米格实验室—SiC热沉

半导体激光器的核心技术之一是散热技术,因为通常半导体激光器的尺寸很小,工作时热流密度极高,如果不能及时散热,会使结点温度升高,将极大地影响其阈值功率、斜效率,输出功率、波长和平均寿命等参数,甚至彻底损坏激光器。热沉是半导体激光器热量传递时的容器,属于散热技术的关键核心部件,热沉的散热能力决定了半导体激光器的性能和寿命。[1]

SiC的导热系数是490W/(MK),比AlN等导热系数高很多,因而米格实验室创新性的将SiC制备成用于激光器散热的热沉。图一展示了本公司研制的SiC热沉。SiC热沉尺寸3mm*6mm*0.5mm,两面各镀了厚度为1μm的Ti/Au层,如图二所示。

米格实验室—SiC热沉

图一 SiC热沉图片图


米格实验室—SiC热沉

图二 SiC热沉产品示意图a.截面 b.表面

产品介绍

米格实验室—SiC热沉

参考文献:[1]范嗣强,大功率半导体激光器热沉技术的研究现状

作为新研制的产品,首先要经得住市场的考验,所以小编向领导申请了400个SiC热沉免费付邮试用的名额,想让你的半导体激光器更上一层楼吗,赶紧给米格小编留言领取SiC热沉吧。

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页面更新:2024-03-31

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