嫌制程太落后，想用7纳米酷睿处理器？英特尔：2023年安排

Ann B. Kelleher资料图

多年来，英特尔一直因为芯片制造工艺大幅落后于竞争对手广受质疑嘲讽，作为芯片制造厂商，其工艺落后于三星和台积电，作为处理器厂商，其处理器制程落后于老竞争对手AMD。

现在AMD的Ryzen 7000系列处理器已经是基于5纳米工艺制造的了，而英特尔的13代酷睿仍然是基于10纳米（官方的叫法是“Intel7”工艺），工艺上已经落后两代以上了，处境确实很尴尬。在这种背景下，业界和广大数码爱好者都非常关心英特尔未来在提升芯片制程方面的具体规划。

近日，在国际电子元件会议（IEDM）大会上，英特尔技术开发总经理Ann B. Kelleher（图一）发言分享了该公司未来的芯片制造和设计路线图，事实上，这已经不是英特尔第一次公布类似的规划了，但这是最新的一次。

Ann B. Kelleher表示，从现在到2025年，英特尔将逐步推进落实Intel 7（10纳米）、Intel 4（7纳米）、Intel 3（3纳米）、Intel 20A（2纳米，又称20埃）和Intel 18A（1.8纳米，18埃）工艺。

据悉，目前Intel 4工艺已经准备就绪，Intel 3工艺也将于 2023年下半年推出，明年英特尔将发布代号为Meteor Lake的第14代酷睿，将内置多个小芯片，每个小芯片使用不同的工艺技术制造。

第14代酷睿将包含四个“小芯片”（英特尔官方的称呼是“Tile”，AMD官方的称呼是“chiplets”），分别是计算小芯片（Compute Tile）、图形小芯片（GFX Tile）、IO小芯片（IO Tile）和SOC小芯片（SOC Tile） ，请参阅图三。

已知14代酷睿计算小芯片（CPU 内核）将使用英特尔Intel 4工艺制造，图形小芯片可能使用台积电的N3或N5工艺制造，这些小芯片使用英特尔的Foveros 3D技术进行互连，类似于业界常说的“堆叠”，请参阅图四和图五。

Foveros是一种在多个小芯片之间提供高速通信的技术，可将多个不同类型的小芯片连接堆叠在一起，包括CPU、GPU 和 AI小芯片等等，可提供与单个大型处理器几乎相同的性能，这是未来芯片厂商设计思路的大趋势。

到了2023年下半年，英特尔将开始逐步过渡升级至Intel 3工艺，将首先用于制造代号为Granite Rapids和Sierra Forest企业级数据中心处理器，Sierra Forest将开始内置节能内核，可与其它具有多内核的各种基于Arm架构的处理器进行竞争。

到了2024年上半年，英特尔计划推进Intel 20A工艺，未来将用于制造代号为Arrow Lake的第15代酷睿处理器。如果计划顺利完成，英特尔的20A将是业界首个商用的2nm级节点工艺，届时将足以与台积电的第三代3纳米级（N3S，N3P）工艺竞争，将一举扭转落后不利的局面。

到了2025年下半年，英特尔将继续推进Intel 18A工艺，也就是1.8纳米工艺，有朋友可能会觉得这非常遥远，还处于早期的PPT阶段，事实并非如此。据悉，目前英特尔基于 Intel 20A和Intel 18A工艺的早期测试芯片已经成功流片。

当然，这只是英特尔方面的主观规划，至于最终能不能按部就班地落实，从英特尔以往糟糕的工艺提升记录来看，确实不那么让人放心。到底能否如期落实，2023年其14代酷睿处理器能否顺利用上Intel 4工艺，最终的实际性能和功耗表现如何，将是一项非常关键的评判指标。