2 nm技术的竞争，中芯专注于55 nm，外媒称，中国核心技术被低估了

2 nm技术的竞争，中芯公司专注于55 nm，国外媒体称，中国的核心技术被低估了。

台积电、三星，这两家公司在晶圆技术上的竞争非常激烈，5 nm制程技术的突破，令3 nm、2 nm、1 nm制程的竞争更加激烈。众所周知，美公司推出一项新的晶体法，向台积电、三星等晶圆企业发出邀请，欲在美设厂，老美更是对中国芯进行限制。比如台积电，台积电现在正筹划到美建厂，如果台积电按原计划在美建厂，则中国的先进制程芯片工厂将无法在十年内大规模生产。

就像老美对 ASML公司提供光刻机给中国高技术公司提供同样的条件，虽然无法提供高级 EUV光刻机，但是已经过时的 DUV光刻机却可以随意销售。很明显，美国这是在拖延中国的发展，不让中国的技术公司有机会接触到更高的技术。

在美国对芯片的压制下，吴汉明这位中国的学者说过，与欧美的技术相比，中国目前最需要解决的问题，就是成熟的技术。不知道是不是吴院士的那句话起到了作用，还是中芯国际那边传来了一个好消息。

据了解，中芯国际在55 nm BCD制程上取得了重大突破，目前正在进行试生产。这条新闻一出，国外的媒体纷纷表示，“小看了中国的芯片。”也许有些人会觉得奇怪，三星已经在3 nm制程上做到了，台积电的3 nm制程也要在九月份开始，而且两大晶圆公司都定下了“2025年大规模生产2 nm”的目标，中芯国际不过是在55 nm制程上取得了突破性进展，又有什么好奇怪的？

首先我们要知道 BCD制程是什么，简单的说， BCD制程是一种单一的制程技术。在一个芯片上，要将 B (Bipolar) C (CMOS) D (DMOS）集成到一起，欧洲的 BCD技术还停留在90 nm，中芯国际在55 nm制程上也有了突破，这怎么可能？

其次， BCD技术广泛应用于汽车、自动化、电视、计算机等行业，具有较高的集成性和较低的功耗。中芯国际在55纳米 BCD技术上取得了突破性进展，成为国内 BCD技术平台领域的佼佼者，成为“中国芯”的另一个重大突破。

毋庸置疑，像台积电和三星这样的晶圆厂商，在先进制程晶片上仍占有相当大的技术优势。但是中国芯的恐怖之处，是其令人震惊的发展。中国是世界上最大的晶片进口国，但是，目前国内的科技公司对晶片的需求却不在高端晶片上，而在中低端晶片上则占主导地位。

中芯国际占据了成熟的芯片市场，正在扩大28 nm以上的成熟工艺，为的就是扩大成熟的芯片产能，稳定国内的芯片。只要我们能做到中低端的芯片自给自足，就可以极大地减少对美厂商的依赖，减少“卡脖”的危险。

美国方面虽然想尽办法，不让中国芯有机会接触到先进的芯片，但从一开始，他们的出发点就不对，我们现在的重心，应该放在成熟的制程芯片上。不得不说，美国人的行为实在是太蠢了！没有人能在不会走路的情况下就开始跑步。

集微评：中国的半导体产业所面对的问题，并不只是工厂的问题，而是如何解决人才的短缺，尤其是高端人才的短缺，以及技术的突破。

现实是如此的残酷，迫使中国必须加强“缺芯”的产业链，以建立中国完整的产业链。而在关键的产业链技术方面，中国必须要找到一种方法来掌控自己的命运。虽然我们国家的科技水平有了很大的提升，但是我们不会就此罢休，我们会不断的研究，不断的掌握新的技术，在这个世界上，就是用实力说话！等着中国的芯片自己开发，美国就不能对中国的技术进行限制了！我要再一次谢谢各位媒体的关注，中国的工业软件将会越来越好！

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