近年来，以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展，已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点。

抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期，实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控，对保障工业创新体系的可持续发展至关重要。

SiC功率器件的发展现状

SiC功率半导体器件包括二极管和晶体管，由于晶体管的技术难度大，产业化进度落后于二极管。

目前，SiC IGBT和GTO等器件由于技术难度更大，仍处于研发阶段，距离产业化还有较大的差距。SiC JBS二极管和MOSFET晶体管由于其性能优越，成为现阶段应用最广泛、产业化成熟度最高的SiC功率器件。

随着国际上SiC功率器件技术的进步和制造工艺从4英寸升级到6英寸，器件产业化水平不断提高，SiC功率器件的成本迅速下降，全球SiC功率器件市场的快速发展，在SiC二极管、SiC MOSFET等器件均有一些代表性的产业化公司引领行业发展。

中国在“十二五”初期掀起了研发第三代功率半导体器件领域的热潮，在“十三五”期间则掀起了产业化的浪潮，并通过设置国家重点研发专项等来从下游应用端拉动SiC功率器件的研发和产业化。

三菱电机与功率半导体

三菱电机被誉为"现代功率半导体器件的开拓者"，其功率半导体产品线广泛覆盖了家用电器,工业及新能源、轨道牵引及电动汽车应用领域。

三菱电机在功率半导体领域的发展史最早可追溯到1957年，当时三菱电机推出了第一款晶闸管产品，到现在已有62个年头，紧接着在70年代开发了MOSFET分立器件，到80年代开发了MOSFET模块，IGBT模块和IPM模块，在90年代中期开发了举世闻名的双列直插型智能功率模块—DIPIPM，并在2000年以后面向市场逐步推出了SiC MOSFET功率模块。

DIPIPM通过内置HVIC，使其外围电路变得更加简单紧凑，节约了用户成本。从1997年正式推出DIPIPM到2020年上半年，DIPIPM累计出货量已超8亿颗。DIPIPM应用场景包括了空调、洗衣机、冰箱、AC伺服器、通用变频器、小容量电动机控制器等。

由于行业特性，功率半导体领域在技术准入、资本投入等方面设置了较高门槛，从而形成了较高的市场集中度，2019年全球前五大厂商占据了半壁江山。其中，三菱电机智能功率模块市场份额第一。

在三菱电机公布的5年战略规划中，功率半导体仍然是三菱电机关键增长业务之一，预计2025年将达到2400亿日元营收（约合人民币134亿元）。

三菱电机考虑找台积电代工生产功率半导体

台积电、Sony 11月9日共同宣布，将在日本熊本县兴建一座采用22/28 nm制程的晶圆厂、预计2024年开始生产，初期投资额预估约70亿美元。而三菱电机社长衫山武史之前在6月市场开始盛传台积电将在熊本县盖晶圆厂时、接受采访时表示，“和该公司(三菱电机)的工厂、研发据点距离很近，在代工上进行合作是十分有可能的”。

据调查，2020年功率半导体市场虽陷入萎缩，不过自2021年以后，因车辆电子化、5G通讯相关投资增加，加上产业领域需求恢复，因此预估市场将转趋扩大，预估2030年市场规模将达4兆471亿日元、将较2020年成长44.3%。

自2021年以后，在汽车/电子设备需求加持下，预估SiC、GaN等次世代功率半导体市场将以每年近20%的速度呈现增长，2030年市场规模预估为2,490亿日元、将较2020年跳增3.8倍(成长约380%)。

其中，因汽车/电子设备需求加持，来自中国、北美、欧洲的需求扬升，预估2030年SiC功率半导体市场规模将扩大至1,859亿日元、将较2020年跳增2.8倍；GaN功率半导体市场规模预估将扩大至166亿日元、将较2020年飙增6.5倍；氧化镓功率半导体市场规模预估为465亿日元。