全球再添一条晶圆生产线，第三代半导体材料有望突破

6月24日，荷兰安世半导体(Nexperia)在其官网宣布，其位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动，首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS(on)和低Qrr，80 V和100 V MOSFET。

据了解，新生产线将立即扩大安世半导体的产能，新的PSMN3R9-100YSF（100 V）和PSMN3R5-80YSF（80 V）器件将具有行业内极低的Qrr品质因数（RDS(on) x Qrr）。器件广泛适用于开关应用，包括AC/DC、DC/DC和电机控制等。

安世半导体(中国)有限公司于2000年01月28日成立。法定代表人容诗宗，公司经营范围包括：研究、设计、开发和测试半导体技术软件、集成电路、电子元配件和其他电子产品；生产和销售半导体、新型电子元器件：片式元器件（微小型表面贴装元器件：片式二极管、片式三极管）；销售自产产品，研发成果转让，上述产品的批发、进出口和佣金代理（拍卖除外），并提供相关的技术咨询、技术服务、售后服务、仓储服务等。

据悉，安世半导体每年可交付900多亿件产品，其产品广泛应用于全球各类电子设计。 随着汽车电气化、5G通信、工业互联网市场的不断增长，GaN、SiC的第三代半导体技术应用正越来越广泛。

安世半导体推出的第三代半导体氮化镓功率器件 (GaN FET)，目标市场包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源，特别是在插电式混合动力汽车或纯电动汽车中，氮化镓技术是其使用的牵引逆变器的首选技术。