三星闪存芯片最新进展：200层以上第八代V-NAND要来了

韩媒消息，三星执行副总裁兼闪存负责人Jaihyuk Song介绍了三星闪存芯片业务最新进展。

Jaihyuk Song透露，三星正积极推动第七代V-NAND闪存芯片（176层）的应用，并计划在今年下半年推出一款基于第七代V-NAND闪存芯片的消费类SSD。

据悉，三星第七代V-NAND闪存芯片拥有业界迄今为止最小的单元尺寸，三星还计划将第七代V-NAND闪存芯片的应用扩展至数据中心SSD领域。

除此之外，Jaihyuk Song还表示，三星已经获得了具有200层以上的第八代V-NAND解决方案的工作芯片，并计划根据消费者的需求将其推向市场。

媒体透露，三星目前正在平泽的新工厂（2号厂）测试第七代176层V-NAND闪存的生产线。生产量为每月10,000张12英寸晶圆。预计在2021年下半年这条生产线投产后，将立即开始为第八代V-NAND闪存的大规模生产做准备。（文：全球闪存市场；封面图源：拍信网）