电源适配器厂家：65W内电源适配器设计经验分享

接触电子业10年，经历过5-6级，无 Y 有 Y，EMI 整改、认证、系列、专案等……以下为我在设计 65W 以内的电源适配器 时的整改小经验。与大家分享一下。

能效整改

1. VF 值，肖特基

低 VF 值的要比普通的要高0.5-3个百分比；

品牌、VF 值不一样，有差别；

选型，能用40V 的就不要用45V 或者60V 的，电压经测试可以得出。

2. 加速度肖特基的导通

电源适配器基本上都在次级加入了 RCD 电路，如图，可将 R2 更改为 D3（D3为4148），此处更改可增加老化后0.5%的效率，但是 R1 的位置要按测试 EMI 测试出来的数据相对应的调整。

3. 初级 RCD

可将吸收的 D 更改为阻尼二极管。

此处更改有以下优势：

① MOS 管的峰值会下降。600V 左右的峰值会下降到520V 左右。实测为准。

②能效，老化5分钟后，增加0.5%的效率。

③注意事项，此时吸收只的 R，取值5M-10M 左右为最佳。

④注意 MOS 串在 RCD 上的电阻，太小会影响 EMI，大了也不适合。以测试为准。

4. 变压器

此处各位搞工程的都懂，无非就是设计时的计算与绕线方式。

5. 电解电容 ESR

低 ESR 的效率要高过普通的，包括现在用的高分子电容。可以提高寿命与能效，是针对低压大电流的不二选择。

6. 待机

高压起动的 IC，节省了起动电阻的损耗。非高压起动的 IC 可加大起动电阻来减少待机功率，但是会影响起动时间，可以按一定条件更改 VCC 起动电容，或者增加二级起动电路等，包括更改假负载电阻等，当然太小了会出现空载不稳定的现象等。