不知道有多少人可以理性看待沸腾文章，比如中芯国际已经攻克 7nm 这种消息报道。

中芯国际最近通过正常渠道，回答投资者的问题：中芯国际不用EUV光刻技术，就已经攻克了 7nm的工艺吗？对此，中芯国际表示，公司不针对传言进行评论。

而实际情况是：从去年四季度起，中芯的 FinFET产能利用率就开始不足了。

科普一下，什么是FinFET工艺

在 FinFET 工艺之前，大家使用的是平面型MOSFET 技术。

传统MOSFET结构是平面的，只能在栅门的一侧控制电路的接通与断开。但是在FinFET架构中，栅门（Gate）被设计成类似鱼鳍的叉状3D架构，可于电路的两侧控制电路的接通与断开。

FinFET的叉状3D架构，极大改善了电路控制和减少漏电流，大大降低集成电路功耗，同时让晶体管的栅长大幅度缩减。目前，英特尔的14纳米工艺中晶体管的栅长已经缩短至20纳米，三星的5纳米工艺中已经缩短至10纳米。

最早使用 FinFET 工艺的是英特尔，于2011年推出的第三代酷睿处理器，就开始使用22纳米 FinFET 工艺。但在大陆是中芯国际在实现14nm工艺的量产时，才最终掌握了这一技术。甚至在28nm时，还没有用到FinFET技术。

国内首条FinFET生产线，就是中芯位于上海的中芯南方SN1项目，这是中国大陆第一条 FinFET 工艺生产线，这也是中芯国际 14 纳米及以后冲击先进工艺，研发和量产的主要承载平台。

在没有 EUV 技术支持下，实现 N+1 是7nm 技术吗？

从中芯国际官网的介绍来看，该公司提到的目前抵达的最先进工艺还是14nm，接下来的是N+1、N+2工艺，但没有指明具体的工艺节点。中芯国际联合CEO赵海军曾表示，经过三年的积累，FinFET 工艺已经取得了不错的成绩，N+1已经进入了风险量产阶段。

从公布的参数上看，所谓 N+1 制程，并不完全是网传的第一代7nm 工艺。

与14nm工艺相比，N+1性能提高了20％，功耗降低了57％，逻辑面积降低了63％，SOC面积降低了55％。大部分参数与通俗意义上的7nm相比，在实际功率和稳定性方面非常相似或接近，唯一的区别是性能，N+1的性能提高了约20％，这距离7nm 的35％的提升有一些差距，当然，这是唯一的差距。

这样来看，从性能上对照定位，低于台积电定义的30%-35%的相对于 14nm 的提升。实际上，业界现在以35%的提升作为市场基准。那么 N+1 显然不能被称为7nm，它更像三星的第二代10nm和第三代10nm（就是8nm）。

从intel 的教训可以知道，7nm 制程是DUV工艺的极限，在没有最新EUV光刻技术的支持下，即使能量产，也需付出成本和良率的代价。

现状是中芯国际14nm 的利用率都不足

目前，全球半导体产能供不应求，且业界普遍预期产能短缺情况会延续到2022~2023年。在这种情况下，芯片代工价格大涨，晶圆厂的产线大都是满负荷运行状态，接单接到手软。

尽管国内龙头中芯国际，已经实现14nm的大规模量产，但是由于客户、设备、材料的不确定性，中芯国际最近披露的月财报显示，14/28nm工艺在2020年第四季度收入占比下降至5%，低于三季度的14.6%。也就是说，中芯国际14nm 产线在全面缺芯的大环境下，目前的产能反而是不饱和的。

最后

在没有国家芯片产业链整体崛起的支撑下，单点的代工工艺突破，从技术角度上讲，当然意义非凡，使得我们与国际先进之间的距离不至于拉的太大。但从行业操作性上讲，一切从实际出发，我们仍需要冷静地接受现实，也许这样的等待可能比较漫长，请务必给芯片国产化、高端化多一些时间。