超 800GB/s，SK 海力士成功开发 24GB 6.4GT/s HBM3 内存

根据韩国 SK 海力士的官方网站最新消息，该公司宣布开发出了业界最强的 HBM3 内存。

新开发成功的内存型号为 6.4GT/s 24GB 的 HBM3 内存，该内存主要应用场合为 GPU、CPU、FPGA 以及 AI 加速器等领域，能为这些产品提供合计高达 819GB/s 的内存带宽，相当上一代的 HBM2 和 HBM2E 内存来说，性能得到了显著的提升，而且还集成了片上纠错码实现更高的良率。

和以往的 HBM 内存类似的是，HBM3 堆叠了较慢的 DRAM ，使用硅通孔（TSV）技术将它们连接起来，这些堆叠起来的 DRAM 采用高达 1024 位的总线连接到主芯片。

每个 HBM3 堆叠（被称为 KGSD，已知良好的堆叠芯片）最多支持 16 个 64 位通道，这些通道被重新绑定为 32 个伪通道（用于更好的流量管理和最大化实际带宽），每个伪通道对应 16 或者 64 个存储体。按照 Synopsys 公司的说法，HBM3 的最大通道密度位 32Gb，这意味着 KGSD 再可变数量的堆叠上最多可以打包多达 64GB 内存。

相对于之前的 HBM2 和 HBM1 而言，HBM3 的 DRAM 速度可以做到更快，Synopsys 公司表示过最高可以支持 7.2 GT/s，而 RAMBUS 公司则表示 HBM3 最高可以支持 8.4GT/s，这样的速度实际上要比第一批上市的 DDR5 内存更快。

SK 海力士计划把 HBM3 内存划分为两种容量，16GB 和 24GB，其中 24GB HNM3 KGSD 堆叠了 12 个 30 微米厚的 16Gb DRAM，两个容量型号均可以支持 6.4GT/s。比较有意思的是，SK 海力士的 HBM3 颗粒是正方形的，而之前的 HBM2、HBM1 都是长方形的。

现在 NVIDIA、AMD 和 Intel 都有集成 HBM 内存的 GPU，可以预期它们的下一代产品很可能会使用 HBM3，而 Intel 的 Sapphire Rapids 至强处理器也有可能会使用 HBM3。