光刻机和蚀刻机是什么？

光刻机与蚀刻机是生产芯片的两大重要机子，可以说一个是魂，另外一个是魄。至于说这两个机子的具体功能是什么呢？

最简单的解释就是：光刻机把电路图投影到覆盖有光刻胶的硅片上面，刻蚀机再把刚才画了电路图的硅片上的多余电路图腐蚀掉。这样看起来似乎没什么难的，但是有一个形象的比喻，每一块芯片上面的电路结构放大无数倍来看比整个北京的线路图都复杂，这就是这光刻和蚀刻的难度。这两者的加工精度是头发丝直径的几千分之一到上万分之一。以16nm的CPU来说，加工尺度为普通人头发丝的五千分之一，加工的精度和重复性要达到五万分之一，更不用说更先进的10nm及7nm的CPU了。

我国光刻机的水平

我国目前生产光刻机最为先进的企业为上海微电子装备（集团）股份有限公司，这是一家有着国资背景的企业（前两大股东均为国有企业），成立于2002年，至今已有17年的历史，实现了我国光刻机从无到有的地步。

光刻机从出现到现在一共历经了五代的发展，现在世界上最新进的光刻机生产企业为荷兰的ASML（阿斯麦），已经可以做到第五代EVU的7nm制程的量产，上海微电子虽然发展速度很快，但是目前只做到了光刻机第四代ArF的90nm制程，且尚无法量产。按量产能力来说差了近两个年代，按照研发能力来说，差了一个年代。所以我国的光刻机水平距离世界领先水平还是有较大的差距的。

我国的刻蚀机水平

国内生产刻蚀机水平最高的企业为中微半导体设备（上海）有限公司（这家同样是有国资背景的企业，前两大股东也是国有企业，所以有人说我国光刻机没发展起来是因为国企的原因，这是不对的，中微半导体也可以说是国企，但是刻蚀机的技术水平是世界领先水平的）。

中微的发展离不开尹志尧为代表的几十位海归技术专家。根据央视财经2017年的报导，尹志尧曾经担任应用材料的公司副总裁（应用材料是半导体设备厂商龙头老大），参与领导几代等离子体刻蚀设备的开发，在美国工作时就持有86项专利。

2004年的时候尹志尧和他的团队决定回国，不再给外国人做嫁衣，在回国之际，所有技术专家承诺不会把美国公司的技术，包括设计图纸、工艺过程带回国内，美国方面也对归国人员持有的600多万个文件和所有个人电脑做了彻底清查。

2004年回来之后，国家牵头设立了中微半导体公司，尹志尧等人重新投入研发刻蚀机，仅仅用了3年的时间就做出了世界领先的高性能刻蚀机，为此美国人无法接受，还起诉了中微半导体专利侵权，但是最终的验证结果是没有任何的侵权。（这才是中微半导体比上海微电子发展快的原因，毕竟上海微电子的没有人才在荷兰的ASML工作过，也许正是因为这件事，所以美国现在禁止ASML招聘中国的员工）。

随着中微半导体的兴起，2015年美国商业部工业安全局还特别发布公告，由于认识到中国可以做出具有国际竞争力的等离子刻蚀机，所以决定把等离子刻蚀机从美国对中国控制的单子上去掉了。因此在刻蚀机领域，我们目前已经是处于世界领先水平了。

长期以来，我们的大部分芯片都需要进口才能给满足使用，包括安卓手机中大部分都是使用的来自高通的骁龙处理器，而电脑中也是来自英特尔的处理器，甚至一些空调这些家电中的芯片也需要进口才行。

为何明知需要芯片，可大部分芯片还是需要进口才能满足呢，这很大一部分原因是和国外有关的，在一些高端科技领域，国外对我国采取的是封锁政策，所以，我国在芯片这一领域的发展是比较落后于国外的。

而前段时间的中兴事件，也可看出芯片对于我国的重要性，只要在芯片领域有所突破，才不会长期受制于人。

说起芯片，便不得不提芯片制造所需要的装备了，制造芯片主要需要用到光刻机和蚀刻机这两款装备，光刻机和蚀刻机是制造芯片的核心装备，而我国在这一领域长期落后。

那么，什么是光刻机和蚀刻机呢？

简单来讲，光刻机通过光在晶圆上进行刻画电路，光刻机采用类似照片冲印的技术，把母版上的精细图形通过曝光转移至硅片上，一般来说，光刻分辨力越高，加工的芯片集成度也就越高，但传统光刻技术由于受到光学衍射效应的影响，分辨力进一步提高受到很大限制，为获得更高分辨力，传统上采用缩短光波、增加成像系统数值孔径等技术路径来改进光刻机，但技术难度极高，装备成本也极高。

而蚀刻机就是将多余的地方去除，从而形成一个完整的电路，蚀刻机主要在半导体和线路版制程上，蚀刻图纹、花纹、几何形状，并精确镂空，特别是每个线条和深孔的加工精度都是头发丝直径的几千分之一到上万分之一，精度控制要求非常高。

就目前来说，这两台比较先进的机器都需要到国外去购买。因为长期以来，这两款装备的核心技术一直被国外厂商垄断，有钱都买不到，国外基本上都对我国施行封锁政策，这也是我国在光刻机和蚀刻机这一领域相对较落后的原因。

不过，在2018年11月29日，中科院光电技术研究所承担的国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收，这是世界上首台用紫外光源实现了22纳米分辨率的光刻机验证机。

而在此前，我国自主研发的光刻机主要光刻分辨力也才65nm至28nm，对于高端设备方面的应用还是不足的。

而世界最先进的光刻机，荷兰EUV极紫外线光刻机能够生产7nm级别的芯片，虽然同比与荷兰的光刻机，我国的还是比较落后的，但目前来说，确实是很难得的。

据中科院理化技术研究所许祖彦院士等验收组专家一致表示，该光刻机在365纳米光源波长下，单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米。项目在原理上突破分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过国外相关知识产权壁垒。项目副总设计师胡松介绍，中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备，打破了传统路线格局，形成一条全新的纳米光学光刻技术路线，具有完全自主知识产权，为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等变革性领域的跨越式发展提供了制造工具。

据了解，这种超分辨光刻装备制造的相关器件已在中国航天科技集团公司第八研究院、电子科技大学、四川大学华西医院、中科院微系统所等多家科研院所和高校的重大研究任务中得到应用。

2019年4月17日，武汉光电国家研究中心甘棕松团队遵循诺贝尔化学奖得主德国科学家斯特凡·W·赫尔的超分辨荧光成像的基本原理，在没有任何可借鉴的技术情况下，采用二束激光在自研的光刻胶上突破了光束衍射极限的限制，采用远场光学的办法，光刻出最小9纳米线宽的线段，实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新。

在蚀刻机方面，在2018年下半年也传出喜讯，我国攻克5nm蚀刻机，上海中微半导体已经成功的研发出了可以用于5nm工艺生产的蚀刻机，近日已经通过了台积电的验证，并且未来将被台积电用来生产5nm工艺的芯片。

如今，我们在光刻机和蚀刻机这款核心装备上都取得了不小的突破，同时也在不断地追赶，缩小与国外的差距，要不了多久，我们定能再次有所突破的。

    我国的光刻机处于低端水平，刻蚀机水平位于世界前沿，下文具体说一说。

    我国的光刻机和刻蚀机

    我国光刻机的最高水平是上海微电子的90nm制程，世界顶尖的光刻机是ASML的7nm EUV光刻机，ASM已经开始研制5nm制程的光刻机。相对来说，我国在光刻机制造领域与国际先进水平有很大的差距，高端光刻机全部依赖进口，我国的中芯国际今年将会引进ASML最新的7nm制程的EUV光刻机，一定程度上减小了与台积电、三星的差距。

    我国的刻蚀机技术领先，中微半导体的介质刻蚀机、硅通孔刻蚀机位于全球前三，中微半导体的介质刻蚀机赢进入台积电7nm、10nm的生产线，中微半导体的刻蚀机制造工艺达到了5nm，已经通过了台积电的验证。，我国大陆晶圆代工厂中芯国际50%以上的刻蚀机采用了中微半导体。

    提到中微半导体，不得不说尹志尧博士，尹志尧在美国硅谷从事半导体行业20多年，在世界最大的半导体企业担任副总裁。2004年时，60岁的尹志尧放弃美国百万年薪，带领三十人的团队，回国创办了中微半导体，在芯片制造设备领域与巨头直接竞争。

    刻蚀机的重要性

    刻蚀机是芯片制造设备中重要性仅次于光刻机的第二重要设备，光刻机相当于画匠，刻蚀机相当于雕工。

    光刻机，用比较形象的描述就是将电路图印在晶圆上，刻蚀机把光刻机印好的图案刻在晶圆上，主要利用化学途径选择性地一处沉淀层的特定部分。

    刻蚀机主要分为介质、多晶、金属等几种，目前比较流行的是介质刻蚀，占比超过了50%，我国中微电子的介质刻蚀可以实现5nm的制程。

    在芯片制造领域，我国的短板在于光刻机，与国外先进技术有一定的差距。刻蚀机处于世界领先的水晶，特别是中微电子的5nm芯片刻蚀机，此外还有北方华创的刻蚀机、盛美的清洗设备，处于世界领先水平。

感谢您的阅读！

在光刻机上，国外的技术掐住了我们的咽喉；美国更是联合一部分国家制定了《瓦森纳协定》，严禁向中国出售最新的几代设备。而目前在光刻机市场，占据80%的ASML，自然也遵守着《瓦森纳协定》，特别是ASML已经成为全球唯一一家能向客户供应最先进EUV光刻机的设备商，让我们在光刻机上备受掣肘！

如果说光刻机严重的制约了我国半导体的发展的话，那么蚀刻机方面，我们的压力可能就没有那么大了。我们知道，光刻机是把电路图投影到覆盖有光刻胶的硅片上面；而刻蚀机再把刚才画了电路图的硅片上的多余电路图腐蚀掉。所以，两样设备是相辅相成的，缺一不可。

如果说，光刻的过程是硅圆表面涂上一层光刻胶，通过紫外光透过掩膜照射到硅圆表面，我们发现，在被照射的部分腐蚀之后，形成了我们需要的电路。而

而蚀刻就需要通过将已经光刻好的晶圆，切除掉多余的部分，剩下电路结构。其实，我国在光刻机上虽然表现不佳，但是在蚀刻机上，却表现相对优异了。比如，我们知道的中微半导体。在央视的《大国重器》中，就对它进行了介绍。

中微半导体于2004年由尹志尧博士代领的海归人才创办，它推出的7nm、10nm芯片介质刻蚀设备已经打入台积电的量产线，占据中芯国际50%以上的新增采购额。

2018年12月份，中微半导体成功攻克下5nm蚀刻机，并且通过了台积电的技术认证，可用于实际生产，可以说我们在蚀刻机上，又再一次获得了成功。

我们也要看到，虽然我们在蚀刻机上的成绩突破了国际的技术封锁，在光刻机上这个问题没有那么简单。因为目前仅仅是完成了5nm蚀刻机的自主研发，但是还差一个很重的设备，也就是光刻机上，目前的上海微电子等企业和ASML还是有很大的距离，ASML已实现7 nm EUV光刻先进工艺，而上海微电子由于起步较晚且技术积累薄弱，目前技术节点为90 nm，且多以激光成像技术为主。

因此，我们在看到蚀刻机的优势情况下，也应该提升光刻机的水平，在未来这种局势也会被改变，我们相信在我国的坚持下，和蚀刻机一样，一定会带来不一样的成绩！

我回答的题目是：

中国芯片水平：

“两头凸，中间凹”之后是登顶

不错，迄今为止，中国光刻机距离世界顶尖水平还有较大差距。

关键程度原本比光刻机低的蚀刻机在中国已达到了5纳米。5纳米无疑是世界领先水平，没错！然而，只有又是实现了国产化的5纳米，那才算是真正的全球顶尖水平了，过去和现在还有未来都不能不考虑到世界上存在美国这个最大的动荡源和风险点啊！问题就出在这，到如今，是14纳米而非5纳米的中国蚀刻机实现了国产替代，这就表明与世界顶尖水平同样还有较大差距，虽然，全球第一的外国蚀刻机也非一国产，而且连作为世界顶级芯片制造商的台积电也用上了中国5纳米刻蚀机；据报道，外国因为这个5纳米而不再将蚀刻机技术列在封锁中国的清单里了。倒是，此蚀刻机的14纳米非已量产的国内芯片制造工艺的14纳米可比，距离顶尖水平的差距小了不老少。

中国芯片技术整体上同样距离世界顶尖水平还有较大差距。这是由包括光刻机和蚀刻机在内的国内产业链所有环节与世界顶尖水平的差距造成的。如果再“减去”非国产化，即刨除整个产业链中所含有的多个国尤其美国的技术，则实际或者叫真实的整体差距就应该是很大的了。

过去耽误的时间若不是很长则如今整体的差距就不会很大。中国芯片技术60年历史中有30来年停滞不前，实质上是由于不思进取，亦即主要由于不求自立更不求自强，重复在低端水平；还由于风险意识薄弱，这则是由于没有意识到以不自主的姿态参与全球化是不安全的，不自主竟然致使以不高端姿态参与全球化也是不安全的，连中低端的水平也会因为不实、不纯而保持不住，结果是，迄今为止，让中国芯片技术出现了 1 个“两头凸，中间凹”的发展型，前10年虽然距世界顶尖水平也有差距，却不是较大的，一定算是在全球芯片领域凸起了，后20年也一定算是凸起了，而且比前10年凸起得还高，当然肯定算不上崛起或高起以及登顶，实际上还比前10年距离世界顶尖水平的差距大了。

好在后20年也是凸起的！好就好在，中国芯片技术不仅仅实际水平已经比前10年明显高了，关键是还具有了更多的技术积累、更高的技术基础，特别是好在重现了海外中国赤子又像前10年那样归来的情形，肯定似潮涌；应该仍旧算是 1 个小高潮，却是新的，又高过了前10年，在“方舟”、“龙芯”、“星光中国芯工程”、展讯芯片等等的研发团队中都可看到海外赤子的身影，甚至有成群结队的，总之是更多的海外赤子参与到了中国芯片技术的研发链和创新链诸环节中，而且，不仅是“学成归来”的，而且是“实作归来”的，不乏技术精湛、经验丰富者，以至芯片业大咖，领军人才级别，关键在于这些人正是那20年并且是现在、未来中国内尤为缺乏的，稀缺资源、珍贵无比，也正是海外赤子支撑起了前10年的凸起，奠定了中国半导体事业的基础。

海外赤子为什么会在后20年潮涌般归来？探讨这个现象的意义很重要！就像前10年那样，是由于我们国家决意把芯片设计搞起来，不止是凸起来，更要高起来，崛起成世界顶尖水平，此意昭彰！也就是感召力显著，恰恰，正合了那些海外赤子发自内心的意愿！中国芯片技术发展历史就是这样的惊人相似。后20年倒是与前10年有不同之处，我们国内经济空前发展起来了，工业体系更加完整了，相关和配套的技术水平如前所述也有了整体性提升；最重要的是，支持芯片技术发展的政策、措施更为有力、齐全、配套了，氛围也更加健康、浓郁了。

中国芯片技术历经“两头凸，中间凹”，在未来必定崛起。只因为整体上是立足于更高的基础、乘载在向上的势头，特别是因为当前的环境愈加良好、动力愈加强劲，我们国家已将集成电路视为战略新兴产业，将芯片技术视为战略技术，规划、规制、推进、支持、支撑、激励的力度更大了，重要标志之一是已经把集成电路列入首批国家级战略性新兴产业集群当中，当然是重点的，从在66个集群当中占5个即可判定，所以，有理由相信，海外赤子的归来会更如潮涌，与本土的有志于提升中国芯片技术水平的赤子汇聚在一起，所形成的一定是大潮，共同掀起的一定是新中国建立后的第一个最高潮，撑起、托起的必定是与世界顶尖水平同高的中国芯片技术水平。

其实中国的实力已经很恐怖了，看看我们研发要比拼多少个国家联合的技术封锁。光刻机实验室阶段的差距还有一代半多点，比拼的是荷兰，中国刚研发完成9nm，荷兰快研发完成5nm，但注意中国是隔代研发跳跃式发展的，演进路线是65nm>22nm>9nm>3nm/5nm，一旦研发成功就会追近1-2代差距，而3nm工艺将是目前的工艺极限，因为量子效应，除非同时突破当前的材料、光刻、刻蚀技术，这些中国也在找，然而目前大家都一项没突破，也就是说差不多不到5年以后，制程工艺将停滞发展一段时间等待中国追赶到相同水平，然后大家再找到其他发展方向一起从同一起跑线上开始重新发展；蚀刻机差距不到半代，比拼的是美国，芯片领域一代时间不过3年，以目前中国的发展速度来看，下一代就能追上了；系统比拼美国，说实在不是技术问题，而是生态建立、厂商适配、应用适配的问题，静等华为鸿蒙出来和开源吧，原来的阿里云系统也还可以，奈何阿里既没有手机生态、也不是手机厂商，更不是应用的主要开发者尤其是出海应用，所以发展不起来，希望华为鸿蒙出来后开源，国产厂商逐步采用，国产应用尤其是抖音海外版tiktok、uc浏览器海外版这些海外明星级应用逐步适配，而华为本身就在海外市场拥有巨大销量，手机硬件生态本来就在中国尤其是华为所在的深圳周围，比如iot硬件产业，这样鸿蒙系统才有希望挤掉安卓，跟ios一较高下；基带一流，比拼的是美国；基站技术一流，比拼的是瑞典爱立信和芬兰诺基亚；基带、基站技术主要说的是华为，这方面希望中兴、大唐电信、瑞芯微、中芯等企业也能起来，毕竟百花齐放才对消费者最有利，对外我支持华为，对内来说我反对华为，现在华为已经表现出一些寡头特质了，产品国内售价越来越高，利润越来越大，华为一些具体业务负责人打压国内竞争对手的手段也越来越没有底线，炒作营销越来越靠煽动爱国情绪，仿佛只有华为能代表中国制造，涉足的产业也从原来的企业业务扩展到手机、笔记本、平板、电视以及整个iot产业甚至无所不包，企业的本质是追求利润，企业的本能是扩张，不希望华为成为下一个韩国三星，韩国全国人民生老病死全部围绕着三星，三星衰弱韩国就衰弱，一个国家命运被一个企业命运左右。偏题了，继续说手机产业链。闪存运存屏幕要比拼韩国+日本+美国，闪存运存技术产能都是二流，这方面中国已经算遍地开花，5年后就是现在显示屏产业的翻版，屏幕技术二流产能一流，京东方天马还有另外几家充分竞争，技术上追上三星也是早晚的事；处理器制程工艺比拼中国台湾＋韩国，目前二流，基本追上美国格罗方德的水平，这个比台湾台积电低一些也不是大问题，主要是因为买不到最新的光刻机蚀刻机之类的设备，在10、14nm工艺应用领域多积累经验，等待国产光刻机、蚀刻机技术追赶上并且成熟；处理器架构设计比拼英国ARM，目前在研发阶段，暂时算不入流，因为谁也不知道出来时是什么水平，对比不了，全世界除了ARM都只能算不入流；处理器设计二流，比拼的是美国+中国台湾，目前设计水平二流，低于美国持平中国台湾，CPU都用的ARM架构进行设计，美国高通能魔改ARM架构达到比ARM公版架构性能、功耗更好，中国和台湾联发科只能用公版架构，GPU高通完全自研且性能功耗比ARM公版架构好不少，而中国大陆和台湾联发科都基本用的ARM公版架构授权，产能方面大家都一流，都差不多，台湾和大陆主要在中低端，美国在中高端；电池比拼日本，技术准一流，量产锂电池能量密度方面日本比中国强不到10%，同能量密度锂电池中国产价格只有日本产的60%出头，中国产能一流，也是日本做最高端和高端，中国做高端和中低端，比拼这个已经没有意义，因为中日美都在研发新型电池，技术水平也差不多，谁先突破并且成本降到消费级谁越有优势，传统电池都完蛋；还有些小的领域，传统的比如射频芯片，美国一流；比如触摸屏，中国一流，这个中国一家独大，别瞧不起，技术中日美韩都有，但产能都在中国，你不生产就没有钱投入持续研发，几年以后总归是有差距的；新兴的比如屏下指纹、屏下摄像头、人脸识别、AI、AR/VR、外壳新材料、折叠屏等，技术都是一流，同时比拼美国+韩国+日本+中国台湾，这些领域是真不看好中国以外其他几家，一开始对中国就没有技术优势，他们刚有技术还没啥产能，就被中国技术追上产能上还碾压了，很像无人机领域的大疆，他们不仅输在起跑线上，让中国获取了利润建立了竞争优势，而且市场还在中国手上，想培育竞争企业都做不到。这几年苹果三星手机采用的新技术越来越少就是因为这原因，刘海屏、水滴屏、升降摄像头式全面屏到真全面屏的演进上三星苹果变成追随者就是因为这原因，因为屏下光学指纹识别、屏下摄像头这些实现真全面屏的关键技术中国都是第一流的，这些技术美国彻底掉队，日韩机器在某一方面能跟中国较量，本国新技术一出来中国厂家就用销量迅速帮他们市场化，很多企业就因为一个技术三五年时间就被培育成领域内的龙头企业，比如指纹识别领域的汇顶科技，先是在后置指纹识别时代跟上世界先进技术，把指纹识别模组白菜化，然后研发光学指纹识别，全面屏时代就碾压同行了。中国是以中国市场培育技术萌芽，然后出海抢夺国际市场份额壮大产业，面对国外企业是我强一分敌弱一分的打法，只要再给5年时间让中国手机充分占领国际市场，侵夺苹果三星的市场份额，最后不管运存闪存处理器，还是架构设计制程工艺系统研发，都会在中国企业面前逐步沦陷，现在的运存闪存很像5年前的京东方，技术落后一点，成本优势蛮大，然后疯狂融资扩充产能扩大成本优势，先在国产低端手机上采用走量冲击市场，逼迫三星等企业因为利润下滑或者亏损而放弃低端市场，先在量上做到世界第一，然后利用利润利用中国人才成本上的优势，加强研发，最后外国企业的高端市场同样不保，复刻中国在屏幕、手机、家电等行业的发展轨迹。

光刻机和蚀刻机一直都是当前最热的话题，可以说光刻机是芯片制造的魂，蚀刻机是芯片制造的魄，要想制造高端的芯片，这两个东西都必须顶尖。

生产芯片的过程很复杂，简单的一句话总结这两种机器各自的作用：光刻机把电路图投影到覆盖有光刻胶的硅片上面，刻蚀机再把刚才画了电路图的硅片上的多余电路图腐蚀掉。

通过两种机器各自的作用，就能判断出来光刻机和蚀刻机哪个的技术难度大了，一个是刻图像一个是腐蚀去掉多余的部分，所以光刻机的难度大于蚀刻机。目前我国已经能生产顶尖技术的蚀刻机了，但是高端的光刻机还生产不出来。很多网友也都知道这个结果，那么我国能搞定的高端蚀刻机在世界上到底处于什么样的地位呢？

中微半导体

虽然目前蚀刻机市场的份额占比依旧是西方厂商优势明显，但在诸多蚀刻机制造厂中，有一家中国蚀刻机制造企业-中微半导体，已经成功打破西方技术垄断。其不仅是中国半导体行业领军者，更是中国唯一的蚀刻机巨头。据公开资料显示，中微半导体成立于2004年，多年来一直坚持自主研发，早在2018年时该公司在全球范围内的相关专利申请量就达到1200多项。

中微半导体早在2017年4月便领先世界巨头IBM两个星期，提前宣布攻克5nm蚀刻机制造技术的喜讯。如今，中微半导体旗下的5nm蚀刻机更是顺利通过晶圆代工领域鼻祖台积电的认证，目前该公司已经开始向台积电供货。

世界领先的中国蚀刻机

我国的刻蚀机技术领先，中微半导体的介质刻蚀机、硅通孔刻蚀机位于全球前三，中微半导体的介质刻蚀机赢进入台积电7nm、10nm的生产线，中微半导体的刻蚀机制造工艺达到了5nm，已经通过了台积电的验证。我国大陆晶圆代工厂中芯国际50%以上的刻蚀机采用了中微半导体。

特别是在介质刻蚀设备领域，中微半导体的电容型介质刻蚀设备已进入全球这个市场的前三名，仅次于东京电子和Lam Research。北方华创方面，它是由北京七星电子和北京北方微电子两家公司在2015年重组而来，2017年才更名为北方华创。北方华创旗下有半导体装备、真空装备、新能源锂电设备及精密元器件四个事业群，并非像中微半导体那样专注于半导体IC和LED的领域，但这四个事业群也都发展成为了技术领先的事业群。

相比光刻机领域，中国在半导体刻蚀设备领域的水平还是很不错的，至少在技术方面，已经接近甚至达到国际领先的水平。但是，我们仍然需要戒骄戒躁，相信大家也能够看到，尽管在刻蚀设备技术方面，我国已经达到了先进水平，但是在完整、成熟的产业链体系打造上，我们还有很大的追赶空间。

国务院发布的相关数据显示2019年我国芯片自给率仅为30%，高端芯片严重依赖进口，芯片进口金额为3040亿美元，远超排名第二的原油进口额，在2025年我国芯片自给率要达到70%。

随着中美贸易战的加剧，美对华为芯片实施的制裁和打压，不仅仅是华为急需解决“卡脖子”的问题，更充分的突显了高端芯片的制造是我国非常破解需要突破的关口。

全球能够生产高端芯片的EUV极紫外光刻机只有荷兰的阿斯麦（ASML）能够生产，ASML从1997年至今就被美国从资本和技术方面循序渐进地进行渗透，并逐步地掌握了阿斯麦的EUV光刻机的产能和发展方向，这就是我国无法买到EUV光刻机的原因。

这就造成了已经进入全球芯片设计也前10位的华为海思、紫光展锐直面芯片产业最为薄弱的领域，高端芯片制造缺失。目前我国量产的仍然是90nm以下的中低端光刻机，14nm仍然不能进行大规模的量产，而台积电、三星已经演化到了最新一代的5nm工艺制程，稳步推进4nm、3nm。

我国刻蚀机的现状

芯片前道工艺包括了光刻机、刻蚀机、镀膜设备、量测设备、清洗机、离子注入机以及其他设备，光刻机的作用主要是将掩膜版上的芯片电路转移到硅片上，而刻蚀机要在光刻之后才闪亮登场，主要就是按照光刻机标注好的线去做基础性的建设，把不需要的地方给清理掉，只留下光刻过程中标注好的线路。

刻蚀是化学过程和物理过程共同作用的结果，比如化学试剂腐蚀，溶液、放映离子或者机械方式剥离等等。刻蚀技术分为干法刻蚀和湿法刻蚀，目前干法刻蚀占了90%的市场份额。

刻蚀设备在全球一样呈现垄断格局，泛林半导体、东京电子、应用材料公司占据了主要的实操份额。我国在刻蚀机领域已经达到了购机同类产品标准，典型的企业有中微半导体、北方华创。

中微半导体研发出主流的5nm刻蚀机并获得台积电认证之后，美商务部就把刻蚀机从对华窗口限制清单上移除。所以只有自己手中有粮，心中才不慌，对手也没有办法借此来打压你。

我国芯片领域发展格局

我国从芯片设计、芯片制造、芯片应用其实已经形成了一条完整的产业链，唯一的缺陷就是高端芯片由于EUV光刻机的原因没有办法制造，只有先造EUV光刻机才能破局。

上游包括了设计、制造、封测，其中封测产业已经具备了一定规模和技术基础，芯片设计也不用多说，华为海思就摆在台面上。据知名半导体市场研究机构IC Insights的市场分析报告中国自2005年成为世界最大的芯片市场后，规模一直在稳步增长，中国芯片市场16年一直稳居世界第一，但大陆产值仅占总量的5.9%。由此可见我国芯片的下游应用宏大前景，却间接地印证了芯片制造确实被EUV光刻机卡住脖子了。

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这么多答案里面，真正比较专业和客观的答案几乎没有，芯片科普之路还有很长。
先讲我的看法，那就是蚀刻设备方面已经是我们国家在半导体生产设备方面和国外差距最小的领域了，但是想要进入全球前3还有比较大的挑战，而蚀刻设备前3的公司垄断超过全球90%的市场份额！
作为半导体生产的核心设备之一，蚀刻设备在芯片生产中用到的地方极多，在整个半导体生产设备中份额处于第三名（前两名是淀积和光刻）。
这个领域也是目前中国唯一有接近世界先进水平的设备公司，那就是中微半导体（AMEC)。
但是，这仅仅说明中微半导体可以有机会和世界领先的半导体蚀刻设备供应商可以同台竞技，要超越这些前辈，中微需要走的路还很长。
下面我们来看看中微在蚀刻设备领域的竞争对手有多强:
1. 拉姆研究（Lam Research）是蚀刻设备领域的绝对王者，拥有超过50%的市场份额，以目前Lam的发展状况和技术水平，在接下来的10年内，无人可以撼动其领导地位。
2. 东京电子 （Tokyo Electron) 在蚀刻设备方面拥有超过25%的市场份额，而且正在朝30%的目标奋进。
3. 应用材料 （Applied Materials) 目前大概占据了15%以上的市场份额，不过应用材料的份额还在不断被前两家所侵占
中微半导体想要在接下来10年内杀进蚀刻设备领域的全球前三名，只有一条路---干掉老东家应用材料。
青出于蓝而胜于蓝，中微半导体是不是可以在10年内把应用材料拉下马，我们可以拭目以待。
另外蚀刻设备技术指标不是用5nm，7nm工艺来评价的，而是宽高比（aspect ratio),一致性（一个晶圆有万亿级的蚀刻目标）和效率，当然新一代的工艺技术指标会有一些相关性。
大家不要被国内一些媒体忽悠说中微半导体拥有的5nm蚀刻技术让对手胆寒什么的，和实际真相差别太大了。
希望能让更多人了解芯片方面的一些基础常识，欢迎大家关注。

ASML光刻机是由荷兰制造，其光刻机器制造在全世界处于领先地位，现在世界上最顶尖的光刻机是EUV光刻机，也就是极紫外线光刻机。这种光刻机，属于ASML公司独家垄断，所以这一家荷兰公司将每一台光刻机都卖到了一亿美元以上。除了ASML光刻机之外还有一家可以制造出比较高端的光刻机，就是日本的尼康，但是其市场占有量很低，初次之外就是ASML，可以说荷兰的ASML每年的产能早已被那些全球著名的半导体企业抢购一空，中国要想获得一台最先进的ASML光刻机，简直难比登天。

中国的光刻机到底和世界先进光刻机差距有多大？

首先中国在芯片制造领域起步比较晚就目前来说，中国不论是在芯片领域还是芯片制造领域都有了很大的发展，尤其是中国的蚀刻机已经达到世界先进水平，5nm等离子体蚀刻机已经通过台积电验证，但是光刻机可能有差了很多此前有报道过中科院SP超分辨率光刻机其实也顶多是个原型机，想要真正和ASML比较还是由很大一段距离，因为还有很多技术性难题需要攻克。

我国目前能够生产光刻机最先进的企业是上海微电子装备集团，成立于2002年，是有着国企背景的公司，基本实现了我国光刻机从无到有的过程。光刻机从无导游一共经历了5代产品，现在世界上最先进的光刻机企业已经可以做到第五代EVU7nm光刻机，上海微电子集团也只能做到第四代，即为90nm制程，并且还无法实现量产，因此这次华虹引进asml公司光刻机用来制造55nm芯片工艺，你就知道这个领域是多困难了。

因此我国在光刻机领域还有很大差距，按照量产能力来说我们整整差了两个年代，因此中国目前想要能够生产出7nm级别的光刻机至少还有10年的路可走。

不过有消息称中科技大学国家光电实验室利用双光束，在光刻胶上首次完成了9nm 线宽光刻。双线间距低至约50nm 的超分辨光刻。未来将这一工程化应用到光刻机上就可以突破国外的专利壁垒，直接达到EUV 的加工水平。但是目前只是停留在实验室理论水平之上，要真正走出实验室应用到实际生产环节还是得有一段时间。