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目前全球芯片制造领域制程最领先的是谁？毫无疑问，就是台积电。当中国大陆最先进的芯片制造厂商还在想办法完成14纳米量产突破时，台积电就已经率先完成了5纳米量产。

那么台积电是不是就没有对手呢？当然不是，韩国三星就是台积电最大的竞争对手。就在近日，外媒传来消息，三星正式宣布3nm芯片流片成功，意味着三星即将领先台积电迈入3纳米制程时代！

三星宣布3nm流片成功，超越台积电？

根据外媒6月29日传来的最新消息显示，三星正式宣布成功完成了3nm芯片流片，随后就将进入规模量产阶段。

此外值得注意的是，三星声称其采用的乃是不同于台积电和英特尔的全新GAA架构，所以生产的芯片在性能上是优于台积电的。

当然，这只是三星的一家之言，其生产的芯片性能究竟如何还有待市场检验。

不过需要知道的是，在本月初由台积电举办的2021年技术研讨大会上，台积电高管曾透露其3纳米制程的最新进展，称3纳米将继续采用FinFET架构，相比于上一代工艺，N3（3纳米）不仅会有15%的性能提升，同时还会比N5（5纳米）功耗降低30%。

更重要的是，台积电预计在2022年下半年即可实现3纳米芯片量产， 届时将会为苹果公司代工。

但是就目前看来，三星3纳米芯片已经流片成功，预计最快明年上半年即可实现规模量产，那么这是不是可以说三星已经领先了“吃老本”的台积电呢？

为什么说台积电“吃老本”？

这里我为什么要说台积电“吃老本”呢？其实还是和FinFET架构有关，三星之所以一直无法超越台积电，就是因为在FinFET架构技术上的技术积累不足。

据悉，FinFET架构的发明者乃是美籍华人胡正明教授，其不仅是美国工程院院士，同时还是我国科学院的外籍院士。

胡教授的过往功绩我这里就不赘述了，简单一句话，如果没有胡教授发明的FinFET架构延续摩尔定律，那么全球半导体产业到现在可能都还无法突破20纳米及以下高端制程。

那么这和台积电有什么关系呢？

写在最后

也正是因为胡正明教授的帮助，台积电这才能够在短短4年时间内完成了鳍式场效晶体管（FinFET）技术的积累，此后台积电的工艺都是在这个技术上进行拓展升级的，包括即将于2022年下半年量产的3纳米制程，采用的也是FinFET技术。

所以从某方面而言，台积电就是一直在吃FinFET技术的老本。

当然，就目前看来，3纳米已经逼近当前物理材料的极限，台积电或许再也享受不到FinFET技术的余荫了。（台积电2纳米制程将采用GAA架构）

写在最后

为全球半导体产业“续命”的乃是一位华裔教授，这是不是出乎了很多人的意料？

事实上，华裔为全球半导体产业做出的贡献远不止于，按照中微半导体老总尹志尧的说法就是，关于集成电路产业，“我们给外国人做嫁衣，已经做了很多事情了！”

如今中国芯片供应量严重不足，究竟如何才能突破封锁，实现自研自造？

其实很简单，正如华为创始人任正非所说的那样，发展半导体产业，不仅要砸钱，更要砸数学家、物理学家！

只要高级人才到位了，就算不能在短时间内取得突破，那么从长远发展来看，也算是保留了另辟蹊径，后来居上的可能性。

更何况，如今的硅基芯片已经趋近物理极限，这不正是中国芯片产业努力追赶的大好时机吗？