施敏，1936年3月21日出生于中国南京，微电子科学技术、半导体器件物理专家，台湾中央研究院院士、美国国家工程院院士、中国工程院外籍院士，台湾交通大学电子工程学系毫微米元件实验室教授 。

1957年施敏毕业于台湾大学，之后赴美留学；1960年获得华盛顿大学硕士学位 ；1963年获得斯坦福大学电机博士学位后进入贝尔实验室工作，在此工作直到1989年退休；1967年发明了非挥发性记忆体，第一次阐述了闪存存储数据的原理技术；1968年回到台湾交通大学担任董浩云讲座教授一年；1969年编著的《半导体元件物理学》第一版出版；1990年退休后于台湾阳明交通大学电子工程系任教；1994年当选为台湾中央研究院院士；1995年当选为美国国家工程院院士；1998年当选为中国工程院外籍院士；2004年担任台湾奈米元件实验室资深顾问 [3] ；2014年受聘为哈尔滨工业大学荣誉教授

引领全球《半导体元件物理学》的理论

施敏院士在1969年提出金属与半导体间基础传输理论，撰写出《半导体元件物理学》为半导体元件领域的标准教科书以及参考书，使读者立即获得重要的元件物理知识以及详细的元件特性，包含主要的双载子、场效、微波、光子以及侦测元件，为了使工程师、科学家、大学教师以及学生了解今日所使用最重要的元件，以及评估未来元件的品质与限制，提供了实践的基础。

《半导体元件物理学》先在阳明交大启用，而后引领全球、翻译成6国语言并发行逾300万册，也被誉为半导体科研界圣经，不断引用。

奠定半导体行业半个世纪的基础

施敏院士指导首名博士生张俊彦（已故），就提出金属与半导体间的电荷流动理论和传输模式。集成电路元件中最关键就是“欧姆接触与肖特基接触”，也就是不同的电子元器件需要电流大小不一，需要一种模式来解决，施敏和张俊彦博士刚好找到了这种模式。

由此，奠定了全球50年来半导体科研基础，使得芯片产业能依照「摩尔定律」持续扩展，成为各类电子系统不可或缺的元器件，并扩展为各类电子系统必要品，大幅提升人类生活与文明。

发现闪存的核心技术

1963年取得美国史丹佛大学电机博士学位，进入了贝尔实验，在贝尔实验室共同发现「浮闸內存效应」等，从中延伸的闪存等也是电子产品核心元件。

业界评价

未来科学大奖，在海外又被称为“中国诺贝尔奖”，它是由中国首个由科学家和马化腾、丁磊、江南春、王强等企业家共同发起的民间公益组织颁发的世界级科学大奖。“数学与计算机科学奖”是三项大奖之一，奖金100万（将近650万人民币）美元，奖金额度跟诺贝尔奖相同。施敏院士就是今年该奖项的获得者。

未来科学大奖科学委员会轮值主席、台交大前校长张懋中表示，科委会由国际知名科学家组成，每一位获奖人的诞生，都来自科学界客观公正的评选与推荐。施敏教授的成就奠基相关领域，半世纪以来，对集成电路科技发展与社会的贡献深远，实为举世同钦。