2025年国产芯片自主率接近60%，不足原定目标70%，却属超额完成

知名科技博主、飞象网创始人项立刚称，2023年中国芯片自给率为25%，2024年自给率预计达到35%，2025年自给率逼近60%。这得益于中国芯片企业的增加，产能迅速提升。

尽管与当初设定的70%依然有部分差距，但是这意味着中国芯片突破了美国的封锁限制，打通了产业链，基本摆脱了“卡脖子”问题。

根据统计信息，2023年，全球芯片营收下降11%，而中国芯片产能增加了6.9%，其中12月份中国芯片产能大增34%。

中国芯片产能的逆势增长，并且增长速度越来越快，这个结果会让中国大大节约在芯片领域的资本支出。

很多网友不太理解，没有实现原定的70%的目标，怎么还打能通产业链呢？

2020年8月4日，我国发布《新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的若干政策》，政策中提出了，中国芯片自给率要在2025年达到70%。

我们可以看出，这个目标是在2020年8月提出的，考虑到目标提出需要多方调研、数据汇总、反复论证等，提出的时间会更早。

最为关键的是，当时美国并没有对中国芯片进行全面的打压限制，只是把华为及其68家子公司列入实体清单。

我们也看到华为不能进口5G芯片及零部件、先进GPU、也失去了台积电的代工，导致华为手机销量暴跌，也出售了荣耀品牌。

而芯片制造端的中芯国际、存储芯片领域的长江存储、半导体设备领域的上海微电子并没有被打压限制，依然可以拿到进口配件及设备。

但是，在我们提出了芯片自给率70%的目标后，这一切开始发生变化。

2020年12月18日，美国商务部将中芯国际列入实体清单，中芯国际是内地晶圆代工一哥，全球排名第五，仅次于台积电、三星、格芯、联电。

这是对我国的芯片制造端下手了。

2022年12月19日，美国将长江存储、上海微电子、寒武纪、中科院计算所等36家中国企业列入实体清单。

长江存储是一家NAND闪存，设计、制造、封装测试厂商，上海微电子是半导体设备厂商，寒武纪是AI芯片设计商，中科院计算所专门从事计算机科学技术研究。

这是对存储芯片、半导体设备、AI芯片、技术支持全部下手了。

这还不止，为了进一步限制中国芯片企业，美商务部找到了中国芯片最大的薄弱环节——半导体设备端。

2023年，美日荷相继发布了半导体设备出口限制政策，EUV光刻设备、先进DUV光刻设备均受到了出口限制，尽管三方均表示不针对任何国家和地区，但是明眼人一看就知道是针对中国。

此时中国芯片的处境和最初设置70%自给率目标时，差距非常大，已经不可同日而语了。

但就是在这种情况下，华为仍然发布了Mate 60Pro智能手机，搭载的麒麟9000S达到甚至超过了7nm工艺。

麒麟9000S由华为设计，CPU采用了自主研发的Ascend架构，GPU采用了马良910，由中芯南方代工。

设计、架构、制造都由内地企业完成，可以说除了半导体设备外，整个芯片产业链基本打通了，而且打通后的产业链国产化程度更高，技术含量也更高。

在EDA领域，我们有华大九天、概伦电子和华为。

华大九天是是国内规模最大、产品线最完整、综合实力最强的EDA工具提供商，能够提供模拟电路、集成电路、平板显示以及晶圆制造领域的EDA工具。

目前公司部分EDA工具已经可以支持5nm先进工艺，并且实现了商业化。

华为新进入行业，但是研发实力很强，已经实现了14nm完整的EDA研发体系，并成功研发出多款具有国际竞争力的EDA工具。

芯片设计方面，我们有华为海思、阿里平头哥

华为海思是国内芯片设计实力最强的企业，2019年巅峰时期进入全球芯片设计前4，仅次于高通、博通、英伟达。

海思设计出了多款芯片，包括麒麟系列智能手机芯片、晟腾系列AI芯片、天罡系列基站芯片、巴龙系列基带芯片、鲲鹏系列服务器芯片。

这些芯片性能强大，性价比高，而且卖的都不错。

阿里平头哥的倚天系列、含光系列芯片是以ARM架构为基础研发的，主要为云端提供算力；玄铁系列芯片以RISC-V架构为基础研发的，主要应用于服务器。

芯片制造方面，中芯国际是典型代表

中芯国际是内地晶圆制造领头羊，目前总产能达到了75万片/月，同时斥资1500亿在北京、天津、上海、深圳新建4座晶圆厂，主要制造14nm、28nm以上成熟工艺制程的芯片。

中芯国际的芯片平台涉及电源模拟、高压驱动、微控制器、混合信号、射频、图像传感器等。

中芯国际的工艺制程提升非常快，在梁孟松的带领下，从28nm提升至7nm、5nm、3nm完成了技术开发，只待EUV光刻机。

半导体设备方面，是我们的弱点

我们以长江存储为例，公司80%以上的设备来自海外，仅美日荷三家占比就达到了75%，究其原因就是因为国产设备太落后。

在最为核心的光刻机领域，上海微电子量产的600系列，分辨率为90nm；而荷兰ASML最新交付的高数值孔径EUV光刻机分辨率达到了8nm，这里面差距达到了10—20年。

再加上配套的刻蚀机、离子注入机、CVD、PVD等设备，想要彻底摆脱“卡脖子”还有大量的工作要做。

好在，国内企业在2023年大量购买海外半导体设备，全年进口半导体设备总额接近400亿美元。

这些进口设备中包括ASML的浸润式光刻机，涉及型号有1980Di、2000i、2050i及2100i四款，分辨力都小于38nmi。

其中2050i，2100i广泛应用于28nm、14nm、10nm、7nm制程的芯片，理论上也可以制造5nm芯片。

这为我们未来几年芯片产能的扩张奠定下了基础，同时也为国产光刻机的研发争取了时间。

按照研发时间计算，2024年国产28nm光刻机就会实现量产，2025年28nm生产线一定会实现纯国产化。

而目前，28nm以上芯片的使用场景高达70%以上，尽管台积电正在努力将AI、汽车领域的芯片拉入7nm以下制程，但是短期内28nm以上芯片仍然是主流。

如果我们能够建造足够多的28nm芯片生产线，那么2025年实现60%自主化是完全没有问题的，如果国产光刻机能够顺利迭代，那么我国的芯片自主率将会更高。

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