ASML新表态：中国3年造出光刻机！院士：3个原因“一笑了之”

关注科技大小事的朋友们都知道，美修改规则后，国内厂商都将芯片制造等技术作为重点发展对象，不仅大力研发先进芯片以及先进芯片的制造技术，还大力投资扩产，提高芯片产能。

都知道，要想生产制造芯片，就必须用到光刻机，而在光刻机领域内，ASML的技术最为先进。

据悉，ASML研发制造的DUV光刻机和EUV光刻机几乎占领了中高端市场，而EUV光刻机更是当下唯一能够生产制造7nm以下芯片的设备。

因为规则的缘故，ASML也不能自由出货，尤其是最先进的EUV光刻机，国内厂商早已经全款订购一台，至今都没有交付。

但从2020年后半年开始，ASML就不断表态发声，示好国内厂商。

例如，ASML总裁表示，一般情况下，向国内厂商出售DUV光刻机是不需要的；ASML愿意向国内厂商提供其能够提供的一切技术，并将加速在国内市场布局。

进入2021年后，ASML不仅与中芯签订了12亿美元的光刻机出售协议等，还在第一季度交付了11台光刻机。

4月份，ASML总裁更是两度发声，限制ASML等自由出货，将会给美国带来严重的损失。

ASML总裁还表示，倘若ASML等一直不能自由出货，在未来15年后，ASML等企业或将彻底退出中国市场。

但没有想到的是，就在近日，ASML总裁再次做出新表态，倘若美国禁止ASML向中国厂商出售光刻机，仅需要3年左右的时间，中国厂商就能够研发出来先进的光刻机。

面对ASML的频频示好和最新的表态，国内院士就发声了，一笑了之，尤其是ASML表示中国厂商3年就能够研发出来先进光刻机这一点。

中国有句古话，忠言逆耳利于行。

ASML最新的表态虽然听着好听，尤其是“中国厂商在3年内就能够制造出来先进光刻机”这句，但夸大了点，虽然国产技术突破进展很快。

当然，院士说ASML的最新表态要一笑了之，这也不过分，毕竟有三点原因可以证明。

首先，当下最先进的光刻机是EUV光刻机，其NA值是0.33，该数字可以代表光刻机的先进程度。

据悉，ASML的DUV光刻机，其采用的光源技术可以实现193nm的波长，在该光源技术之下，其可以生产制造7nm以上的芯片。

而ASML的EUV光刻机，其采用的光源技术可以实现13.5nm的波长，在该光源技术之下，其可以生产制造7nm、5nm以及3nm等芯片。

而光源技术是光刻机最核心的技术之一，这一点美国领先，但光刻不仅需要光源技术，还需要真空、镜片，而这些技术来自英国、德国徕卡等。

可以说，一台EUV光刻机集合了全球顶尖科技，不是一个国家在短时间内就能够突破的。

更何况，国内在光源、镜片等方面相对落后，否则，顶尖相机也不会都是国外品牌。

其次，目前，国内最先进的光刻机可以达到90nm的精度，这一点可以在上海微电子官网查到。

虽然一直有消息称，上海微电子即将下线量产全新一代光刻机，其也是采用193nm波长的光源技术，能够用于生产制造7nm以上制程的芯片。

但至今，都没有该光刻机量产下线的准确消息。

最后，目前最先进的光刻机是EUV光刻机，即便是上海微电子量产了全新一代光刻机，可以用于生产制造7nm以上制程的芯片。

但EUV光刻机直接将光源技术提升到13.5nm,这样的提升是巨大，不是两三年就能突破的。

更何况，EUV光刻机是集合全球顶尖技术，不仅仅需要光源技术。

而国内院士说这是糖衣炮弹，就像是发出提醒，要坚持自主研发，要坚持技术突破，还要认清现状，不能被好听的话给蒙蔽了。