美国始料不及，国内光刻机有望“破冰”，南大光电突然宣布……

相信大家都知道，美国商务部在5月15日再次升级了对华为的“制裁新规”，美国直接修改了《出口管制条例》。在此背景下，国内对于芯片技术层面上的突破就显得尤其重视，毕竟谁也不想被美国总拿这个“卡脖子”。但是碍于光刻机研究进展的缓慢，国内的芯片技术一直没能取得大的成绩。近日，国内的南大光电就传出了一个好消息，正与光刻胶技术相关。南大光电传出消息：目前国产ArF光刻胶取得了重大的突破，可以用于7nm工艺，即将进入量产及销售阶段。

这也就意味着国内在光刻机顶尖技术中取得了巨大的突破，并且能在光刻胶市场分一杯羹。要知道在之前的光刻胶市场，国内基本上是排不上号的。此次南大光电完成技术突破不仅能帮助我们占据更大的市场，还能给予国内光刻机研究更多的信心。

近日，南大光电接受投资者提问时表示，目前 193nm 光刻胶产品正在测试阶段，公司将在新基建的发展中，紧紧抓住“替代进口”的机遇，为国内集成电路产业的发展突破瓶颈和国产化做出积极的贡献。

光刻胶究竟是什么

半导体光刻胶根据曝光光源波长的不同来分类。常用曝光光源一共有六种，分别是紫外全谱（300～450nm）、G线（436nm）、I线（365nm）、深紫外（DUV，包括248nm和193nm）和极紫外（EUV），相对应于各曝光波长的光刻胶也应运而生。不同的光刻胶中，根据不同的需求，关键配方成份如成膜树脂、光引发剂、添加剂等也有所不同，使得光刻胶有不同的性能，进而能够满足相应的需求。

目前主要的光刻胶有G线光刻胶、I线光刻胶、KrF光刻胶和ArF光刻胶四种。目前英特尔，三星等大的半导体制造商，芯片产品已经将量产工艺推进到了14nm至28nm区间，这个也代表目前量产的最高工艺。所以以上光刻胶种类里，能够采用193nm激光光源的浸润ArF线光刻胶，是唯一能够满足应用的光刻胶产品，具有极高的技术壁垒，是半导体光刻胶高精尖的代表。

根据SEMI数据，2018年全球半导体用光刻胶市场，G线＆I线、KrF、ArF＆液浸、ArF三类光刻胶三分天下，占比分别占24％、22％、42％。其中，ArF／液浸ArF光刻胶主要对应目前先进IC制程。随着双／多重曝光技术的使用，光刻胶使用次数增加，ArF光刻胶市场需求将加速扩大。在EUV技术成熟之前，ArF光刻胶仍将是主流。未来，随着功率半导体、传感器、LED市场的持续扩大，一线市场将持续增长。而随着精细化需求增加，I线光刻胶将被KrF光刻胶替代，KrF光刻胶市场需求将不断增加。

日本、美国始料未及

目前，在全球半导体光刻胶领域，主要被日本合成橡胶（JSR）、东京应化（TOK）、罗门哈斯、日本信越、富士材料等头部厂商垄断。其中，在高端半导体光刻胶市场上，全球的EUV和ArF光刻胶主要是JSR、陶氏、信越化学等供应商，份额最大的是JSR、信越化学，TOK也有研发。据公开资料显示，之前在全球光刻胶市场排行前五的公司，有四家来自于日本，第五名来自美国，日本和美国两者加起来差不多占据了90%的市场，也就是说二者对光刻胶有着绝对垄断的技术。可见日本在光刻胶领域基本上是全球领先，就连美国也只是在他身后喝汤。

但是此次南大光电完成突破，让日本、美国始料未及，也证明了即使不依赖国外的技术，国内也能发展得很好。

国内企业纷纷布局 技术上还有差距

目前我国半导体光刻胶生产和研发企业主要有五家，分别为苏州瑞红（晶瑞股份子公司）、北京科华、南大光电、容大感光、上海新阳。

1、 晶瑞股份：子公司瑞红在光刻胶领域深耕多年，率先实现了i线光刻胶的量产，可以实现0．35μm的分辨率。承担了国家重大科技项目02专项“i线光刻胶产品开发及产业化”项目，目前i线光刻胶量产，KrF光刻胶处于研发过程。公司未来重点发展248nm，将着力发展相关业务。

2、 北京科华：6寸的G线、I线市场份额较高；8寸、12寸里面I－line、KrF都有突破，目前份额较小；ArF干法光刻胶已经处于研发及客户认证阶段。

3、 南大光电：于2017年开始研发“193nm光刻胶项目”，并承担“ArF光刻胶产品的开发和产业化”02专项项目。公司已在宁波经济开发区建设25吨KrF光刻胶生产线，预计三年达产销售。

4、 上海新阳：公司在半导体传统封装领域已经成为国内市场的主流供应商。光刻胶领域，公司拥有193nm（ArF）干法光刻胶研发及产业化项目。ARF193nm光刻胶是芯片制造进入90nm铜互联制程后最重要的主流光刻胶产品，一直是国内空白。研发此款光刻胶意在填补国内空白，实现芯片制造在关键工艺技术和材料技术的自主可控。

5、 容大感光：公司1．8亿收购高仕电研，标的生产的PCB油墨产品主要是感光阻焊白油；公司LCD、TP用光刻胶，LED用正性光刻胶及life－off光刻胶，I／G线IC用光刻胶等产品处于国内领先地位。但公司原规划于2018年年底建成1000吨的光刻胶生产线，但直至2019年底仍未实现。

虽然目前光刻胶的国产化正在加速，但半导体和 LCD 高端光刻胶技术与国外有较大差距。在自主研发，原材料依赖，厂商不易切入供应链和稳定商用等方面还是有很大的阻碍。但随着电子信息产业向中国转移和配套产业链的完善，未来进口替代是趋势所向，其中大部分中低端产品已实现进口替代，部分优秀企业已在高端产品进口替代上取得了重大突破，进口替代趋势愈加明显，国产替代或即将实现。

南大光电传出在顶尖光刻胶上有所突破的消息值得我们开心，这无形之中给国内的半导体从业者增添了许多信心，也给我们国内的科研工作者带来了希望。对于国内光刻胶的研发你们怎么看呢？