英诺赛科8英寸硅基氮化镓芯片生产线量产

近日，英诺赛科（苏州）半导体有限公司举行量产暨研发楼奠基仪式。活动现场举行了英诺赛科（苏州）半导体有限公司“8英寸硅基氮化镓芯片生产线一期第一阶段产能扩展建设项目”签约仪式，量产启动仪式以及研发楼奠基仪式。

△Source：汾湖发布

根据此前的资料显示，英诺赛科氮化镓项目建成后年产值预计可突破100亿元，该项目主要建设从器件设计、驱动IC设计开发、材料制造、器件制备、后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带半导体器件制造平台。

△Source：汾湖发布

汾湖发布指出，英诺赛科一期项目正式开启大规模量产，预计2021年实现产能可达6000片/月。项目全部达产后预计将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆。

建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。

英诺赛科于2018年在汾湖高新区奠基，2019年主体厂房封顶，2020年设备搬入。目前，英诺赛科被国家四部委列入重点支持的0. 25微米以下的集成电路企业，是国内第一个通过国家发改委窗口指导的第三代半导体项目。同时，作为苏州市独角兽培育企业，英诺赛科承担了多个国家部委及省相关部门的重点研发项目。

文：全球半导体观察整理；封面图源：汾湖发布