全球首片！在湖北下线！

来源：【长江云】

日前，全球首片8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆在九峰山实验室下线。此项成果使用8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆，单片集成光电收发功能，为目前全球硅基化合物光电集成最先进技术。

该项成果可实现超低损耗、超高带宽的高端光芯片规模制造，为目前全球综合性能最优的光电集成芯片。此项成果由九峰山实验室联合重要产业合作伙伴开发，将尽快实现产业商用。

薄膜铌酸锂由于出色的性能在滤波器、光通讯、量子通信、航空航天等领域均发挥着重要作用。但铌酸锂材料脆性大，大尺寸铌酸锂晶圆制备工艺困难，铌酸锂微纳加工制备工艺也一直被视为挑战。目前，业界对薄膜铌酸锂的研发还主要集中在3寸、4寸、6寸晶圆的制备及片上微纳加工工艺上。

九峰山实验室工艺中心基于8寸薄膜铌酸锂晶圆，开发与之匹配的深紫外(DUV) 光刻、微纳干法刻蚀及薄膜金属工艺，成功研发出首款8寸硅光薄膜铌酸锂晶圆，实现低损耗铌酸锂波导、高带宽电光调制器芯片、高带宽发射器芯片集成。

未来，随着基于铌酸锂的光源、光调制、光探测等重要器件的实现，铌酸锂光子集成芯片有望像硅基集成电路一样，成为高速率、高容量、低能耗光学信息处理的重要平台，在光量子计算、大数据中心、人工智能及光传感激光雷达等领域彰显其应用价值。

推荐阅读

武汉正式启动！

湖北这些集体和个人获国家级表彰！

来源 | 湖北九峰山实验室、湖北日报

责编 | 李东东

审核 | 李登清、孙俊

本文来自【长江云】，仅代表作者观点。全国党媒信息公共平台提供信息发布传播服务。

ID：jrtt