解读EUV光刻机专利(一):中芯国际脑洞大开的光源设计

一一发明专利,通常带有超前的概念、设计、思想,却常常用大众化能理解的语言描述。希望这个13.5纳米EUV光刻机专利的系列解读,可以为大家带来或新鲜的、或有趣的、或深刻的科技知识。

今天要讲的是2015年中芯国际发表的一篇EUV光源设计的专利:

Euv光源、曝光装置和一体式旋转结构制作方法

CN106324997B 伍强 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Priority 2015-06-26 • Filed 2015-06-26 • Granted 2018-03-30 • Published 2018-03-30

解读EUV光刻机专利(一):中芯国际脑洞大开的光源设计

图1:中芯国际2015年发表的专利《Euv光源、曝光装置和一体式旋转结构制作方法》首页

概要:如何提升EUV光源功率?

中芯国际2015年发表的这篇专利提供了一种全新的EUV光源设计。那么他是要解决什么问题呢?

原来,在早期中芯国际研究EUV光刻机时,EUV的功率还没有达到50W,因此亟需先进的提升EUV功率的方案。

彼时ASML产生EUV光源的方式是LPP(激光产生等离子体辐射方式(Laser Produced Plasma),该方式的原理是: 激光源产生激光束轰击锡(Sn)液滴,由此激发等 离子体,等离子向外辐射极紫外光。

解读EUV光刻机专利(一):中芯国际脑洞大开的光源设计

图2:ASML的LPP光源原理,1个固定的激光源去轰击1个液滴喷射线

这个工艺的核心是产生超高频的锡(Sn)液滴。这种工艺是极其复杂的,国内也仅有华中科技大学等极少单位从事这个技术的研究。达到这种超高频的液滴对喷嘴设计、工作时间等都有很大的难度。

中芯国际认为:LPP都只有1个固定的激光源去轰击1个液滴喷射线,制约了功率提升!(图3)

解读EUV光刻机专利(一):中芯国际脑洞大开的光源设计

图3:中芯国际专利描述固定激光+固定液滴线方案的主要问题和困难

创新:六脉神剑

由于固定激光+固定液滴线方案限制了功率,中芯国际提出了一个脑洞大开的想法(图4):

1个打不过,我就上n个(大家可以想象一下“六脉神剑”,1个人学不会6脉,咱们就给他来6个人的剑阵,1人1脉转着圈打)。

解读EUV光刻机专利(一):中芯国际脑洞大开的光源设计

图4:中芯国际设计的带有环状多喷嘴的旋转EUV光源系统

所以,大家就可以清晰地理解中芯国际的这个设计了:

在EUV的激光头周围,安装了一圈的n个喷嘴,工作时,转盘按照激光脉冲的频率一直转动,激光依次激发1至n的喷嘴喷出来的液滴

所以,这是一个以空间换取时间的故事!

结语

科学创新有的时候就是一次脑洞大开,朋友们get到中芯的这个专利设计思想了吗?

参考

https://achelois.shuu.cf/extdomains/patentimages.storage.googleapis.com/4b/ca/d9/142fc51cf4b260/CN106324997B.pdf

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页面更新:2024-05-15

标签:光刻   光源   激光束   专利   体式   喷嘴   制作方法   功率   激光   装置   原理   结构   方式   工艺   方案

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