界读｜台积电、三星nm制程掺水，英特尔重新命名nm制程

欧界报道：

在14nm芯片工艺正式公布之前，台积电、英特尔、三星等制造厂商在芯片制造时，都遵循着摩尔定律。所谓摩尔定律，即以十八个月为周期，将晶体管的密度翻一倍。此外，晶体管的沟道长度也与nm工艺的节点相对应。

但是伴随着芯片生产技术不断提升，晶体管的密度与原大小越来越接近，因此，原先适用于芯片制造的摩尔定律很难再实现，从10nm开始，台积电、三星的制造厂商在芯片制程工艺上出现了掺水现象。芯片的沟道长度不再与具体相关多少nm的工艺产生直接关联，而具体多少nm也只是一种对外营销的口号，原先以18个月为周期的晶体管密度改变，现在也不再适用了。

从相关研究分析中可以得知，从晶体管密度来看，台积电、三星、英特尔、IBM四家厂商分别生产的2nm、3nm、5nm、7nm、10nm晶体管在相同的节点上呈现出了不同的密度。综合来看，在节点一致的情况下，三星的密度最低，英特尔密度最高，而英特尔目前对外公布的工艺节点仅有10nm，在芯片制作工艺方面，英特尔还是坚持遵循了摩尔定律。

近来，英特尔宣布彻底抛弃了nm工艺的叫法，预计从下一代芯片开始，英特尔会用全新的名称代替原先以nm工艺为代号的称呼，从而避免行业内芯片生产的横向竞争，从全新的命名来看，无法直接了解具体采用了哪种nm工艺。

从芯片的每一代对比方面来看，英特尔的intel7与上一代英特尔10nm相比，每瓦的性能得到了一定程度的提升，intel3在intel4的基础上，每瓦性能同样也取得了一定提升。英特尔在芯片的生产制造方面还是保持着严谨的态度，很少在其中掺水，依然遵循摩尔定律，此次不采用nm工艺命名，相对于三星和台积电的nm明明方法，也能够避免由于nm工艺对比造成的竞争。nm工艺掺水的现象导致了以nm命名的芯片制造工艺缺乏一定的可信度，英特尔此举也不无道理。对于新一代英特尔，究竟是采用了多少nm的芯片制造工艺，暂时还不了解。