荷兰突然出手！光刻机国产替代或将加速......

据路透社报道，荷兰贸易部长范李文近日在接受采访时表示，由于担心半导体设备龙头ASML的光刻机被用于军事目的，因此近期已决定撤回ASML对中国出口部分产品的许可证。

报道称，范李文在2月5日的一份报告中写道：“中国注重外国专业知识，包括荷兰在光刻领域的专业知识，以促进其军事技术发展的自给自足。”

范李文说，ASML的光刻机可用于制造“高价值武器系统和大规模杀伤性武器”所需的先进半导体，荷兰政府在审查出口许可的决定时，会聚焦于“不良最终用途的风险”。

其实光刻机等相关科技的打压和封锁从2018年开始就没停止过。

为何对于光刻机时不时出手呢？关于光刻机，你了解多少。

光刻机是集成电路制造中最为核心的高端装备，在60余年的发展历程中不断挑战人类超精密制造装备的极限，推动着摩尔定律的持续向前和信息时代的飞速发展，对于科技进步、国民经济、国家安全具有重要的战略意义。

在整个集成电路制造过程中，光刻是最核心、最复杂的工艺步骤，利用光学原理在硅片上转移电路图形，决定了晶体管的最小特征尺寸及密度。

在集成电路制造过程中，光刻工艺的费用约占制造成本的1/3 左右，耗费时间占比约为40-50%。

光刻工艺所需的光刻机是最重要、最复杂、最昂贵的集成电路制造装备，被誉为“超精密尖端装备的珠穆朗玛峰”。

完整的光刻工艺十分复杂, 主要包括 8 个细分步骤：

1）气相成底膜和增粘：对原始硅片进行清洗、脱水, 清除吸附在硅片表面的污染物、上一道工序的残留物和金属离子等杂质, 并涂抹增粘剂，提升硅片对光刻胶的吸附能力;

2）旋转涂胶：在硅片表面均匀涂覆光刻胶，使其达到指定的厚度和均匀性，并通过去边操作将硅片边缘和背面多余的光刻胶清除，为了减少光反射带来的成像模糊、失真问题，在涂胶前后往往还需通过涂覆抗反射涂层来减少光的反射和驻波效应，保证光刻精度；

3）前烘：将硅片放在烤箱或热板上进行烘焙，减少光刻胶中的溶剂含量，提高光刻胶与硅片附着的稳定性；

4）对准和曝光：将光掩模、透镜模组和工件台进行精密对准调平，工件台在移动过程中完成硅片曝光；

5）后烘：通过曝光后的烘焙，激发曝光过程产生的酸，使部分光刻胶溶于显影液并提高显影分辨率，弥补曝光强度不足的问题；

6）显影和冲洗：喷涂显影液，溶解光刻胶上之前被曝光的部分，进而将光掩模上的电路图形复现在硅片上；

7）坚膜烘焙：对于湿法制程，再次对硅片进行烘焙，进一步减少光刻胶中的溶剂含量，避免多余水分对后续湿法刻蚀的影响，并提升光刻胶的粘性；

8）显影检查：测量光刻胶的膜厚、套刻精度、关键尺寸等指标，对显影后的电路图案进行检测，确保光刻步骤形成的电路图案符合设计要求。光刻步骤完成后，还需要进行刻蚀、沉积等步骤，并进行多次重复，进而形成现代集成电路中的多层结构和数以亿计的电子器件。

关于光刻机的竞争格局，全球光刻机长期由ASML、Nikon和Canon三家公司垄断，CR3高达99%，行业集中度及进入壁垒极高。

虽然国内砥砺前行，但相对于国外技术水平差价还很大，如何实现国产替代，如果实现弯道超车，之前有相关消息报道国内三条发展路线：

1、上微（中科院）走ASML路线，全程规避美规。采用1X千瓦/60Khz的超高重复频率二氧化碳激光打靶。

2、广智院与华中科技大学，采用分时高功率光纤激光器射击液态锡靶的方式绕开超高功率、超高重复频率二氧化碳激光器这个路线，截止2022年他们做出了40Khz的液态锡滴发生器并且打靶产生了极紫外光；

目前应该在搓自己的那个400路光纤激光器和束分时照射装置，目前样机的效果是传统二氧化碳激光器的LPP光源的数倍。

3、清华和半导体基金则是路线最为创新、方式最为激进的SSMB-EUV路线，如果能够成功那会直接把上面两条路线干翻，但是其失败风险也可以说是最大的，目前产线已经在雄安开工了。

（汇总相关路线个股，非推荐）

上微（中科院）：上海电气、张江高科、东方明珠、茂莱光学、富创精密、苏大维格等；

高功率光纤激光路线：锐科激光、大族激光、华工科技、亚威股份等；

SSMB-EUV路线：中广核技、东方钽业、必创科技、首钢股份、宝胜股份等。