国产DDR4内存终于打破技术限制，实现全套流程国产化，现已经量产

2019年，我国集成电路进口额3000亿美元，相比之下，同年我国进口石油额也只有2400亿美元。并且到了2020年，我国集成电路进口更是达到了3500亿美元，可见我们对集成电路的需求越发旺盛。那么其中约有25-30%左右为存储芯片，所以今天视频我们就来聊聊存储芯片的话题。

先简单介绍一下，存储芯片主要分成闪存和内存两种类型，也就是NAND和DRAM，其中NAND闪存基本上被美日韩企业垄断，例如美光、英特尔、闪迪、东芝、三星、SK海力士，其中三星+SK海力士占了全球45%左右的市场份额，DRAM内存主要被三星、SK海力士和美光主导者，其中三星+SK海力士占了全球70%左右份额。

所以对于我国来说，存储芯片也有被卡脖子的风险。不过好在最近几年，国产存储芯片企业一直在努力，例如长江存储主攻NAND闪存，长鑫存储主攻DRAM内存。这2家都是我国知名的存储芯片企业。不过，今天的视频我们要说的是另一个后起之秀，兆易创新。

兆易创新在6月3日宣布，其首款自有品牌4Gb DDR4产品已经量产，并实现从设计、流片，到封测、验证的全面国产化。

看到这，有人会说，国产DDR4内存不新鲜啊，的确，国产DDR4内存早在2020年5月就有了，也就是采用长鑫存储国产颗粒的光威弈系列Pro DDR4内存，频率3000MHz，电压1.35V，采用1X nm级别工艺制造。据硬件发烧友表示，这条内存超频性能极佳，可以轻松达到4000Mhz的频率，这也证明了国产内存颗粒的性能已经达到的很高的水平。

那么兆易创新这款DDR4内存的特点是什么呢？先抛开性能不谈，我们只说一句，全面国产化就是它最引以为豪的。也就是说，兆易创新实现了DDR4内存的全套流程国产化，关心半导体的小伙伴一定明白，这件事儿的意义有重大。

至于生产环节，我们先要说明的是，目前兆易创新采用Fabless（筏波来丝）模式，自己只设计芯片，不生产，那么之前是由中芯国际，这次的DDR4产品暂未披露代工企业，不过肯定也是国内企业。

兆易创新这款DDR4内存采用的是19nm工艺，计划年底实现17nm。那么这个制程跟前面提到的那些国外企业相比又如何呢？

首先我们要了解一个常识，在内存领域，各个厂家不直接说多少纳米工艺，而是用1Xnm、1Ynm、1Znm、1αnm、1βnm、1γnm来替代。举个例子，19nm就是1Xnm，1αnm就是14nm，所以长鑫存储去年推出的1Xnm的ddr4内存，采用的是19nm工艺。三星、美光目前普遍采用1αnm工艺，也就是14nm工艺，所以，我们跟他们的差距并不大。

另外还有一个好消息是，在苹果公布的供应链名单中，兆易创新也成功入围，代替了来自我国台湾的华邦电子，成为苹果AirPods唯一的NorFlash供应商。可见其实力，同时也预示着兆易创将会迎来持续发展。

目前，我国dram内存颗粒的自给率还不高，主要因为产能的关系，但也无需担心，因为在工艺上的差距不大，并且我们已经可以解决国产化问题，那么根据我们中国人的习惯，相信用不了多久就可以把产能提升上来，不断提高中国品牌DRAM内存的试产占有率。例如长鑫存储的总产能规划，将达到全球的20%左右。

另外，根据IC Insights预计，全球存储芯片市场将会迎来持续4年的高速发展阶段，2020-2025年复合增长率将达到10.6％。2021年，DRAM内存和NAND闪存将会是年增长最快的两个细分领域。其中，DRAM Flash Q2报价涨幅已进入全年峰值，从4月至6月累计涨幅将达到20~25%。同时，预估Q3 NAND Flash合同市场价涨幅将很有可能超过DRAM。

所以面对这样一个强有力的市场，国内厂商应该再加一把劲了，抓住机遇，借力快速发展，早日打破日美韩同类企业的主导地位，彻底实现NAND闪存和DRAM内存不再受制于人。那么我相信，这一天一定会很快到来。

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所以面对这样一个强有力的市场，国内厂商应该再加一把劲了，抓住机遇，借力快速发展，早日打破日美韩同类企业的主导地位，彻底实现NAND闪存和DRAM内存不再受制于人。那么我相信，这一天一定会很快到来。