不同处理手法 (RIE / Chemical Etch / Polish)，将晶片的多层结构 (Passivation, Metal, IMD) 选择性逐一去除，进而检视异常点或逆向工程分析。

案例分享

Cross section

5M1P

CT-Pitch

CT-Size

M1-Pitch

M2-Pitch

M4-Pitch

Poly CD

Thickness-1

Thickness-2

Delayer

m1

m2

m3

m4

m5

poly

区域划分详情

POLY层概貌图

Cross section

Die Size