界读丨外媒表示，台积电将推出3nm制程工艺的量产，最多或达4个月

欧界报道：

根据外媒的最新消息显示，台积电将推迟3nm制程工艺芯片的发布，预计最多将推迟四个月，同时，台积电房也表示，该芯片的量产也将推迟，预计将在明年下半年正式进入量产阶段。

在摩尔定律的规定下，芯片厂商都致力于寻找一种全新的技术，推动半导体行业的发展，这也是各大芯片代工厂商的重要目标。但是在全球芯片短缺的背景之下，再加上目前芯片生产技术的有限，台积电和三星都将早先预定的3nm技术工艺的投产时间推迟发布了，目前，官方也已经证实了该消息。

为什么台积电要推迟3nm工艺的投产时间呢？

其主要原因还是技术和市场的发展不够完善。3nm芯片是目前最高精度的芯片制程，而若要提升芯片的性能，就必须要用更多的晶体管数量，这对于工艺技术的要求更高，很显然，3nm制程已经是硅晶体容量的天花板，要在短时间内寻求突破，难度较大。

从之前台积电在2nm制程中采用的二维材料接触电极的种类可以看出，传统的芯片制造工艺已经无法满足更高精度的芯片制造要求，因此需要积极寻求更好的芯片制造技术，而根据以往5nm制程工艺的芯片来看，此次台积电的3nm生产技术并未完全遵循摩尔定律，如果过分的追求快速生产，可能会导致芯片工艺的良品率降低，很显然，台积电尚未完全解决该问题。

对比台积电的芯片生产工艺，三星目前存在的漏洞更大。以三星3nmGAA工艺来看，被曝出现了关键性漏洞，有消息称，三星的3nmGAA存在漏电和制程排版布局不合理的问题，如果正式投入使用，可能会存在安全隐患。虽然对于三星5nm芯片，3nm制程的三星芯片性能更好、功耗降低更少，芯片与产品的有效接触面积更大。

不过，此次三星推迟3nm制程工艺芯片的推出，对于华为企业来说，未尝不是一个好消息。或许华为也能够利用这次机会，抓紧突破自身的芯片生产技术，减少因美国的芯片限制带来的不利影响。

对于台积电推迟3nm工艺制程芯片的发布，你们有什么看法吗？

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