总投资160亿元，湖南三安半导体项目即将迎来新进展

据长沙高新区网站报道，目前，位于长沙高新区的湖南三安半导体项目即将迎来新的进展，报道指出，该项目一期部分厂房已完工，预计6月底首批设备点亮。

湖南三安半导体项目是省市重点工程，总投资160亿元，总占地面积约1000亩，主要建设具有自主知识产权的以碳化硅、氮化镓等宽禁带材料为主的第三代半导体全产业链生产与研发基地，项目建成达产后有望形成超百亿元的产业规模，并带动上下游配套产业产值预计逾千亿元。

该项目建设包括但不限于碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，包括长晶—衬底制作—外延生长—芯片制备—封装产业链，研发、生产及销售6吋SIC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SIC二极管外延、SiC MOSFET外延、SIC二极管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET。

该项目投产后可广泛用于新能源汽车、高铁机车、航空航天和无线(5G)通讯等。

湖南湘江新区党工委书记郑建新此前表示，长沙三安第三代半导体项目作为长沙17个制造业标志性重点项目之一，必将成为推动长沙新一代半导体及集成电路产业链发展的重大动力。

文：全球半导体观察整理；封面图源：拍信网