Intel芯片落后？慌都不要慌！牙膏厂7nm性能吊打三星3nm

目前全球三大晶圆厂商应该是台积电、三星以及Intel，因为全世界也只有这三个厂商能量产10nm及以下的先进制程芯片，而其他晶圆厂能量产14nm就已经算是比较出色的了，比如我国的中芯国际以及美国的格芯，更多厂商还是在成熟工艺上徘徊，不影响赚钱，但在技术上的确要比三大晶圆厂落伍很多。

当然在大多数人眼里，台积电和三星应该是在技术上最强的，不但包揽了ASML大多数EUV光刻机，同时两家公司都已经攻克了3nm制程的工艺，会在明年正式量产3nm。甚至于在纸面实力上，他们已经量产了8nm、7nm、6nm、5nm乃至4nm，现在还没有其他任何一家公司有机会达到，即使是Intel也要在后年才能量产7nm的芯片，现在甚至还要让台积电帮自己代工部分芯片。

不过要是你真的认为Intel在芯片工艺技术上就落后台积电以及三星很多，那就大错特错了。一直以来，我们都在普及这样一个概念，那就是Intel的芯片工艺，在规范上和台积电以及三星并不一样。Intel的制程工艺要严苛得多，而三星以及台积电的先进制程则相对要比Intel宽松太多，甚至可以说是缩水。事实上，如果从每个阶段的芯片性能来看，Intel看似落后的工艺其实并不比台积电和三星弱。

比如在10nm芯片的工艺上，虽然台积电和三星早早就实现了量产，但是每平方毫米只能做到5000万颗晶体管左右，那么Intel呢？每平方毫米的晶体管可做到1.08亿颗，是三星和台积电的两倍。这也就意味着如果三家公司都用10nm做一颗同样的芯片，那么Intel的芯片性能将比三星和台积电高出很多。

而在7nm芯片方面，虽然Intel要后面才能量产，但是每平方毫米的晶体管可达到1.8亿颗。至于台积电则是9700万颗，三星则是9500万颗。就算是台积电和三星的5nm芯片，也只能在每平方毫米做到1.73亿颗以及1.27亿颗晶体管。也就是说虽然现在三星和台积电都能量产5nm芯片，但它们的芯片性能是不如Intel的7nm的，也难怪有传闻说Intel的7nm芯片问世后，有可能直接改名为5nm，这样技术上不输给对手，又有比较好的名声。

更好笑的是，台积电在明年量产的3nm，每平方毫米可以做到2.9亿颗晶体管，这算是超过了Intel的7nm不少；但是三星的3nm，每平方毫米只能做到1.7亿颗晶体管，也就是说三星的3nm芯片，不但比不过台积电的5nm芯片，甚至比Intel的7nm芯片还差，这的确有点搞笑了。也难怪三星的5nm被这么多人说成翻船，功耗又大性能又差，就看这技术规格，也难怪骁龙888推出后被不少人诟病。

至于Intel的5nm，暂时还没有什么消息，不过Intel由于在技术上的优势比较大，所以7nm就能用很多年了，毕竟台积电和三星的5nm相比Intel的7nm，差距还是不小的。据说Intel的5nm工艺，能做到每平方毫米三亿颗晶体管，估计这个性能应该是三星的2nm或者1nm工艺才能做到的。所以对Intel来说，一味追求芯片技术的数字意义不大，将每一代芯片制程彻底发挥出来才是最关键的。

Intel今年和明年的CPU都会是自家的10nm工艺，这真不算落后了，毕竟比三星的7nm还强。倒是在GPU上，可能用上台积电的7nm甚至是5nm工艺，这也不是说觉得台积电的技术就比自己好，还是考虑有其他商业考虑。至于后年推出的7nm工艺，不出意外Intel至少会用三年等待自家5nm工艺的成熟，只不过大家也别用传统的眼光去认为Intel在芯片制程上技术不足，实际上Intel依然是这个星球科技能力最强大的公司之一。