半导体激光器的核心技术之一是散热技术,因为通常半导体激光器的尺寸很小,工作时热流密度极高,如果不能及时散热,会使结点温度升高,将极大地影响其阈值功率、斜效率,输出功率、波长和平均寿命等参数,甚至彻底损坏激光器。热沉是半导体激光器热量传递时的容器,属于散热技术的关键核心部件,热沉的散热能力决定了半导体激光器的性能和寿命。[1]
SiC的导热系数是490W/(MK),比AlN等导热系数高很多,因而米格实验室创新性的将SiC制备成用于激光器散热的热沉。图一展示了本公司研制的SiC热沉。SiC热沉尺寸3mm*6mm*0.5mm,两面各镀了厚度为1μm的Ti/Au层,如图二所示。
参考文献:[1]范嗣强,大功率半导体激光器热沉技术的研究现状
页面更新:2024-03-31
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