近日有媒体发布消息，今年将实现国产28nm芯片量产，国产14nm芯片量产将在明年实现。国产28nm芯片和国产14nm芯片实现量产，中国芯片产业将迎来了最好时刻。28nm被广泛用在中低端手机处理器以及电动汽车、5G基站、物联网等领域，如今火热新能汽车更是28nm及以下制程芯片的使用大户。

28nm芯片在中国市场份额非常高，台积电之前一直有在南京建设28nm芯片厂来扩产的想法，为的就是抢占国内中低端芯片市场。想来也是料到国产28nm芯片将要来，为了保住并扩大自己在中国的中低端市场份额做的选择，也能减轻对美国市场的依赖。但根据相关报道，美国反对台积电在南京建立28nm芯片厂。

美国反对台积电在南京建立28nm芯片厂

中国是全球最大的芯片市场，台积电在南京建厂可以更好地提高中国市场的市场占有率，也能辅助国内相关产业进行快速升级，是一件双赢的好事。但美国为抑制中国芯片的发展，宣布禁止台积电、联华电子在大陆扩大28nm制造产能，因为自身使用太多美国技术，不得不受制于美国的台积电，对美国做法也感到意外。

毕竟台积电已经赴美要建厂，在中国建立也不过是28nm工厂，28nm制造工艺中芯国际早已成熟，台积电的建厂只是增加市场竞争的商业行为。美国在28nm芯片对中国进行限制，想不到有什么实际意义。

或是“警告”台积电？

或许美国这次不但针对中国半导体产业，也是对台积电的一次“警告”。本来台积电宣布要在美国投资120亿美元建厂生产最先进的5nm芯片。结果台积电刚宣布完，美国就把包括台积电在内的亚洲半导体企业列入黑名单中，逼得台积电只能在美国生产的芯片。

台积电方面却想在本岛保留2代以上技术领先，并且美国建厂的事情宣布之后，迟迟没有进入相关进展。这自然不是美国愿意见的。

但台积电无法在南京建厂对中国半导体产业也是利弊皆有。台积电无法在南京建厂，对包括中芯国际在内的芯片制造厂商都是好事情，还能避免在市场上直接被台积电打压，从而影响芯片开放，也避免了台积电继续扩大中国市场。

弊端则是中国失去了台积电在丰富芯片制造经验，这些本来能成为中国国产芯片的宝贵“粮食”。也失去和台积电技术深入交流了解的机会。最重要的是如果台积电在南京建厂，等到和美国闹翻的时候，南京的工厂将成为台积电的后路。但如今这一切都成为泡影。

台积电这边后路和市场扩大的想法都美国卡住了，还被美国拉进了黑名单，但偏偏使用了大量美国技术还依赖美国市场，骑虎难下。美国方面则是“请君入瓮”就等着台积电来美国建厂，获得台积电先进的技术，打破台积电CEO试图保留2代以上技术的幻想。目前台积电和美国“各怀鬼胎”。

中国半导体产业在打压下崛起

美国才对台积电发出的“警告”，也是对中国半导体产业打压更进一步。如今中国芯片产业遭到全面打压：高端受抑制，中低端被排挤。美国对中国半导体产业打压得越紧迫中国半导体产业反而发展得越快。作为世界唯一的全工业国家，中国有着完整的半导体产业链，只是之前技术相对落后，主要服务于下沉市场。现在中国半导体产业发挥着全工业大国的优势，逐步攻克包括了光刻机、EDA软件、光刻胶等核心技术点，芯片产业需要的上百种材料也已经进入了批量生产阶段。

中国半导体产业已经制造国产28nm芯片并且还在持续改进和突破，在制作工艺已经改变了之前工艺技术全套引进的容易遭“卡脖子”的情况。

特别是在明年实现国产14nm量产后，中国2025年实现芯片自给率70%的目标，在技术层面已经得到实现。14nm芯片量产意味着中国在光刻机。抛光仪等大型设备都实现了关键突破。

在芯片封锁中，中国也走出了自己的路。在芯片封装领域实现了突破，使用异构集成电路完成了崛起。将在同一个3D系统封装中，将不同工艺制作的硅和非硅机器集成后，形成更高级别的系统。中国已经有公司用这个技术在使得40nm工艺芯片拥有了和16nm芯片不相上下的性能。用这个技术能将28nm芯片工艺达到10nm芯片的水平。理想情况下14nm芯片用异构集成技术能达到7nm芯片的性能。

以中国的技术发展能力，将来还会有使用异构集成电路这样重大突破。在中国不断的努力下，中国芯片必能一步一步走上世界之巅。